电磁屏蔽膜制造技术

本实用新型专利技术公开一种电磁屏蔽膜，其包括屏蔽层；所述屏蔽层内嵌有至少三层导电网格，每层导电网格均为随机网格且任意两层所述导电网格在平行于所述屏蔽层的投影面上不完全重叠；其中，所述屏蔽层中至少有三层所述导电网格为具有不同导电材料的导电网格。不同层具有不同的导电材料从而具有不同的屏蔽波段，从而加长了电磁屏蔽膜的屏蔽波段，更能满足市场需求。

【技术实现步骤摘要】
电磁屏蔽膜
本技术涉及电子技术，更具体地讲，本技术涉及一种电磁屏蔽膜。
技术介绍
近年来，伴随着信息化社会的快速发展，与信息相关联的电子设备急速发展，对航天航空设备、先进光学仪器、通讯设备、医疗诊断仪器等的电磁屏蔽要求越来越高。然而，现有的电磁屏蔽膜的屏蔽波段窄，随着电磁干扰技术的不断更新，容易被干扰信号击透而失去屏蔽效果。鉴于此，本技术通过改善电磁屏蔽膜以解决所存在的技术问题。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种电磁屏蔽膜以解决上述的技术问题。本技术的一个技术方案是：一种电磁屏蔽膜，其包括：屏蔽层，所述屏蔽层内嵌有至少三层导电网格，每层导电网格均为随机网格且任意两层所述导电网格在平行于所述屏蔽层的投影面上不完全重叠；其中，所述屏蔽层中至少有三层所述导电网格为具有不同导电材料的导电网格。在其中一实施例中，每层所述导电网格的导电材料均不同。在其中一实施例中，所述屏蔽层包括多层导电层，每层所述导电层具有一层所述导电网格，所述导电层包括在聚合物上形成的网格状沟槽及填充于所述沟槽内的导电材料以形成所述导电网格，相邻两层所述导电层的聚合物之间具有融合部分。在其中一实施例中，所述聚合物为UV胶，所述网格状沟槽为在所述UV胶上压印成型的沟槽。在其中一实施例中，所述沟槽的截面形状为矩形或倒梯形。在其中一实施例中，所述沟槽的至少一侧壁为倾斜的弧形侧壁。在其中一实施例中，所述沟槽的深宽比≥1。在其中一实施例中，所述屏蔽层包括的导电网格层数范围为3-20。在其中一实施例中，还包括承载层，所述屏蔽层设置于所述承载层上，所述电磁屏蔽膜的厚度范围为80-150μm。在其中一实施例中，所述承载层的两侧均设置有所述屏蔽层。本技术的有益效果：不同层具有不同的导电材料从而具有不同的屏蔽波段，从而加长了电磁屏蔽膜的屏蔽波段，更能满足市场需求。附图说明图1为本技术电磁屏蔽膜的截面示意图；图2为图1所示电磁屏蔽膜的第一导电层的平面示意图；图3为图1所示电磁屏蔽膜的第二导电层的平面示意图；图4为图1所示电磁屏蔽膜的第三导电层的平面示意图；图5为图1所示电磁屏蔽膜的平面示意图；图6为本技术电磁屏蔽膜的原理示意图；图7为本技术电磁屏蔽膜的另一种截面示意图；图8为本技术电磁屏蔽膜的另一种截面示意图；图9为本技术电磁屏蔽膜的另一种截面示意图；图10为本技术电磁屏蔽膜的另一种截面示意图；图11为本技术电磁屏蔽膜的另一种截面示意图；图12为本技术电磁屏蔽膜的另一种平面示意图。具体实施方式为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳实施方式。但是，本技术可以通过许多不同的形式来实现，并不限于下面所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本技术的公开内容理解的更加透彻全面。需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本技术揭示一种电磁屏蔽膜，其包括屏蔽层。屏蔽层内嵌有至少三层导电网格，每层导电网格均为随机网格且任意两层导电网格在平行于屏蔽层的投影面上不完全重叠；其中，屏蔽层中至少有三层导电网格为具有不同导电材料的导电网格。不同导电材料对于不同波段的吸收率不同，此处不同，是指一种导电材料对于一波段的吸收率大于其他波段，则两种导电材料对于吸收率大的波段范围不同，则认为电磁屏蔽膜的有效屏蔽波段就是这两种导电材料的屏蔽波段的叠加，从而加宽了电磁屏蔽膜的屏蔽波段，更能满足市场需求。其中一个实施例中，每层导电网格的导电材料均不同。