【技术实现步骤摘要】
耐压隔离版图的设计方法、系统、电子设备及存储介质
本专利技术属于版图设计
,具体涉及一种耐压隔离版图的设计方法、系统、电子设备及存储介质。
技术介绍
集成电路版图是集成电路设计中最底层步骤物理设计的成果。物理设计通过布局、布线技术将逻辑综合的成果转换成物理版图文件。集成电路版图包含了各硬件单元在芯片上的形状、面积和位置信息。在ESD(Electro-Staticdischarge,静电释放)模块、电荷泵或带隙基准电压源模块中经常用到不同的高压器件(如Mos管(MOSFET,金氧半场效晶体管)、二极管、电阻等)来进行电路版图设计。但是在电路版图设计时因为所使用的器件本身的结构与参数固定,多个器件放置在一起时容易产生多个不同的电压域,且这些电压域均处在同一个环境下,由此会使耐压值较低的器件出现反向击穿,失去单向导电的能力,从而使之后的仿真结果出现偏差。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题,本专利技术提供了一种耐压隔离版图的设计方法、系统、电子设备及存储介质。本专利技术要解决的 ...
【技术保护点】
1.一种耐压隔离版图的设计方法,其特征在于,包括:/n获取第一器件的最高耐压值;/n根据所述第一器件的最高耐压值和预设区域的电压域得到最终的版图设计。/n
【技术特征摘要】
1.一种耐压隔离版图的设计方法,其特征在于,包括:
获取第一器件的最高耐压值;
根据所述第一器件的最高耐压值和预设区域的电压域得到最终的版图设计。
2.根据权利要求1所述的耐压隔离版图的设计方法,其特征在于,根据所述第一器件的最高耐压值和预设区域的电压域得到最终的版图设计,包括:
获取所述预设区域的电压域;
判断所述第一器件的最高耐压值是否大于所述预设区域的电压域,若所述第一器件的最高耐压值大于或者等于所述预设区域的电压域,则完成所述最终的版图设计,若所述第一器件的最高耐压值小于所述预设区域的电压域,则根据所述第一器件和预设trench完成所述最终的版图设计,其中,所述预设trench包括第一trench和/或若干第二trench。
3.根据权利要求2所述的耐压隔离版图的设计方法,其特征在于,根据所述第一器件和预设trench完成所述最终的版图设计,包括:
根据所述第一器件得到第一trench;
将所述第一trench添加至所述第一器件得到所述第二器件;
根据所述第二器件的最高耐压值和所述预设区域的电压域完成所述最终的版图设计。
4.根据权利要求3所述的耐压隔离版图的设计方法,其特征在于,根据所述第二器件的最高耐压值和所述预设区域的电压域完成所述最终的版图设计,包括:
判断所述第二器件的最高耐压值是否大于所述预设区域的电压域,若所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈智,刘若曦,郭靖静,刘海波,邓广真,闫慧,
申请(专利权)人:西安翔腾微电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:陕西;61
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