像素结构、阵列基板、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本申请提供了一种像素结构、阵列基板、显示面板及显示装置，所述像素结构包括两条平行于第一方向的数据线和两条平行于第二方向的两条栅极线，两条数据线与两条栅极线围成像素区域，两条所述数据线之间设有沿第一方向延伸的第一公共电极，第一公共电极与数据线同层设置。本申请提供的像素结构，通过增加与数据线同层的第一公共电极，在保证存储电容不变的情况下，可以减小整个公共电极的面积，从而增加像素的开口率，而且可以相应地减小用于覆盖第一公共电极的竖向黑色矩阵的宽度，相当于增加了像素宽度与竖向黑色矩阵宽度的比值，从而减弱透光光栅，进而减少重影现象；由于第一公共电极与第二公共电极的方向垂直，使得整个公共电极的稳定性增强。

Pixel structure, array substrate, display panel and display device

【技术实现步骤摘要】
像素结构、阵列基板、显示面板及显示装置
本申请涉及液晶显示
，具体而言，本申请涉及一种像素结构、阵列基板、显示面板及显示装置。
技术介绍
随着车载屏幕的发展，越来越多的屏幕正应用在汽车上。透明车窗正逐渐走进大众的视野。汽车的透明车窗显示，在当成普通车窗使用时(不显示图像)，通常选用常白模式(TN)，对透过率要求极高。现有的TN型像素结构为数据线和栅极线分别对应相应的像素结构(如图1所示)，像素结构的剖面图如图2所示；其中，图2中的GI表示栅极绝缘层，GLASS表示玻璃基板(不包括在像素结构内)，PVX为钝化层。TN型像素结构影响像素开口率的原因主要是存储电容，存储电容由像素电极和COM电极形成。此外，在通过透明车窗观察窗外的物体时，由于竖向黑色矩阵的存在，相当于透过光栅来观察，由于光线的干涉，容易造成重影的现象。
技术实现思路
本申请针对现有方式的缺点，提出一种像素结构、阵列基板、显示面板及显示装置，用以解决现有TN型像素结构开口率不高且对应的显示装置易产生重影的技术问题。第一个方面，本申请实施例提供了一种像素结构，包括：两条平行于第一方向的数据线和两条平行于第二方向的两条栅极线，所述第一方向与所述第二方向垂直，两条所述数据线与两条所述栅极线围成像素区域；两条所述数据线之间设有沿所述第一方向延伸的第一公共电极，所述第一公共电极与所述数据线同层设置，用于与外围公共电极连接；两条所述栅极线之间设有沿所述第二方向延伸的第二公共电极，所述第二公共电极与所述栅极线同层设置，用于与所述外围公共电极连接；所述第一公共电极和所述第二公共电极将所述像素区域划分成四个像素单元，每个所述像素单元内均布置有一像素电极，所述像素电极与所述第一公共电极、以及所述第二公共电极共同形成存储电容。作为一个可选的实现方式，每个所述像素单元内均对应设置有一薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述数据线与所述栅极线的交汇处，所述薄膜晶体管分别与对应的所述数据线、所述栅极线以及所述像素电极相连接；所述第一公共电极从靠近所述栅极线的位置沿第二方向分别延伸至所述第一公共电极的两侧的所述薄膜晶体管处。作为一个可选的实现方式，两条所述数据线关于所述第一公共电极对称布置，两条所述栅极线关于所述第二公共电极对称布置。第二个方面，本申请实施例提供了另一种像素结构，包括：两条平行于第一方向的数据线和两条平行于第二方向的两条栅极线，所述第一方向与所述第二方向基本垂直，两条所述数据线与两条所述栅极线围成像素区域；两条所述数据线之间设有沿所述第一方向延伸的第一公共电极，所述第一公共电极与所述数据线同层设置，用于与外围公共电极连接；两条所述栅极线之间设有沿所述第二方向延伸的第二公共电极，所述第二公共电极与所述栅极线同层设置，用于与所述外围公共电极连接；与所述栅极线同层的平面内还设有第三公共电极，所述第三公共电极与所述第二公共电极连接，所述第三公共电极沿着所述像素区域的边界呈环形布置；所述第一公共电极和所述第二公共电极将所述像素区域划分成四个像素单元，每个所述像素单元内均布置有一像素电极，所述像素电极与所述第一公共电极、第二公共电极以及所述第三公共电极共同形成存储电容。第三方面，本申请实施例提供了一种阵列基板，包括：基板以及多个第一方面所述的像素结构，多个所述像素结构在所述基板上呈阵列排布；各所述像素结构的第一公共电极和第二公共电极均与外围公共电极相连接。第四方面，本申请实施例提供了一种显示面板，包括彩膜基板以及第三方面所述的阵列基板，所述彩膜基板与所述阵列基板对应布置。作为一个可选的实现方式，所述彩膜基板包括黑色矩阵，所述黑色矩阵在所述阵列基板中的投影覆盖于各栅极线、各数据线、各第一公共电极以及各第二公共电极。作为一个可选的实现方式，所述彩膜基板与所述阵列基板之间布置有多个柱状隔垫物，所述柱状隔垫物在所述黑色矩阵中的投影位于用于覆盖所述数据线的黑色矩阵和/或用于覆盖所述栅极线的黑色矩阵中。作为一个可选的实现方式，所述柱状隔垫物在所述黑色矩阵中的投影位于用于覆盖所述数据线的黑色矩阵的中心位置和/或用于覆盖所述栅极线的黑色矩阵的中心位置。作为一个可选的实现方式，所述彩膜基板中还布置有与所述像素电极一一对应的色阻，对应于同一所述像素结构的四个所述色阻中，沿所述第一方向相邻的两个所述色阻的颜色相同或者沿所述第二方向相邻的两个所述色阻的颜色相同。第五方面，本申请实施例提供了一种显示装置，包括第四方面所述的显示面板。本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：本申请实施例中提供的像素结构，通过增加与数据线同层的第一公共电极，在保证存储电容不变的情况下，可以减小整个公共电极的面积，从而增加像素的开口率；同时可通过减小用于覆盖第一公共电极的竖向黑色矩阵的宽度，相当于增加了像素宽度与竖向黑色矩阵宽度的比值，从而减弱透光光栅，进而减少重影现象；由于在栅极层取消了沿数据线方向的公共电极，可减小用于覆盖数据线的竖向黑色矩阵的宽度，进一步增加像素宽度与竖向黑色矩阵宽度的比值；由于第一公共电极与第二公共电极的方向垂直，使得整个公共电极的稳定性增强。本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。附图说明本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1为现有技术中提供的一种像素结构的阵列排布示意图；图2为现有技术中提供的一种像素结构沿图1中A-A的截面示意图；图3为本申请实施例提供的一种像素结构的结构示意图；图4为本申请实施例提供的一种像素结构的阵列排布示意图；图5为本申请实施例提供的一种像素结构沿图4中B-B的截面示意图；图6为本申请实施例提供的一种像素结构的内部结构示意图；图7为本申请实施例提供的一种阵列基板的第一公共电极的连接示意图；图8为本申请实施例提供的一种阵列基板的第二公共电极的连接示意图；图9为本申请另一实施例提供的一种像素结构的内部结构示意图；图10为本申请另一实施例提供的一种像素结构沿图9中C-C的截面示意图；图11为本申请实施例提供的一种显示面板的截面示意图；图12为本申请实施例提供的一种显示面板的彩膜基板中黑色矩阵的分布示意图；图13为本申请实施例提供的一种显示面板的彩膜基板中色阻的分布示意图；图14为本申请实施例提供的一种显示面板的柱状隔垫物在黑色矩阵中的投影示意图；图15为本申请另一实施例提供的一种显示面板的柱状隔垫物在黑色矩阵中的投影示意图；图16为本申请又一实施例提供的一种显示面板的柱状隔垫物在黑色矩阵中的投影示意图。其中：1-阵列基板；10-像素结构；100-数据线；101-栅极线；102-像素区域；103-第一公共电极；104-第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素结构(10)，其特征在于，包括：两条平行于第一方向的数据线(100)和两条平行于第二方向的两条栅极线(101)，所述第一方向与所述第二方向垂直，两条所述数据线(100)与两条所述栅极线(101)围成像素区域(102)；/n两条所述数据线(100)之间设有沿所述第一方向延伸的第一公共电极(103)，所述第一公共电极(103)与所述数据线(100)同层设置，用于与外围公共电极连接；/n两条所述栅极线(101)之间设有沿所述第二方向延伸的第二公共电极(104)，所述第二公共电极(104)与所述栅极线(101)同层设置，用于与所述外围公共电极连接；/n所述第一公共电极(103)和所述第二公共电极(104)将所述像素区域(102)划分成四个像素单元，每个所述像素单元内均布置有一像素电极(105)，所述像素电极(105)与所述第一公共电极(103)、以及所述第二公共电极(104)共同形成存储电容。/n

