【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】聚合性化合物、以及使用其的液晶组合物和液晶显示元件
本专利技术涉及聚合性化合物以及使用其的液晶组合物和液晶显示元件。
技术介绍
以往，就VA方式的液晶显示器而言，为了在未施加电压时诱发液晶分子的垂直取向、在施加电压时实现液晶分子的水平取向，在电极上设有聚酰亚胺取向膜(PI)层。但是，PI层的制膜需要大量的成本，因此近年来研究了虽然省去PI层但用于实现液晶分子的取向的方法。例如专利文献1中，公开了一种液晶介质，其特征在于，以具有负的介电各向异性的极性化合物的混合物为基础，含有至少1种自发取向性添加剂；并记载了该液晶介质高度适合在完全不含取向层的显示器中使用。并且，专利文献1中，使用了具有羟基的特定化合物作为自发取向性添加剂。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特表2014-524951号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，根据本专利技术人等的研究，判明了：使用专利文献1中记载的自取向性添加剂的情况下，使液晶分子垂直取向的取向约束力和取向不均等电光学特...
【技术保护点】
1.通式(i)所表示的化合物，/n[化1]/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171117 JP 2017-221803;20180426 JP 2018-0851741.通式(i)所表示的化合物，
[化1]
式中，
Ri1分别独立地表示碳原子数1～40的直链或分支的烷基或卤代烷基，这些基团中的仲碳原子可以以氧原子不直接邻接的方式被-O-、-CH＝CH-或-C≡C-取代，
Ai1、Ai2和Ai3分别独立地表示2价芳香族基、2价环式脂肪族基或2价杂环式化合物基，Ai1中的氢原子可被Li1取代，Ai2和Ai3中的氢原子可被Li1、Pi1-Spi1-或Ki1取代，Li1表示卤原子、氰基、硝基、碳原子数1～40的直链或分支的烷基、卤代烷基，该烷基中的仲碳原子可以以氧原子不直接邻接的方式被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，
Zi1和Zi2分别独立地表示单键、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH＝CHCOO-、-OCOCH＝CH-、-CH＝C(CH3)COO-、-OCOC(CH3)＝CH-、-CH2-CH(CH3)COO-、-OCOCH(CH3)-CH2-、-OCH2CH2O-或碳原子数2～20的亚烷基，该亚烷基中的1个或不邻接的2个以上-CH2-可被-O-、-COO-或-OCO-取代，
Ki1表示碳原子数3～40的直链或分支的烷基、卤代烷基或氰化烷基，这些烷基中的至少2个以上仲碳原子被-C(＝Xi1)-和/或-CH(-CN)-取代，另外，该烷基中的仲碳原子可以以氧原子不直接邻接的方式被-C(＝CH2)-、-C(＝CHRi3)-、-C(＝CRi32)-、-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，另外，这些烷基中的氢原子可被Pi1-Spi1-取代，Xi1表示氧原子、硫原子、NH或NRi3，Ri3表示碳原子数1～20的直链或分支的烷基，该烷基中的仲碳原子可以以氧原子不直接邻接的方式被-O-、-CH＝CH-或-C≡C-取代，
Pi1表示聚合性基团，
Spi1表示间隔基或单键，其中，通式(i)中，作为Ai2或Ai3的取代基、或作为Ki1的取代基，具有至少1个以上的Pi1-Spi1-，
mi1表示0～3的整数，通式(i)中Ri1、Ai2、Zi2、Li1、Ki1、Xi1、Pi1和Spi1存在多个时，它们可以相同或不同。
2.根据权利要求1所述的化合物，通式(i)中的Ki1为通式(K-1)～(K-5)所表示的基团，
[化2]
式中，Yi1表示碳原子数3～20的直链或分支的烷基、卤代烷基或氰化烷基，这些烷基中的至少2个以上仲碳原子被-C(＝Xi1)-和/或-CH(-CN)-取代，另外，该烷基中的仲碳原子可以以氧原子不直接邻接的方式被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，另外，这些烷基中的氢原子可被Pi1-Spi1-取代，Xi1表示氧原子、硫原子、NH或NRil，
Si1和Si3分别独立地表示碳原子数1～6的亚烷基或单键，该亚烷基中的-CH2-可以以氧原子不直接邻接的方式被-CH＝CH-、-C≡C-、-C(＝CH2)-、-C(＝CHRi3)-、-C(＝CRi32)-、-O-、-NH-、-C(＝O)-、-COO-或-OCO-取代，
Si2表示碳原子、氮原子或硅原子，
Ri2表示氢原子、碳原子数1～20的直链或分支的烷基、卤代烷基或氰化烷基，这些基团中的仲碳原子可以以氧原子不直接邻接的方式被-O-、-CH＝CH-、-C≡C-、-C(＝Xi1)-或-CH(-CN)-取代，
Pi1表示聚合性基团，
Spi1表示间隔基或单键，
ni1表示1～3的整数，ni2和ni3分别独立地表示0～2的整数，Si2表示碳原子或硅原子时，ni1+ni2+ni3为3，Si2表示氮原子时，ni1+ni2+ni3为2，Ri3表示与通式(i)中的Ri3相同的含义，通式(K-1)中Ri2、Xi1、Yi1、Si1、Si3、Pi1和Spi1存在多个时，它们可以相同或不同，
[化3]
式中，Si1、Pi1和Spi1分别表示与通式(K-1)中的Si1、Pi1和Spi1相同的含义，RK21表示碳原子数1～10的直链或分支的烷基、卤代烷基或氰化烷基，这些烷基中的至少1个以上仲碳原子可以以氧原子不直接邻接的方式被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、或-NH-取代，ni4、niK21分别独立地表示0或1。
3.根据权利要求1或2中任一项所述的化合物，通式(i)中的Ai1、Ai2和Ai3表示选自1,4-亚苯基、1,4-亚环己基、1,4-亚环己烯基、蒽-2,6-二基、菲-2,7-二基、吡啶-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、萘-2,6-二基、茚满-2,5-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基和1,3-二烷-2,5-二基的环结构，Ai1中的氢原子未经取代或可被Li1取代，Ai2和Ai3中的氢原子未经取代或可被Li1、Pi1-Spi1-或Ki1取代。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的化合物，通式(i)中的Pi1表示选自以下的通式(P-1)～通式(P-16)所表示的组中的取代基，
[化4]
式中，右端的黑点表示连接键。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的化合物，通式(i)中的Ki1为(K-1A)或(K-1B)，
[化5]
式中，Si1、Si2、Si3、Xi1、Yi1、Pi2和Spi2分别表示与通式(K-1)中的Si1、Si2、Si3、Xi1、Yi1、Pi2和Spi2相同的含义，niA1表示1...
【专利技术属性】
技术研发人员：清水健太，林正直，门本丰，楠本哲生，细野礼贵，山本辰弥，宫本正纪，甲斐英知，
申请(专利权)人：DIC株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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