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一种显著抑制俄歇复合的合金量子点及其制备和应用制造技术
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文档序号:24342590
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本发明具体公开了一种显著抑制俄歇复合的合金层量子点(QDs)及其制备方法。合成过程中连续注入Cd、Zn、Se前驱体,利用原子具有不同的反应活性及原子扩散度的不同,合成了一种CdSe/Cd...
该专利属于中国科学院大连化学物理研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院大连化学物理研究所授权不得商用。
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