一种具有高谐波抑制的5G大频率比天线制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有高谐波抑制的5G大频率比天线，包括第一、二、三介质基板，毫米波贴片阵列，短路柱，微带连接线，金属地板，哑铃形缝隙，T形枝节，寄生贴片，馈电线和两对不同长度的开路线；毫米波贴片阵列位于第一介质基板上表面；微带连接线位于第一介质基板下表面；短路柱穿过第一介质基板将毫米波贴片阵列与微带连接线相连；金属地板位于第三介质基板上表面；哑铃形缝隙从金属地板上刻蚀得到；T形枝节和哑铃形缝隙相连；寄生贴片有两个位于哑铃形缝隙两端的槽缝中；馈电线和两对开路线位于第三介质基板下表面。本实用新型专利技术具有较高的谐波抑制，实现了微波辐射结构在毫米波作为馈电结构的复用，可以分别应用于5G系统的微波频段4.8GHz‑5GHz和毫米波频段26GHz/28GHz。

A 5g high frequency ratio antenna with high harmonic suppression

【技术实现步骤摘要】
一种具有高谐波抑制的5G大频率比天线
本技术涉及无线通信的
，尤其是指一种具有高谐波抑制的5G大频率比天线。
技术介绍
无线通信技术的迅速发展，使得各种电子设备都在朝着小型化、多功能方向发展，而天线作为无线通信技术桥梁和空中接口，也必然朝着这个方向发展。传统的单频天线频段单一，并且不具备谐波抑制的功能，使得射频前端通常需要加入滤波器达到实用要求；于是拥有谐波抑制的双频天线得到了发展。但是一般的微波段双频天线无法满足快速发展的毫米波技术。因此，大频率比双频天线的研究成为一个重要的课题。随着宽带通信网络技术的发展，尤其是5G通信过程的快速发展，应用于毫米波频段是发展趋势。不过，现在双频大频率比天线不具有谐波抑制的特性。这对于天线的推广利用不太理想。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的缺点与不足，提出了一种具有高谐波抑制的5G大频率比天线，该天线结构紧凑，实现了结构复用，可应用于微波段4.8GHz～5GHz和毫米波段26GHz/28GHz范围内的5G无线通讯系统中。为实现上述目的，本技术所提供的技术方案为：一种具有高谐波抑制的5G大频率比天线，包括第一介质基板、第二介质基板、第三介质基板、毫米波贴片阵列、短路柱、微带连接线、金属地板、哑铃形缝隙、T形枝节、寄生贴片、馈电线和两对不同长度的开路线；所述第一介质基板、第二介质基板、第三介质基板叠置在一起，该第二介质基板位于第一介质基板和第三介质基板之间，用于隔开第一介质基板和第三介质基板；所述毫米波贴片阵列设在第一介质基板的上表面；所述微带连接线设在第一介质基板的下表面；所述短路柱的数量与毫米波贴片阵列中的毫米波贴片数量相一致，且一个短路柱对应一个毫米波贴片，所述短路柱穿过第一介质基板将毫米波贴片阵列与微带连接线相连；所述金属地板设在第三介质基板的上表面，所述哑铃形缝隙从金属地板上刻蚀得到，其中该哑铃形缝隙在微波频段能够作为辐射结构使用，而在毫米波频段能够作为馈电结构使用；所述T形枝节和哑铃形缝隙相连；所述寄生贴片有两个分别设在哑铃形缝隙两端的槽缝中；所述馈电线和两对不同长度的开路线、分别设在第三介质基板的下表面，且在该馈电线的左右两侧对称分布有一个短的开路线和一个长的开路线，该短的开路线和长的开路线与馈电线彼此平行，该短的开路线位于长的开路线和馈电线之间，所述毫米波贴片阵列以馈电线为对称轴分成两部分呈左右镜像对称，所述哑铃形缝隙与馈电线相互垂直，且该哑铃形缝隙的两端、两个寄生贴片及T形枝节的横向部分均以馈电线为对称轴呈左右镜像对称。进一步，所述毫米波贴片的数量为4的n次方，n是不为0的自然数。本技术与现有技术相比，具有如下优点与有益效果：1、本技术天线不需要复杂的滤波器结构，实现了较好的谐波抑制特性。2、本技术天线的哑铃形缝隙在微波频段作为辐射结构，而在毫米波频段作为馈电结构，实现了结构的复用。3、本技术天线不需要复杂的隔离微波信号的结构，可以实现在微波和毫米波频段的辐射特性。4、本技术天线从输入端口回波损耗的仿真结果表明，其频带能够同时满足微波段4.8GHz～5GHz和毫米波段26GHz/28GHz范围内的5G无线通讯系统中。5、本技术天线具有低剖面，结构紧凑的优点，适合工程应用，解决了现有技术的一些大频率比天线结构复杂、体积大、带宽窄的问题。附图说明图1为本技术实施例的具有高谐波抑制的5G大频率比天线透视图。图2为本技术实施例的具有高谐波抑制的5G大频率比天线的正视图。图3为本技术实施例的第一介质基板的俯视图。图4为本技术实施例的第一介质基板的仰视图。图5为本技术实施例的第二介质基板的透视图。图6为本技术实施例的第三介质基板的俯视图。图7为本技术实施例的第三介质基板的仰视图。图8为本技术实施例的具有高谐波抑制的5G大频率比天线|S11|和增益(Gain)参数的仿真结果曲线图，黑色实线为|S11|仿真曲线，灰色虚线为增益仿真曲线。图9为本技术实施例的具有高谐波抑制的5G大频率比天线在微波段5GHz的主平面辐射方向图。图10为本技术实施例的具有高谐波抑制的5G大频率比天线在毫米波段26.5GHz的主平面辐射方向图。具体实施方式下面结合具体实施例对本技术作进一步说明。