一种基于一维多层人工电磁结构的TM与TE波分离器制造技术

技术编号:24304001 阅读:83 留言:0更新日期:2020-05-26 22:52
本实用新型专利技术公开了一种基于一维多层人工电磁结构的TM与TE波分离器,属于电磁技术领域。它包括集成基片,所述集成基片上设有一维多层电磁结构,所述一维多层电磁结构为(AB)

A TM and TE wave separator based on one-dimensional multilayer artificial electromagnetic structure

【技术实现步骤摘要】
一种基于一维多层人工电磁结构的TM与TE波分离器
本技术属于电磁
,具体地说,涉及一种基于一维多层人工电磁结构的TM与TE波分离器。
技术介绍
虽然40多年前Veselago提出负折射率概念,但由于自然界中不存在负折射材料,直到1996年,Pendry提出了实现负折射材料方法,Smith于2002年首次通过实验的方法实现负折射率后,人工电磁材料的研究受到越来越多的重视。由于人工电磁材料电磁参数的可变性,如可实现负电磁参数材料,单负介电常数材料(ε<0,μ>0)、单负磁导率材料(ε>0,μ<0)、渐变电磁参数材料等,电磁波在人工光介质中的性质得到了发现和研究,如人们在理论在研究了人工电磁材料的新颖特性和潜在应用,如用负折射率材料可以制作成超级透镜实现电光源的完美成像、超级波导、电磁波的旋转、电磁波的分裂、电磁隐身等。虽然电磁波在人工材料的特性有很多潜在应用,但这些特性的讨论和研究绝大多数是基于理想的各向同性的电磁参数,而实际的人工电磁材料是通过周期性的或非周期性的结构组成,由于结构的不对称性,在制作中获得各向同性的电磁参数非常困难,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于一维多层人工电磁结构的TM与TE波分离器,包括集成基片,其特征在于,所述集成基片上设有一维多层电磁结构,所述一维多层电磁结构为(AB)

【技术特征摘要】
1.一种基于一维多层人工电磁结构的TM与TE波分离器,包括集成基片,其特征在于,所述集成基片上设有一维多层电磁结构,所述一维多层电磁结构为(AB)n型,A介质层为负介电常数材料层,B介质层为双轴各向异性人工电磁材料层,n为大于1的自然数。


2.根据权利要求1所述的基于一维多层人工电磁结构的TM与TE波分离器,其特征在于,A介质层的介电常数为其中ωpe是电等离子体的振荡频率,ω为入射电磁波的频率;B介质层的介电常数为其中εrx、εry、εrz为分别是主对角线上的相对介电常数。


3.根据权利要求1或2所述的基于一维多层人工电磁结构的TM与TE波分离器,其特征在于,n为10。


4.根据权利要求1或2所述的基于一维多层人工电磁结构的TM与...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨慧舟余观夏祝宇佳楚生玺
申请(专利权)人:南京林业大学
类型:新型
国别省市:江苏;32

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