一种硅-蓝宝石单芯体压差传感器制造技术

一种硅‑蓝宝石单芯体压差传感器，属于传感器制造技术领域，本发明专利技术为解决现有压差传感器不耐高温、固有频率低的问题。包括芯体和柱塞头引压腔结构；芯体包括敏感芯片、感压膜片、上下承压膜片、上下支撑柱和转接环组件；柱塞头引压腔结构包括上盖、连接管、柱塞头接口和下套管；柱塞头引压腔结构密封腔内安装芯体，上盖和连接管内侧密封腔为负压腔，连接管、柱塞头接口和下套管内侧密封腔为正压腔；上承压膜片和下承压膜片分别接收正压腔和负压腔介质压力，将压力信号通过上下支撑柱连接形成的支撑结构传递至感压膜片，感压膜片根据两个压力信号形成的压差信号产生形变，该形变引起敏感芯片电阻阻值变化，作为输出测量值。本发明专利技术用于压力检测。

A silicon sapphire single core differential pressure sensor

【技术实现步骤摘要】
一种硅-蓝宝石单芯体压差传感器
本专利技术涉及一种硅-蓝宝石单芯体压差传感器，属于传感器制造

技术介绍
硅-蓝宝石传感器因其耐高温、抗腐蚀、抗辐照和高可靠性被广泛用于航空、航天、石油、化工等领域，不仅可以用于发动机的压力检测，还可用于各种高温耐热的腔体和表面的压力检测，是高端设备的压力监测及控制系统中的关键基础部件。目前常见的硅-蓝宝石压差传感器均为双芯体集成产品，不仅体积大、对称性差，而且需要通过差分运放电路进行取差运算，不仅增加了成本、增加了尺寸，还大幅降低了可靠性和稳定性。现有技术中仅见的单芯体硅-蓝宝石压差芯体采用的是芯片与金属膜片烧结，膜片侧为正压端，芯片表面为负压端，芯片表面电阻条直接接触被测介质，所以只能用于被测介质为氮气等惰性气体的差压测量。而且芯片表面引线直接接触介质，容易断裂，可靠性低。常见的单芯体压差传感器均为硅芯片制作的腰鼓式充油芯体，由于其材质和结构因素影响，该类传感器通常不耐高温(使用温度在-40℃～120℃之间)且固有频率低(通常为2kHz～3kHz)。专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅-蓝宝石单芯体压差传感器，其特征在于，它包括芯体和柱塞头引压腔结构；/n所述芯体包括敏感芯片(101)、感压膜片(103)、上承压膜片(201)、上支撑柱(203)、转接环组件(204)、下支撑柱(206)和下承压膜片(207)；/n上承压膜片(201)安装在上支撑柱(203)外侧，下承压膜片(207)安装在下支撑柱(206)外侧，通过上支撑柱(203)和下支撑柱(206)之间的连接，使上承压膜片(201)和下承压膜片(207)组成一个内部为空腔的圆柱体，敏感芯片(101)、感压膜片(103)和转接环组件(204)安装在所述圆柱体的空腔内，敏感芯片(101)与感压膜片(103)烧结为...

【技术特征摘要】
1.一种硅-蓝宝石单芯体压差传感器，其特征在于，它包括芯体和柱塞头引压腔结构；
所述芯体包括敏感芯片(101)、感压膜片(103)、上承压膜片(201)、上支撑柱(203)、转接环组件(204)、下支撑柱(206)和下承压膜片(207)；
上承压膜片(201)安装在上支撑柱(203)外侧，下承压膜片(207)安装在下支撑柱(206)外侧，通过上支撑柱(203)和下支撑柱(206)之间的连接，使上承压膜片(201)和下承压膜片(207)组成一个内部为空腔的圆柱体，敏感芯片(101)、感压膜片(103)和转接环组件(204)安装在所述圆柱体的空腔内，敏感芯片(101)与感压膜片(103)烧结为一体，敏感芯片(101)的电极通过导电金属丝(205)连接转接环组件(204)，转接环组件(204)通过导线(202)将电信号引出；
所述柱塞头引压腔结构包括上盖(301)、连接管(302)、柱塞头接口(303)和下套管(304)；
上盖(301)、连接管(302)、柱塞头接口(303)和下套管(304)从上至下依次连接为一体，内部形成密封腔，密封腔内安装芯体，上盖(301)和连接管(302)内侧的密封腔为负压腔，连接管(302)、柱塞头接口(303)和下套管(304)内侧的密封腔为正压腔；
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【专利技术属性】
技术研发人员：王俊巍，马明宇，丁文波，谢胜秋，张冬梅，孙凤玲，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十九研究所，
类型：发明
国别省市：黑龙;23