一种能够同步外部时钟的振荡器制造技术

一种能够同步外部时钟的振荡器，属于电子电路技术领域。本发明专利技术提出的振荡器，增加了同步外部时钟模块，当需要同步外部时钟时，将振荡器的输出时钟同步至外部时钟，当不需要同步外部时钟时，振荡器内部产生时钟信号，实现了同步外部时钟的功能，有利于多个芯片协同工作的一致性；且本发明专利技术只同步外部时钟的上升沿，不会将占空比一起同步，占空比由窄脉冲宽度和时钟周期共同决定；对比较器进行改进，避免了同步时钟时比较器的误翻转；另外还增加了频率抖动功能以优化系统的EMI特性。

An oscillator that can synchronize the external clock

【技术实现步骤摘要】
一种能够同步外部时钟的振荡器
本专利技术属于电子电路
，涉及一种振荡器，能够实现同步外部时钟的功能，以及设置了能实现抖频功能的振荡器，能够适用于BUCK电路、BOOST电路或者其他需要系统时钟的电路。
技术介绍
开关电源的BUCK电路中，在脉冲宽度调制PWM的控制模式下，开启上管由系统时钟决定，关闭上管由PWM比较器和峰值电流限比较决定。因此，在BUCK芯片中，需要产生系统时钟的模块。在多个芯片协同工作时，为了保证芯片工作的一致性，会使用同一外部时钟进行控制，避免内部时钟由于各种非理想因素造成的误差。在高集成度的片上系统(systemonchip,SOC)中，BUCK电源的电磁干扰(EMI)特性受到格外的关注，尤其是在开关电源的开关频率愈发高频化。BUCK电源因其高效的特点而被广泛应用，但是其缺点在于输出纹波和噪声比较大，可能会对其供电的敏感模拟模块以及集成在其周围的敏感模拟模块造成影响。BUCK电路的噪声可以用EMI体现，而EMI则由电磁兼容(EMC)标准规定。BUCK的EMI可以分为传导EMI和辐射EMI。传导EMI主本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种能够同步外部时钟的振荡器，包括运算放大器、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、计时电容和比较器，/n运算放大器的同相输入端连接第一基准电压，其反相输入端连接第一NMOS管的源极并连接选频电阻，其输出端连接第一NMOS管的栅极；/n第一PMOS管的栅源短接并连接第一NMOS管的漏极和第二PMOS管的栅极，其源极连接第二PMOS管的源极和电源电压；/n比较器的反相输入端连接第二基准电压，其正向输入端连接第二PMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极并通过计时电容后接地；/n第二NMOS管的源极接地；/n其特征在于，所述振荡器还包括同步外部时钟模块，所述同步外部时钟模...

【技术特征摘要】
1.一种能够同步外部时钟的振荡器，包括运算放大器、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、计时电容和比较器，
运算放大器的同相输入端连接第一基准电压，其反相输入端连接第一NMOS管的源极并连接选频电阻，其输出端连接第一NMOS管的栅极；
第一PMOS管的栅源短接并连接第一NMOS管的漏极和第二PMOS管的栅极，其源极连接第二PMOS管的源极和电源电压；
比较器的反相输入端连接第二基准电压，其正向输入端连接第二PMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极并通过计时电容后接地；
第二NMOS管的源极接地；
其特征在于，所述振荡器还包括同步外部时钟模块，所述同步外部时钟模块包括第一电阻、奇数个第一施密特触发器、第二施密特触发器、第三施密特触发器、第一电容、第二电容、第三电容、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第五反相器、与非门和第三PMOS管，
第一电阻的一端作为所述同步外部时钟模块的第一输入端连接外部时钟信号，其另一端一方面通过第三电容后接地，另一方面通过级联的所述奇数个第一施密特触发器后连接第五反相器的输入端；
与非门的第一输入端连接第五反相器的输出端和第四反相器的输入端，其第二输入端连接第四反相器的输出端并通过第一电容后接地，其输出端连接第三PMOS管的栅极；
第三PMOS管的源极连接电源电压，其漏极连接第一反相器的输出端和第二反相器的输入端并通过第二电容后接地；
第二施密特触发器的输入端作为所述同步外部时钟模块的第二输入端连接比较器的输出端，其输出端连接第一反相器的输入端；
第三施密特触发器的输入端连接第二反相器的输出端，其输出端作为所述振荡器的输出端并通过第三反相器后连接第二NMOS管的栅极；
所述比较器的输出信号在所述振荡器同步外部时钟时恒为低电平。


2.根据权利要求1所述的能够同步外部时钟的振荡器，其特征在于，所述比较器包括第二电阻、第三电阻、第四电阻、第四电容、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管和第十二PMOS管，所述比较器包括两个反相输入端和一个同相输入端；
第六NMOS管的栅极作为所述比较器的同相输入端，其源极连接第七NMOS管和第八NMOS管的源极以及第三NMOS管的漏极，其漏极连接第五PMOS管的漏极、第七PMOS管的栅极和漏极以及第六PMOS管的栅极；
第七NMOS管的栅极作为所述比较器的第一反相输入端连接所述第二基准电压，其漏极连接第八NMOS管的漏极、第四PMOS管的栅极和漏极以及第五...

【专利技术属性】
技术研发人员：明鑫，罗淞民，刘媛媛，胡晓冬，王卓，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51