【技术实现步骤摘要】
存储器控制器、操作存储器控制器的方法和存储器系统本申请基于并要求于2018年11月16日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0141955号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
公开涉及存储器控制器和存储器系统，更具体地，涉及执行恢复操作的存储器控制器、操作该存储器控制器的方法以及包括该存储器控制器的存储器系统。
技术介绍
作为非易失性存储器装置，电阻式存储器装置(诸如，相变RAM(PRAM)、电阻式RAM(RRAM)和磁性RAM(MRAM))使用通过电阻状态的变化存储数据的可变电阻元件作为存储器单元。构成电阻式存储器装置的材料的共性是电阻值根据电流或电压的大小和/或方向而变化，并且具有即使在电流或电压被切断时也保持电阻值的非易失性特性。在这种情况下，包括在电阻式存储器装置中的电阻式存储器单元的电阻根据施加到另一存储器单元的电压而变化。随着电阻变化，数据的可靠性可能无法被确保或者存储器单元本身可能劣化。
技术实现思路
公开提供一种以子集为单位管理存储器单元...
【技术保护点】
1.一种存储器系统，包括：/n存储器装置，包括：构成多个子集的多个存储器单元；以及/n存储器控制器，被配置为：/n管理指示由存储器装置对所述多个子集中的每个子集执行的读取操作的数量的读取计数；以及/n基于与所述多个子集之中的子集对应的读取计数，对所述子集执行恢复操作，/n其中，所述多个子集中的每个子集包括多个页，以及/n其中，所述多个页中的每个页是在所述多个存储器单元中执行读取操作的单位。/n
【技术特征摘要】
20181116 KR 10-2018-01419551.一种存储器系统，包括：
存储器装置，包括：构成多个子集的多个存储器单元；以及
存储器控制器，被配置为：
管理指示由存储器装置对所述多个子集中的每个子集执行的读取操作的数量的读取计数；以及
基于与所述多个子集之中的子集对应的读取计数，对所述子集执行恢复操作，
其中，所述多个子集中的每个子集包括多个页，以及
其中，所述多个页中的每个页是在所述多个存储器单元中执行读取操作的单位。
2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述多个存储器单元之中的连接到同一字线的存储器单元被包括在同一子集中。
3.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，存储器控制器还被配置为：管理指示由存储器装置在所述多个子集中的每个子集中执行的写入操作的数量的写入计数。
4.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，当读取计数达到第一参考值时，存储器装置被配置为向与读取计数对应的子集提供恢复脉冲。
5.根据权利要求4所述的存储器系统，其中，恢复脉冲具有与用于写入操作的脉冲的电压电平不同的电压电平。
6.根据权利要求4所述的存储器系统，其中，恢复脉冲具有与用于写入操作的脉冲的脉冲持续时间不同的脉冲持续时间。
7.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，当读取计数达到第二参考值时，存储器装置被配置为读出写入在与读取计数对应的子集中的数据，并将读取的数据发送至存储器控制器。
8.根据权利要求7所述的存储器系统，其中，存储器控制器还被配置为：接收从子集读取的数据，校正接收到的数据中的错误，并将错误校正数据发送至存储器装置。
9.根据权利要求8所述的存储器系统，其中，存储器装置被配置为：将错误校正数据写入与读取计数对应的子集。
10.根据权利要求9所述的存储器系统，其中，存储器装置还被配置为：即使在读取的数据和错误校正数据相同时，也将错误校正数据重新写入存储器单元中。
11.根据权利要求9所述的存储器系统，其中，存储器装置还被配置为：对与读取计数对应的子集执行数据比较-写入操作。
12.根据权利要求1所述的存储器系统，
其中，存储器装置还包括多个感测放大器电路，感测并放大来自存储器单元的接收的数据，
所述多个存储器单元构成多个存储器隔间，所述多个存储器隔间分别连接到所述多个感测放大器电路之中的相应的感测放大器电路，并且
所述多个存储器单元之中的与所述多个存储器隔间中的每个中的相同字线地址对应的存储器单元包括在同一子集中。
13.根据权利要求12所述的存储器系统，
其中，所述多个存储器隔间中的每个包括多个存储器区块，
所述多个存储器单元之中的与所述多个存储器区块中的每个中的相同字线地址对应的存储器单元包括在同一子集中。
14.一种操作用于...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴银珠，金暎植，南喜铉，李永根，赵永进，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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