【技术特征摘要】
1.一种像素结构(10)，其特征在于，包括：两条平行于第一方向的数据线(100)和两条平行于第二方向的两条栅极线(101)，所述第一方向与所述第二方向垂直，两条所述数据线(100)与两条所述栅极线(101)围成像素区域(102)；
两条所述数据线(100)之间设有沿所述第一方向延伸的第一公共电极(103)，所述第一公共电极(103)与所述数据线(100)同层设置，用于与外围公共电极连接；
两条所述栅极线(101)之间设有沿所述第二方向延伸的第二公共电极(104)，所述第二公共电极(104)与所述栅极线(101)同层设置，用于与所述外围公共电极连接；
所述第一公共电极(103)和所述第二公共电极(104)将所述像素区域(102)划分成四个像素单元，每个所述像素单元内均布置有一像素电极(105)，所述像素电极(105)与所述第一公共电极(103)、以及所述第二公共电极(104)共同形成存储电容。


2.根据权利要求1所述的像素结构(10)，其特征在于，每个所述像素单元内均对应设置有一薄膜晶体管(106)，所述薄膜晶体管(106)位于所述数据线(100)与所述栅极线(101)的交汇处，所述薄膜晶体管(106)分别与对应的所述数据线(100)、所述栅极线(101)以及所述像素电极(105)相连接；
所述第一公共电极(103)从靠近所述栅极线(101)的位置沿第二方向分别延伸至所述第一公共电极(103)两侧的所述薄膜晶体管(106)处。


3.根据权利要求1所述的像素结构(10)，其特征在于，两条所述数据线(100)关于所述第一公共电极(103)对称布置，两条所述栅极线(101)关于所述第二公共电极(104)对称布置。


4.一种像素结构(10)，其特征在于，包括：两条平行于第一方向的数据线(100)和两条平行于第二方向的两条栅极线(101)，所述第一方向与所述第二方向基本垂直，两条所述数据线(100)与两条所述栅极线(101)围成像素区域(102)；
两条所述数据线(100)之间设有沿所述第一方向延伸的第一公共电极(103)，所述第一公共电极(103)与所述数据线(100)同层设置，用于与外围公共电极连接；
两条所述栅极线(101)之间设有沿所述第二方向延伸的第二公共电极(104)，所述第二公共电极(104)与所述栅极线(101)同层设置，用于与所述外围公共电极连接；与所述栅极线(10...

【专利技术属性】
技术研发人员：臧鹏程，曹中林，徐元杰，何静，石博，李瑶，李挺，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11