【技术实现步骤摘要】
一种金属冗余图形的添加方法
本专利技术涉及光刻领域，具体涉及一种金属冗余图形的添加方法。
技术介绍
在半导体制造工艺中对线宽控制影响最大的工艺包括光刻和刻蚀，光刻后的线宽除了取决于光刻机本身的性能参数和工艺条件外，还可以借助光学邻近修正(OPC)来提高线宽均匀性，增大光刻工艺窗口。而刻蚀后线宽(AEICD,AfterEtchingInspectionCriticalDimension)不仅受到光刻后线宽和光阻轮廓的影响，还受到图形高低密度区域之间负载效应的影响。低密度图形区域的光阻较少，可与更多的刻蚀剂反应，产生较高的刻蚀速率以及较多的刻蚀副产物，从而影响刻蚀工艺后硅片表面的均匀度，使得处于图形高密度区和低密度区的相同线宽设计的金属线AEICD具有较大的差异。目前业界普遍用来添加的金属冗余图形被设计成一种或者几种固定的尺寸通过几次循环添加的方式进行添加，对于一般的版图，经过添加之后密度以及密度梯度分布一般都可以达到设计规则的最低要求。但随着集成电路特征尺寸的不断缩小，器件关键尺寸也越来越小，金属线宽(meta...
【技术保护点】
1.一种金属冗余图形的添加方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS01：提供原始版图，所述原始版图包含由金属线组成的金属层、金属层间通孔、有源区通孔和金属冗余图形阻挡层；/nS02：通过版图逻辑运算找出金属线中距离相邻金属线的距离大于等于距离阈值的金属边；/nS03：将所述金属边分别往外扩大W
【技术特征摘要】
1.一种金属冗余图形的添加方法，其特征在于，包括如下步骤：
S01：提供原始版图，所述原始版图包含由金属线组成的金属层、金属层间通孔、有源区通孔和金属冗余图形阻挡层；
S02：通过版图逻辑运算找出金属线中距离相邻金属线的距离大于等于距离阈值的金属边；
S03：将所述金属边分别往外扩大W1和W2，形成多边形m1和m2，通过逻辑运算，得出所述多边形m1和m2重叠的部分，即为临时金属冗余图形；其中，W2＝W1+S，S为该金属边所在金属线的宽度；
S04：对所述临时金属冗余图形进行后处理，即可得到待添加的金属冗余图形；
S05：通过版图逻辑运算找出步骤S04中所述金属冗余图形中距离相邻金属线的距离大于等于距离阈值的金属边，重复步骤S03-S04N次，完成原始版图中金属冗余图形的添加。
2.根据权利要求1所述的一种金属冗余图形的添加方法，其特征在于，所述步骤S02具体包括：
S021：通过版图逻辑运算找出线宽小于设定阈值的金属线；
S022：并在上述金属线中筛选出与相邻金属线的距离大于等于距离阈值的金属边。
3.根据权利要求2所述的一种金属冗余图形的添加方法，其特征在于，所述距离阈值p＝2...
【专利技术属性】
技术研发人员：张美丽，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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