一种多相H桥高功率密度变频器功率模块制造技术

本发明专利技术公开了一种多相H桥高功率密度变频器功率模块，包括主体框架、设置在主体框架内的2N（N≥3）个单相H桥功率单元和N个支撑电容组件，每对H桥功率单元和一个支撑电容组件构成一层通过通长滑槽设置在主体框架内，所述的H桥功率单元主要由IGBT及其叠层母排、电器快插插座、引出铜排、水冷底板、航空插头、光纤插头、水路卡套接头以及其它附件组成；本专利功率模块立式卧式皆可安装，同时根据电气相数需要可设计成四层、五层或多个相同层数的模块并联来实现其灵活的扩展性，具有左右对称、构架清晰、安装灵活，结构紧凑、可扩展性好、可维修性好等优点。

A power module of multiphase H-bridge high power density inverter

【技术实现步骤摘要】
一种多相H桥高功率密度变频器功率模块
本专利技术属于电力推进
，具体涉及一种结构紧凑型多相H桥高功率密度变频器水冷功率模块。
技术介绍
随着电力电子技术及系统集成技术的飞速发展，船舶综合电力推进技术备受关注。船舶综合电力推进有着传统推进方式所不可比拟的优点，在军民用船舶中的应用也越来越多，大功率推进变频器是船舶综合电力推进系统的核心设备之一。多相H桥逆变器是大功率传动系统中应用最为广泛的逆变器拓扑结构之一，它是由多个单相H桥逆变器组成的，通过多相数来提高系统可靠性。目前多相大功率变频器在船舶推进系统中应用比较广泛，技术也日趋成熟，但常规的多相大功率变频器体积大，且不能满足船舶苛刻的使用环境和较小的维修空间要求，因此对新型结构紧凑型船用多相大功率变频器的研制很有必要。
技术实现思路
为了克服常规研制的大功率变频器在体积、功率密度及可维修性等方面的局限性，本专利技术提供了一种在保证可靠性和可维修性前提下，具有结构紧凑、功率密度大的船用多相H桥变频器水冷功率模块。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多相H桥高功率密度变频器功率模块，其特征在于：包括主体框架（1）、设置在主体框架（1）内的2N（N≥3）个单相H桥功率单元（3.4）和N个支撑电容组件（3.1），每对H桥功率单元（3.4）和一个支撑电容组件（3.1）构成一层通过通长滑槽设置在主体框架（1）内，所述的H桥功率单元（3.4）采用IGBT（3.4.2）作为主功率器件，与驱动电路板组装在封装框架（3.4.6）上，每层的两个IGBT（3.4.2）均固定在水冷底板（3.4.1）上，所述的支撑电容组件（3.1）由阵列式排布的多个圆筒型薄膜铝电容通过电容框架（3.5）拼装成一个整体，支撑电容组件（3.1）和H桥功率单元（3.4）通过叠...

【技术特征摘要】
1.一种多相H桥高功率密度变频器功率模块，其特征在于：包括主体框架（1）、设置在主体框架（1）内的2N（N≥3）个单相H桥功率单元（3.4）和N个支撑电容组件（3.1），每对H桥功率单元（3.4）和一个支撑电容组件（3.1）构成一层通过通长滑槽设置在主体框架（1）内，所述的H桥功率单元（3.4）采用IGBT（3.4.2）作为主功率器件，与驱动电路板组装在封装框架（3.4.6）上，每层的两个IGBT（3.4.2）均固定在水冷底板（3.4.1）上，所述的支撑电容组件（3.1）由阵列式排布的多个圆筒型薄膜铝电容通过电容框架（3.5）拼装成一个整体，支撑电容组件（3.1）和H桥功率单元（3.4）通过叠层母排（3.2）并联在一起，叠层母排（3.2）两侧连接直流输入母排（4），所述的直流输入母排（4）设置在主体框架（1）侧面同时为N层H桥功率单元（3.4）供电，主体框架（1）左右两侧分布有交流输出铜排（5），主体框架（1）前部设置有冷却主管路（6），冷却主管路（6）引出的冷却支路管路（2）分布在H桥功率单元（3.4）前部，紧贴主体框架（1）前壁，端部通过卡套接头（3.4.8）连通水冷底板（3.4.1）。


2.根据权利要求1所述的一种多相H桥高功率密度变频器功率模块，其特征在于，所述的电容框架（3.5）上下侧分别设置有轨道，以卡入对应的通长滑槽，电容框架（3.5）背部设置多个方轴，以插入主体框架（1）后部的方孔实现定位。


3.根据权利要求1所述的一种多...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪正炜，汪勇，赵凯，江峰，尹传涛，
申请(专利权)人：武汉船用电力推进装置研究所中国船舶重工集团公司第七一二研究所，
类型：发明
国别省市：湖北;42