一种存储器芯片的检测方法、装置和终端制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种存储器芯片的检测方法、装置和终端，所述方法包括：设置攻击模式和随机攻击参数；根据攻击模式和随机攻击参数生成随机攻击命令；根据随机攻击命令对存储器芯片进行攻击；对受到攻击后的存储器芯片进行检测，生成检测结果。能够根据需要模拟各种攻击方式，便于针对不同的攻击方式来对存储器芯片进行测试。由于攻击时能够对整个存储器芯片的随机化的任一存储单元进行攻击，因此，也能够针对整个存储器芯片进行检测。

A test method, device and terminal of memory chip

【技术实现步骤摘要】
一种存储器芯片的检测方法、装置和终端
本专利技术涉及存储器芯片测试
，具体涉及一种存储器芯片的检测方法、装置和终端。
技术介绍
随着存储器芯片的制造精度越来越高，元器件在物理层面上越来越小。然而，虽然在一块芯片存储器中能够集成更大的内存容量，但是内存单元之间会发生电磁干扰。这一情况使得对内存的单个区域进行的读写有可能干扰到邻近的区域，导致电流流入或流出邻近的内存单元。如果反复进行大量读写，有可能改变邻近内存单元的内容，使得0变成1，或者1变成0。这种现象被称为比特翻转。利用存储芯片的这种性质，对存储芯片进行的攻击，称之为比特翻转攻击。然而，比特翻转攻击存在很大的随机性和复杂性，需要对一行进行上十万次的打开与关闭动作。一方面，现有的测试方法中很难还原这种攻击方式，导致测试比较困难，测试时间长，测试不精确。另一方面，现有的测试方法无法一次性连续大范围的测试，很难检测整个存储器芯片被攻击时的状态。因此，无法有效验证存储器芯片的物理与设计技术情况。在
技术介绍
中公开的上述信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此其可能包含没有形成为本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术提供一种存储器芯片的检测方法、装置和终端，以克服或缓解
技术介绍
中存在的一个或者更多个问题，至少提供一种有益的选择。作为本专利技术的一个方面，提供了一种存储器芯片的检测方法，包括：设置攻击模式和随机攻击参数；根据所述攻击模式和所述随机攻击参数生成随机攻击命令；根据所述随机攻击命令对所述存储器芯片进行攻击；对受到攻击后的所述存储器芯片进行检测，生成检测结果。在一种实施方式中，设置随机攻击参数包括：选择所述存储器芯片的容量；根据所述存储芯片的容量选择攻击范围，所述攻击范围至少包括行地址范围和列地址范围中的其中一种；以及设置攻击次数。在一种实施方式中，根据所述随机攻击命令对所述存储器芯片进行攻击，包括：任选奇数条字线形成一组字线，选取每组字线中位于中间位置的字线；根据所述随机攻击命令对每组位于中间位置的字线进行攻击。在一种实施方式中，对受到攻击后的所述存储器芯片进行检测，生成检测结果，包括：对被攻击字线的行地址及其相邻字线的行地址进行检测；若所述相邻字线的行地址与所述被攻击字线的行地址不同，则对所述存储器芯片形成攻击，且对所述相邻字线产生影响。在一种实施方式中，对受到攻击后的所述存储器芯片进行检测，生成检测结果，包括：对被攻击字线的行地址及其间隔字线的行地址进行检测；若所述相邻字线的行地址与所述被攻击字线的行地址不同，则对所述存储器芯片攻击完成。本专利技术还提供了一种存储器芯片的检测装置，包括：攻击设置模块，用于设置攻击模式和随机攻击参数；攻击命令生成模块，用于根据所述攻击模式和所述随机攻击参数生成随机攻击命令；随机攻击模块，用于根据所述随机攻击命令对所述存储器芯片进行攻击；攻击检测模块，用于对受到攻击后的所述存储器芯片进行检测，生成检测结果。在一种实施方式中，所述攻击设置模块包括：芯片容量设置单元，用于选择所述存储器芯片的容量；攻击范围设置单元，用于根据所述存储芯片的容量选择攻击范围，所述攻击范围至少包括行地址范围和列地址范围中的其中一种；攻击次数设置单元，用于设置攻击次数。在一种实施方式中，所述随机攻击模块包括：字线组合单元，用于任选奇数条字线形成一组字线，选取每组字线中位于中间位置的字线；字线攻击单元，用于根据所述随机攻击命令对每组位于中间位置的字线进行攻击。在一种实施方式中，所述攻击检测模块包括：对被攻击字线的行地址及其相邻字线的行地址进行检测；若所述相邻字线的行地址与所述被攻击字线的行地址不同，则对所述存储器芯片攻击完成。在一种实施方式中，所述攻击检测模块包括：对被攻击字线的行地址及其间隔字线的行地址进行检测；若所述相邻字线的行地址与所述被攻击字线的行地址不同，则对所述存储器芯片攻击完成。本专利技术还提供了一种存储器芯片的检测终端，包括如上述所述的装置。本专利技术采用上述技术方案，具有如下优点：能够根据需要模拟各种攻击方式，便于针对不同的攻击方式来对存储器芯片进行测试。由于攻击时能够对整个存储器芯片的随机化的任一存储单元进行攻击，因此，也能够针对整个存储器芯片进行检测。上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本专利技术进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。附图说明在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本专利技术公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本专利技术范围的限制。图1绘示本专利技术实施例提供的存储器芯片的检测方法流程图；图2绘示本专利技术实施例提供的受到攻击的存储器芯片之后的翻转示意图。图3绘示本专利技术实施例提供的受到攻击的存储器芯片之后的翻转示意图。图4绘示本专利技术实施例提供的一种存储芯片测试电路装置的示意图。图5绘示本专利技术实施例提供的存储器芯片的检测结构框图。具体实施方式在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本专利技术的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器芯片的检测方法，其特征在于，包括：/n设置攻击模式和随机攻击参数；/n根据所述攻击模式和所述随机攻击参数生成随机攻击命令；/n根据所述随机攻击命令对所述存储器芯片进行攻击；/n对受到攻击后的所述存储器芯片进行检测，生成检测结果。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器芯片的检测方法，其特征在于，包括：
设置攻击模式和随机攻击参数；
根据所述攻击模式和所述随机攻击参数生成随机攻击命令；
根据所述随机攻击命令对所述存储器芯片进行攻击；
对受到攻击后的所述存储器芯片进行检测，生成检测结果。


2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，设置随机攻击参数包括：
选择所述存储器芯片的容量；
根据所述存储芯片的容量选择攻击范围，所述攻击范围至少包括行地址范围和列地址范围中的其中一种；以及
设置攻击次数。


3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述随机攻击命令对所述存储器芯片进行攻击，包括：
任选奇数条字线形成一组字线，选取每组字线中位于中间位置的字线；
根据所述随机攻击命令对每组位于中间位置的字线进行攻击。


4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，对受到攻击后的所述存储器芯片进行检测，生成检测结果，包括：
对被攻击字线的行地址及其相邻字线的行地址进行检测；
若所述相邻字线的行地址与所述被攻击字线的行地址不同，则对所述存储器芯片攻击完成。


5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，对受到攻击后的所述存储器芯片进行检测，生成检测结果，包括：
对被攻击字线的行地址及其间隔字线的行地址进行检测；
若所述间隔字线的行地址与所述被攻击字线的行地址不同，则对所述存储器芯片完成攻击。


6.一种存储器芯片的检测装置，其特征在于，包括：
攻击设置模块，用于设置攻击...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆天辰，郭睿原，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34