半导体装置制造方法及图纸

公开了一种半导体装置，包括：衬底，其具有在第一方向上彼此相邻的第一区和第二区；以及从第一区朝向第二区延伸的第一栅电极至第三栅电极。第一区和第二区中的每一个包括PMOSFET区和NMOSFET区。第一栅电极至第三栅电极在第一方向上延伸，并在与第一方向不同的第二方向上顺序地布置。第一栅电极和第三栅电极施加有第一信号。第二栅电极施加有作为第一信号的反相信号的第二信号。第一栅电极包括第一区的第一栅极和第二区的第一栅极。第一栅极在第一方向上对准并且彼此连接。

Semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置相关申请的交叉引用该申请要求于2018年11月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0143562和于2019年4月2日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0038256的优先权，该两件专利申请的全部内容以引用方式并入本文中。
本专利技术构思涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种包括场效应晶体管的半导体装置。
技术介绍
半导体装置因为其小尺寸、多功能和/或低制造成本而广泛用于电子工业中。半导体装置可以包含存储逻辑数据的半导体存储器装置、处理逻辑数据的操作的半导体逻辑装置以及具有存储器和逻辑元件两者的混合半导体装置。随着电子工业的先进发展，半导体装置已经越来越需要高集成度。例如，半导体装置已经越来越需要高可靠性、高速度和/或多功能。半导体装置已经逐渐复杂化以及集成化以满足这些要求的特性。
技术实现思路
本公开提供了一种包括高度集成的场效应晶体管的半导体装置。根据本专利技术构思的示例性实施例，半导体装置包括：衬底，其包括第一区和在第一方向上与第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n衬底，其包括第一区和在第一方向上与所述第一区相邻的第二区；以及/n从所述第一区朝向所述第二区延伸的第一栅电极、第二栅电极和第三栅电极，/n其中，所述第一区和所述第二区中的每一个包括P型金属氧化物场效应晶体管区和在所述第一方向上与所述P型金属氧化物场效应晶体管区相邻的N型金属氧化物场效应晶体管区，/n其中，所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述第三栅电极中的每一个在所述第一方向上延伸，使得所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述第三栅电极中的每一个在所述第一方向上纵向延伸，/n其中，所述P型金属氧化物场效应晶体管区和所述N型金属氧化物场效应晶体管区中的每一个在与所述第一方...

【技术特征摘要】
20181120 KR 10-2018-0143562;20190402 KR 10-2019-001.一种半导体装置，包括：
衬底，其包括第一区和在第一方向上与所述第一区相邻的第二区；以及
从所述第一区朝向所述第二区延伸的第一栅电极、第二栅电极和第三栅电极，
其中，所述第一区和所述第二区中的每一个包括P型金属氧化物场效应晶体管区和在所述第一方向上与所述P型金属氧化物场效应晶体管区相邻的N型金属氧化物场效应晶体管区，
其中，所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述第三栅电极中的每一个在所述第一方向上延伸，使得所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述第三栅电极中的每一个在所述第一方向上纵向延伸，
其中，所述P型金属氧化物场效应晶体管区和所述N型金属氧化物场效应晶体管区中的每一个在与所述第一方向不同的第二方向上纵向延伸，
其中，所述第二栅电极在所述第二方向上插设于所述第一栅电极与所述第三栅电极之间，
其中，所述第一栅电极和所述第三栅电极被构造为接收第一信号，并且所述第二栅电极被构造为接收作为所述第一信号的反相信号的第二信号，并且
其中，所述第一栅电极包括所述第一区的第一栅极和所述第二区的第一栅极，所述第一区的第一栅极和所述第二区的第一栅极在所述第一方向上对准并且彼此连接。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
栅极接触件，其电连接到所述第一栅电极，
其中，所述第一信号通过所述栅极接触件共同地施加到所述第一区的第一栅极和所述第二区的第一栅极。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述第一区的第一栅极和所述第二区的第一栅极分别包括所述第一区的N型金属氧化物半导体晶体管的栅极和所述第二区的N型金属氧化物半导体晶体管的栅极。


4.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
栅极接触件，其电连接到所述第二栅电极，
其中，所述第二栅电极包括所述第一区的第二栅极和所述第二区的第二栅极，所述第一区的第二栅极和所述第二区的第二栅极在所述第一方向上对准并且彼此连接，并且
其中，所述第二信号通过所述栅极接触件共同地施加到所述第一区的第二栅极和所述第二区的第二栅极。


5.根据权利要求4所述的半导体装置，
其中，所述第一区和所述第二区的第二栅极包括所述第一区的P型金属氧化物半导体晶体管的栅极、所述第一区的N型金属氧化物半导体晶体管的栅极、所述第二区的N型金属氧化物半导体晶体管的栅极和所述第二区的P型金属氧化物半导体晶体管的栅极。


6.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述第三栅电极包括所述第一区的第三栅极和所述第二区的第三栅极，
其中，所述第一区的第三栅极和所述第二区的第三栅极在所述第一方向上彼此间隔开。


7.根据权利要求6所述的半导体装置，还包括：
电连接到所述第三栅电极的第一栅极接触件和第二栅极接触件，
其中，所述第一信号通过所述第一栅极接触件施加到所述第一区的第三栅极，并且
其中，所述第一信号通过所述第二栅极接触件施加到所述第二区的第三栅极。


8.根据权利要求6所述的半导体装置，
其中，所述第三栅电极包括：
虚设栅极，其位于所述第一区的第三栅极与的所述第二区第三栅极之间；
第一栅极切割图案，其位于所述第一区的第三栅极与所述虚设栅极之间；以及
第二栅极切割图案，其位于所述第二区的第三栅极与所述虚设栅极之间。


9.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
第一跳接器，其位于所述第一区上的N型金属氧化物场效应晶体管区的第三栅电极上，其中，所述第一跳接器将所述第一区上的N型金属氧化物场效应晶体管的第一源极/漏极区连接到所述第一区上的N型金属氧化物场效应晶体管的第二源极/漏极区；以及
第二跳接器，其位于所述第二区上的N型金属氧化物场效应晶体管区的第三栅电极上，其中，所述第二跳接器将所述第二区上的N型金属氧化物场效应晶体管的第一源极/漏极区连接到所述第二区上的N型金属氧化物场效应晶体管的第二源极/漏极区。
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【专利技术属性】
技术研发人员：徐在禹，朴基万，金夏永，辛政桓，李根昊，赵成伟，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR