一种SiBCN-Ta制造技术

本发明专利技术提供了一种SiBCN‑Ta

A SiBCN ta

【技术实现步骤摘要】
一种SiBCN-Ta4HfC5复相陶瓷及其制备方法
本专利技术涉及陶瓷领域，具体而言，涉及一种SiBCN-Ta4HfC5复相陶瓷及其制备方法。
技术介绍
航空航天装备是国家制造水平和综合实力的集中体现，也是国民经济和国家安全的重要保障，硅硼碳氮系列陶瓷由于具有良好的热稳定性能和抗高温氧化性能而在航空航天领域展现出良好的发展前景。随着宇航技术的发展，要求高温结构材料和多功能防热材料在更加苛刻的环境中服役，这就要求硅硼碳氮系列陶瓷的抗烧蚀性能需要进一步提高。碳化钽铪合金是碳化钽与碳化铪单相形成的无限固溶体，具有良好的化学稳定性和耐烧蚀性，其熔点是目前所报道的超高温陶瓷中的最高值。如何将超高温碳化钽铪陶瓷作为添加相以纳米晶的形式均匀地引入硅硼碳氮系列陶瓷中，以提高硅硼碳氮系列陶瓷的高温和力学性能，是目前亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是：如何提高硅硼碳氮陶瓷的力学和超高温性能。为解决上述问题，本专利技术提供了一种SiBCN-Ta4HfC5复相陶瓷的制备方法，包括：制备Ta4HfC5单相纳米晶粉体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SiBCN-Ta

【技术特征摘要】
1.一种SiBCN-Ta4HfC5复相陶瓷的制备方法，其特征在于，包括：
制备Ta4HfC5单相纳米晶粉体；
将所述Ta4HfC5单相纳米晶粉体、六方氮化硼、立方硅粉和石墨混合后进行高能球磨，得到非晶-纳米晶复合粉体；
将所述非晶-纳米晶复合粉体进行烧结，即制得SiBCN-Ta4HfC5复相陶瓷。


2.根据权利要求1所述的SiBCN-Ta4HfC5复相陶瓷的制备方法，其特征在于，所述Ta4HfC5单相纳米晶粉体的晶粒尺寸为3-5nm。


3.根据权利要求1所述的SiBCN-Ta4HfC5复相陶瓷的制备方法，其特征在于，所述Ta4HfC5单相纳米晶粉体的质量占所述非晶-纳米晶复合粉体质量的2.5％-15％。


4.根据权利要求3所述的SiBCN-Ta4HfC5复相陶瓷的制备方法，其特征在于，所述立方硅粉、所述六方氮化硼、所述石墨的摩尔比为Si：BN：C＝(1.8-2.2)：(0.5-1.2)：(2.8-3.2)。


5.根据权利要求1-4中任一项所述的SiBCN-Ta4HfC5复相陶瓷的制备方法，其特征在于，所述制备Ta4HfC5单相纳米晶粉体，包括：
在氩气保护下，将碳化钽粉体和碳化铪粉体置于高能球磨机中，进行高能球磨，使得碳化钽晶粒和碳化铪晶粒经过破碎、冷焊、固溶，制得所述Ta4HfC5单相纳米晶粉体。

【专利技术属性】
技术研发人员：李达鑫，王柄筑，杨治华，贾德昌，周玉，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：黑龙;23