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公开了一种半导体装置，包括：衬底，其具有在第一方向上彼此相邻的第一区和第二区；以及从第一区朝向第二区延伸的第一栅电极至第三栅电极。第一区和第二区中的每一个包括PMOSFET区和NMOSFET区。第一栅电极至第三栅电极在第一方向上延伸，并在与...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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