加热器封装体制造技术

本发明专利技术公开一种加热器封装体，其包括基板、第一阻障层、至少一加热器以及第二阻障层。第一阻障层配置于基板的一表面上，且在远离基板的一侧具有第一处理层。加热器配置于基板上，且加热器包括加热层以及至少一电极，其中电极与加热层相互接触。第二阻障层覆盖加热器的上表面以及侧壁，且在远离基板的该侧或相对的另一侧具有第二处理层。第一处理层的厚度与第一阻障层的厚度比例以及第二处理层的厚度与第二阻障层的厚度比例介于0.03至0.2。

Heater package

【技术实现步骤摘要】
加热器封装体
本专利技术涉及一种加热器封装体。
技术介绍
电加热技术具有热转换效率高及铺装设计方便等优点，在现代建筑工程、家电与装饰装修等领域获得广泛应用。近年来，因应车用及智能可穿戴装置的兴起，可挠式加热器的研究逐渐受到重视。然而，加热器中的电极及/或加热层容易受到水氧的影响而损坏，如何通过封装技术提升加热器对水氧的阻障效果，并由此调整应力使加热器封装体应力平衡而不易翘曲，进而增进加热器封装体的可靠度及其寿命，实为关键。
技术实现思路
本专利技术一实施例提供一种加热器封装体，此加热器封装体可具有良好的阻障性质以及应力平衡状态。本专利技术一实施例的加热器封装体包括基板、第一阻障层、至少一加热器以及第二阻障层。第一阻障层配置于基板的一表面上，且在远离基板的一侧具有第一处理层。加热器配置于基板上，且加热器包括加热层以及至少一电极，其中电极与加热层相互接触。第二阻障层覆盖加热器的上表面以及侧壁，且在远离该基板的该侧或相对的另一侧具有第二处理层。第一处理层的厚度与第一阻障层的厚度比例以及第二处理层的厚度与第二阻障层的厚度比例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种加热器封装体，其特征在于，包括：/n基板；/n第一阻障层，配置于该基板的表面上，该第一阻障层在远离该基板的一侧具有第一处理层；/n至少一加热器，配置于该基板上，该至少一加热器包括加热层以及至少一电极，其中该至少一电极与该加热层相互接触；以及/n第二阻障层，覆盖该至少一加热器的上表面以及侧壁，该第二阻障层在远离该基板的该侧或相对的另一侧具有第二处理层，/n其中该第一处理层的厚度与该第一阻障层的厚度比例以及该第二处理层的厚度与该第二阻障层的厚度比例介于0.03至0.2。/n

【技术特征摘要】
20191008 TW 108136359;20181116 US 62/768,1141.一种加热器封装体，其特征在于，包括：
基板；
第一阻障层，配置于该基板的表面上，该第一阻障层在远离该基板的一侧具有第一处理层；
至少一加热器，配置于该基板上，该至少一加热器包括加热层以及至少一电极，其中该至少一电极与该加热层相互接触；以及
第二阻障层，覆盖该至少一加热器的上表面以及侧壁，该第二阻障层在远离该基板的该侧或相对的另一侧具有第二处理层，
其中该第一处理层的厚度与该第一阻障层的厚度比例以及该第二处理层的厚度与该第二阻障层的厚度比例介于0.03至0.2。


2.如权利要求1所述的加热器封装体，其中该第一处理层的厚度以及该第二处理层的厚度小于50nm。


3.如权利要求1所述的加热器封装体，其中该第一阻障层的成份组成包含氮元素含量介于5at％至30at％、氧元素含量介于20at％至50at％以及硅元素含量介于30at％至50at％，且该第一阻障层的折射率介于1.50至1.60。


4.如权利要求1所述的加热器封装体，其中该第二阻障层的成份组成包含氮元素含量介于5at％至20at％、氧元素含量介于15at％至50at％以及硅元素含量介于30at％至50at％，且该第二阻障层的折射率介于1.50至1.55。


5.如权利要求1所述的加热器封装体，其中该第二阻障层具有上方披覆率以及侧向披覆率，该上方披覆率以及该侧向披覆率介于0.25至1。


6.如权利要求1所述的加热器封装体，其中该第二阻障层的硬度介于1H至9H。


7.如权利要求1所述的加热器封装体，其中该第二阻障层还覆盖至该基板的侧壁。


8.如权利要求1所述的加热器封装体，还包括第三阻障层，其中该第三阻障层配置于该至少一加热器与该第二阻障层之间。


9.如权利要求1所述的加热器封装体，还包括缓冲层，其中该缓冲层配置于该基板与该第一阻障层之间、该至少一加热器与该第一阻障层之间或该至少一加热器与该第二阻障层之间。


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【专利技术属性】
技术研发人员：郭燕静，洪健彰，戴宏明，廖贞慧，陈鸿毅，叶树棠，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71