【技术实现步骤摘要】
存储器控制器及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年11月22日提交的申请号为10-2018-0145784的韩国专利申请的优先权，其全部公开内容通过引用整体并入本文。
本公开总体涉及一种电子装置，且更特别地，涉及一种存储器控制器及其操作方法。
技术介绍
存储装置在诸如计算机、智能电话或智能平板的主机装置的控制下存储数据。存储装置包括诸如硬盘驱动器(HDD)的用于将数据存储在磁盘上的装置，或者诸如固态驱动器(SSD)或存储卡的用于将数据存储在半导体存储器，即非易失性存储器上的装置。存储装置可包括用于存储数据的存储器装置和用于控制存储器装置的存储器控制器。存储器装置分为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)以及铁电RAM(FRAM)等。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种存储器控制器，包括：/n请求消息控制器，响应于主机的请求而生成命令或控制信号；/n延迟时间确定器，当所述请求是清除请求时，基于在所述清除请求之前最后接收的清除请求与所述清除请求之间接收的写入请求的数量来生成延迟信息；以及/n响应消息控制器，基于所述延迟信息来生成对应于所述清除请求的清除响应。/n
【技术特征摘要】
20181122 KR 10-2018-01457841.一种存储器控制器，包括：
请求消息控制器，响应于主机的请求而生成命令或控制信号；
延迟时间确定器，当所述请求是清除请求时，基于在所述清除请求之前最后接收的清除请求与所述清除请求之间接收的写入请求的数量来生成延迟信息；以及
响应消息控制器，基于所述延迟信息来生成对应于所述清除请求的清除响应。
2.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中所述请求消息控制器：
当所述请求是所述清除请求时，生成清除控制信号；并且
当所述请求是写入请求时，生成写入命令。
3.根据权利要求2所述的存储器控制器，其中当所述延迟时间确定器接收到所述清除控制信号时，所述延迟时间确定器生成所述延迟信息。
4.根据权利要求2所述的存储器控制器，其中当所述延迟时间确定器接收到所述清除控制信号时，所述延迟时间确定器基于与在所述最后接收的清除请求和所述清除请求之间接收的写入请求相对应的写入命令的数量来生成所述延迟信息。
5.根据权利要求4所述的存储器控制器，其中当所述写入命令的数量大于或等于参考数量时，所述响应消息控制器延迟所述清除响应。
6.根据权利要求4所述的存储器控制器，其中所述响应消息控制器基于所述写入命令的数量来确定所述清除响应的延迟时间。
7.根据权利要求2所述的存储器控制器，其中所述延迟时间确定器包括：
计数器，对所述写入命令的数量进行计数；
延迟表，存储关于是否将延迟与通过对所述写入命令的数量进行计数而获得的计数值相对应的所述清除响应以及所述清除响应的延迟时间的信息；以及
延迟信息生成器，生成所述延迟信息，
其中基于所述计数值和所述延迟表中存储的信息之中的对应于所述计数值的信息，所述延迟信息包括关于是否将延迟所述清除响应的信息，并且如果延迟，则包括关于所述清除响应的延迟时间的信息。
8.根据权利要求7所述的存储器控制器，其中当逐一输入所述写入命令时，所述计数器将所述计数值增加1，并且当所述清除控制信号被输入到所述计数器时，所述计数器将所述计数值提供到所述延迟信息生成器。
9.根据权利要求8所述的存储器控制器，其中当所述计数器将所述计数值提供到所述延迟信息生成器时，所述计数器将所述计数值初始化为0。
10.根据权利要求7所述的存储器控制器，其中当所述延迟信息包括不延迟所述清除响应的信息时，在所述响应消息控制器接收到所述延迟信息之后，所述响应消息控制器将所述清除响应输出到所述主机。
11.根据权利要求7所述的存储器控制器，其中当所述延迟信息包括延迟所述清除响应的信息和关于所述清除响应的延迟时间的信息时，所述响应消息控制器在经过所述延迟时间之后将所述清除响应输出到所述主机。
12.一种操作存储器控制器的方法，所述存储器控制器基于来自主机的请求来控制存...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑相焄，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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