太阳能硅片的刻蚀设备和制备系统技术方案

本实用新型专利技术提供了一种太阳能硅片的刻蚀设备和制备系统，刻蚀设备包括：传输组件，用于传送太阳能硅片；氧化组件，包括臭氧发生装置和与臭氧发生装置相连接的喷淋装置，喷淋装置用于对经过的太阳能硅片喷淋臭氧，以使太阳能硅片的表面形成氧化膜；水膜组件，设置在氧化组件后方，用于在氧化膜的上表面形成水膜；刻蚀组件，设置在水膜组件后方，用于对太阳能硅片的下表面进行刻蚀；传输组件的传送方向为从前向后。本实用新型专利技术所提供的刻蚀设备采用了臭氧气体包覆的方式给太阳能硅片的表面覆上氧化膜，相比于相关技术中的热氧化设备而言，氧化设备成本低，且无需高温反应降低了能耗，同时缩短了氧化制程，进而提高了太阳能硅片的制备效率。

Etching equipment and preparation system of solar silicon wafer

【技术实现步骤摘要】
太阳能硅片的刻蚀设备和制备系统
本技术涉及太阳能硅片的刻蚀技术装置领域，具体而言，尤其涉及一种刻蚀设备和包括上述刻蚀设备的太阳能硅片的制备系统。
技术介绍
目前，在光伏激光SE和无机碱抛光的硅片制程中，经过激光SE制程后的硅片表面的氧化层会被严重的破坏，而这一层氧化层在做无机碱抛光是非常关键，氧化层受到严重破坏后无法保证硅片表面不被有机碱腐蚀，从而无法保证硅片的转换效率。目前常规的做法是硅片在经过激光SE制程后，通过热氧化，重新再硅片的表面生成一层氧化层，需要通过采用一个高温炉管设备完成，但该高温炉管设备存在成本高、能耗高的问题。
技术实现思路
为了解决上述技术问题至少之一，本技术的一个目的在于提供一种太阳能硅片的刻蚀设备。本技术的另一个目的在于提供一种上述刻蚀设备的太阳能硅片的制备系统。为了实现上述目的，本技术第一方面的技术方案提供了一种太阳能硅片的刻蚀设备，包括：传输组件，用于传送所述太阳能硅片；氧化组件，包括臭氧发生装置和与所述臭氧发生装置相连接的喷淋装置，所述喷淋装置用于对经过的所述太阳能硅片喷淋臭氧，以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能硅片的刻蚀设备，其特征在于，包括：/n传输组件，用于传送所述太阳能硅片；/n氧化组件，包括臭氧发生装置和与所述臭氧发生装置相连接的喷淋装置，所述喷淋装置用于对经过的所述太阳能硅片喷淋臭氧，以使所述太阳能硅片的表面形成氧化膜；/n水膜组件，设置在所述氧化组件后方，用于在所述氧化膜的上表面形成水膜；/n刻蚀组件，设置在所述水膜组件后方，用于对所述太阳能硅片的下表面进行刻蚀；/n其中，所述传输组件的传送方向为从前向后。/n

【技术特征摘要】
1.一种太阳能硅片的刻蚀设备，其特征在于，包括：
传输组件，用于传送所述太阳能硅片；
氧化组件，包括臭氧发生装置和与所述臭氧发生装置相连接的喷淋装置，所述喷淋装置用于对经过的所述太阳能硅片喷淋臭氧，以使所述太阳能硅片的表面形成氧化膜；
水膜组件，设置在所述氧化组件后方，用于在所述氧化膜的上表面形成水膜；
刻蚀组件，设置在所述水膜组件后方，用于对所述太阳能硅片的下表面进行刻蚀；
其中，所述传输组件的传送方向为从前向后。


2.根据权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，
所述喷淋装置位于所述传输组件的上方。


3.根据权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，
所述氧化组件包括臭氧气体反应槽，所述传输组件用于将所述太阳能硅片传送至所述喷淋装置的下方，至少部分所述臭氧气体反应槽位于所述喷淋装置下方，用于收集臭氧气体。


4.根据权利要求3所述的刻蚀设备，其特征在于，
所述臭氧气体反应槽内设置有导流板，所述导流板位于所述传输组件的下方，用于汇聚臭氧气体；和/或
所述臭氧气体反应槽连接有臭氧破除器，所述臭氧破除器连接有排气装置。


5.根据权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，
所述氧化组件包括臭氧浓度传感器，所述臭氧浓度传感器设置在所述喷淋装置上，用于检测喷淋出的臭氧气体的臭氧浓度；和/或
所述喷淋装置和所述臭氧发生装置之间设置有控制阀，所述控制阀用于控制所述喷淋装置喷淋出的臭氧气体的臭氧浓度。
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【专利技术属性】
技术研发人员：左国军，成旭，柯国英，任金枝，
申请(专利权)人：常州捷佳创精密机械有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32