其中一个实施例中，屏蔽层包括多层导电层，每层导电层具有一层导电网格，导电层包括在聚合物上形成的网格状沟槽及填充于沟槽内的导电材料以形成导电网格，相邻两层导电层的聚合物之间具有融合部分。屏蔽层为一体结构，从而性能稳定，保证屏蔽效果。其中一个实施例中，聚合物为UV胶，网格状沟槽为在UV胶上压印成型的沟槽。当然，也可以用其他成型方式形成沟槽。其中一个实施例中，沟槽的截面形状为矩形或倒梯形，进一步的，沟槽的至少一侧壁为倾斜的弧形侧壁，可方便压印模具的脱模，保证沟槽成型质量。其中一个实施例中，沟槽的深宽比≥1，保证导电网格的导电性能，屏蔽性能更加优秀。其中一个实施例中，屏蔽层包括的导电网格层数范围为3-20。其中一个实施例中，还包括承载层，屏蔽层设置于所述承载层上，电磁屏蔽膜的厚度范围为80-150μm。其中一个实施例中，承载层的两侧均设置有屏蔽层。承载层可包括第一侧面和相对设置的第二侧面，屏蔽层可设置于第一侧面和第二侧面。其中一个实施例中，每一层填充的导电材料可以完全不同，也可以部分不同，导电材料包括金属、金属氧化物、化合物导电材料或有机导电材料中的一种或几种的组合。金属比如为Ag、Gu、Al、Zn、Ni、Fe，金属氧化物比如为Al2O3，化合物导电材料比如为ITO，有机导电材料比如为PEDOT。其中一个实施例中，至少两层导电层的导电层材料的种类和/或含量不同。导电材料的种类不同可以屏蔽的波段不同，导电材料的种类相同但各组份的含量不同也可以屏蔽不同的波段。其中一个实施例中，承载层为玻璃、有机玻璃、PET、PC、PMMA或复合板材，所述承载层为透明基材。其中一个实施例中，N层导电层中每一层导电层分别设有外接导电部，可通过外接FPC软板或另设的搭接部实现电性连接。搭接部通过丝印、喷墨打印、溅射、蒸镀等方式形成。其中一个实施例中，沟槽中填充有两层或以上填充材料，其中至少一层为导电材料。比如，沟槽中依次填充活性聚合物和导电金属材料。其中一个实施例，沟槽的深度范围为1-20μm，所述沟槽的宽度范围为1-20μm，导电层的厚度范围为3-50μm。各层的厚度和沟槽大小可相同或不同，例如，每一层导电层的厚度为3μm，沟槽宽度为1μm，深度为2μm。以下，请参图示，举例描述本技术的电磁屏蔽膜。请参图1-6，电磁屏蔽膜100包括承载层1、第一导电层2、第二导电层3和第三导电层4。承载层1包括相对设置的第一侧面11和第二侧面12，第一导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电磁屏蔽膜，其特征在于，其包括：/n屏蔽层，所述屏蔽层内嵌有至少三层导电网格，每层导电网格均为随机网格且任意两层所述导电网格在平行于所述屏蔽层的投影面上不完全重叠；/n其中，所述屏蔽层中至少有三层所述导电网格为具有不同导电材料的导电网格。/n

【技术特征摘要】
1.一种电磁屏蔽膜，其特征在于，其包括：
屏蔽层，所述屏蔽层内嵌有至少三层导电网格，每层导电网格均为随机网格且任意两层所述导电网格在平行于所述屏蔽层的投影面上不完全重叠；
其中，所述屏蔽层中至少有三层所述导电网格为具有不同导电材料的导电网格。


2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，每层所述导电网格的导电材料均不同。


3.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽层包括多层导电层，每层所述导电层具有一层所述导电网格，所述导电层包括在聚合物上形成的网格状沟槽及填充于所述沟槽内的导电材料以形成所述导电网格，相邻两层所述导电层的聚合物之间具有融合部分。


4.根据权利要求3所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述聚合物为UV胶，所述网格状沟...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晟，
申请(专利权)人：昇印光电昆山股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32