如图1至图7所示，本实施例所提供的具有高谐波抑制的5G大频率比天线，包括第一介质基板1、第二介质基板2、第三介质基板3、毫米波贴片阵列、短路柱9、微带连接线8、金属地板7、哑铃形缝隙12、T形枝节13、寄生贴片11、馈电线6和两对不同长度的开路线4、5；所述第一介质基板1、第二介质基板2、第三介质基板3叠置在一起，该第二介质基板2位于第一介质基板1和第三介质基板3之间，用于隔开第一介质基板1和第三介质基板3；所述毫米波贴片阵列设在第一介质基板1的上表面，由4的n次方个毫米波贴片10组成，n是不为0的自然数，而在本实施例所述毫米波贴片10有八个，图中该八个毫米波贴片10分为左右对称的两排，即四个为一排；所述微带连接线8有一对(即两条)设在第一介质基板1的下表面；所述短路柱9的数量应与毫米波贴片阵列中的毫米波贴片10数量相一致，且一个短路柱9对应一个毫米波贴片10，由于在本实施例有八个毫米波贴片10，所以短路柱9也有八个，该八个短路柱9穿过第一介质基板1将八个毫米波贴片10与一对微带连接线8相连，具体是一排毫米波贴片连接一条微带连接线8；所述金属地板7设在第三介质基板3的上表面，所述哑铃形缝隙12从金属地板7上刻蚀得到，其中该哑铃形缝隙12在微波频段能够作为辐射结构使用，而在毫米波频段能够作为馈电结构使用；所述T形枝节13和哑铃形缝隙12相连；所述寄生贴片11有两个分别设在哑铃形缝隙12两端的槽缝中；所述馈电线6和两对不同长度的开路线4、5分别设在第三介质基板3的下表面，且在该馈电线6的左右两侧对称分布有一个短的开路线5和一个长的开路线4，该短的开路线5和长的开路线4与馈电线6彼此平行，该短的开路线5位于长的开路线4和馈电线6之间，上述两排毫米波贴片以馈电线6为对称轴呈左右镜像对称，所述哑铃形缝隙12与馈电线6相互垂直，且该哑铃形缝隙12的两端、两个寄生贴片11及T形枝节13的横向部分均以馈电线6为对称轴呈左右镜像对称。调整本实施例上述具有高谐波抑制的5G大频率比天线各部分的尺寸参数后，通过计算和电磁场仿真，对本实施例的5G大频率比天线进行了验证仿真，如图8所示，给出了该天线在3GHz～29GHz频率范围内的|S11|(输入端口回波损耗)和增益(Gain)参数仿真结果的曲线，图中有两条曲线，黑色实线为|S11|仿真参数，灰色虚线为增益仿真参数；可以看到，在4.4GHz～5.46GHz频段范围内，实线曲线的值小于-10dB，虚线值在3.2～4dB范围内；在25.3GHz～28.5GHz频段范围内，实线曲线的值小于-10dB，虚线值本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有高谐波抑制的5G大频率比天线，其特征在于：包括第一介质基板、第二介质基板、第三介质基板、毫米波贴片阵列、短路柱、微带连接线、金属地板、哑铃形缝隙、T形枝节、寄生贴片、馈电线和两对不同长度的开路线；所述第一介质基板、第二介质基板、第三介质基板叠置在一起，该第二介质基板位于第一介质基板和第三介质基板之间，用于隔开第一介质基板和第三介质基板；所述毫米波贴片阵列设在第一介质基板的上表面；所述微带连接线设在第一介质基板的下表面；所述短路柱的数量与毫米波贴片阵列中的毫米波贴片数量相一致，且一个短路柱对应一个毫米波贴片，所述短路柱穿过第一介质基板将毫米波贴片阵列与微带连接线相连；所述金属地板设在第三介质基板的上表面，所述哑铃形缝隙从金属地板上刻蚀得到，其中该哑铃形缝隙在微波频段能够作为辐射结构使用，而在毫米波频段能够作为馈电结构使用；所述T形枝节和哑铃形缝隙相连；所述寄生贴片有两个分别设在哑铃形缝隙两端的槽缝中；所述馈电线和两对不同长度的开路线、分别设在第三介质基板的下表面，且在该馈电线的左右两侧对称分布有一个短的开路线和一个长的开路线，该短的开路线和长的开路线与馈电线彼此平行，该短的开路线位于长的开路线和馈电线之间，所述毫米波贴片阵列以馈电线为对称轴分成两部分呈左右镜像对称，所述哑铃形缝隙与馈电线相互垂直，且该哑铃形缝隙的两端、两个寄生贴片及T形枝节的横向部分均以馈电线为对称轴呈左右镜像对称。/n...

【技术特征摘要】
1.一种具有高谐波抑制的5G大频率比天线，其特征在于：包括第一介质基板、第二介质基板、第三介质基板、毫米波贴片阵列、短路柱、微带连接线、金属地板、哑铃形缝隙、T形枝节、寄生贴片、馈电线和两对不同长度的开路线；所述第一介质基板、第二介质基板、第三介质基板叠置在一起，该第二介质基板位于第一介质基板和第三介质基板之间，用于隔开第一介质基板和第三介质基板；所述毫米波贴片阵列设在第一介质基板的上表面；所述微带连接线设在第一介质基板的下表面；所述短路柱的数量与毫米波贴片阵列中的毫米波贴片数量相一致，且一个短路柱对应一个毫米波贴片，所述短路柱穿过第一介质基板将毫米波贴片阵列与微带连接线相连；所述金属地板设在第三介质基板的上表面，所述哑铃形缝隙从金属地板上刻蚀得到，其中该哑铃形缝隙在微波频...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂治红，聂娜，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：新型
国别省市：广东;44