微机械结构元件制造技术

技术编号:24247358 阅读:20 留言:0更新日期:2020-05-22 21:31
本发明专利技术涉及一种微机械结构元件(100),其具有构造在第二和第三硅功能层(20、30)中的可运动的振动质量,其中,在所述第二和第三硅功能层(20、30)中构造有空心体(36),所述空心体具有构造在第四硅功能层(40)中的覆盖元件。

Micro mechanical structural element

【技术实现步骤摘要】
微机械结构元件
本专利技术涉及一种微机械结构元件。此外,本专利技术还涉及一种用于制造微机械结构元件的方法。
技术介绍
微机械结构元件,例如用于测量加速度和转速的惯性传感器,被批量生产用于汽车和消费领域中的不同应用。优选地,使用跷板结构用于具有垂直于晶片平面(即在z方向上)的探测方向的电容式加速度传感器。该跷板的传感器原理基于弹簧-质量系统,在该弹簧-质量系统中,在最简单的情况下,具有两个固定在基底上的配对电极的、可运动的振动质量构成两个平板电容器。所述振动质量经由至少一个、由于对称性原因通常两个扭簧与底座连接。如果质量结构在扭簧的两侧上是不同大小的,则在z加速度的作用下,所述质量结构相对于作为旋转轴线的扭簧旋转。因此,电极的间距在具有较大质量的一侧上较小,而在另一侧上较大。电容改变是对于作用的加速度的量度。这种加速度传感器例如由EP0244581A1和EP0773443A1已知。为了补偿表面电势对加速度传感器的影响,例如在DE10350536B3、DE102006057929A1、DE102008040567A1中已经提出不同方法。所有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微机械结构元件(100),所述微机械结构元件具有构造在第二硅功能层和第三硅功能层(20、30)中的能够运动的振动质量,其中,在所述第二硅功能层和所述第三硅功能层(20、30)中构造有空心体(36),所述空心体具有构造在第四硅功能层(40)中的覆盖元件。/n

【技术特征摘要】
20181115 DE 102018219546.31.一种微机械结构元件(100),所述微机械结构元件具有构造在第二硅功能层和第三硅功能层(20、30)中的能够运动的振动质量,其中,在所述第二硅功能层和所述第三硅功能层(20、30)中构造有空心体(36),所述空心体具有构造在第四硅功能层(40)中的覆盖元件。


2.根据权利要求1所述的微机械结构元件(100),其特征在于,附加地在第一硅功能层(10)中构造有第一电极(11、12),其中,所述振动质量能够与所述第一电极在功能上共同作用。


3.根据权利要求1所述的微机械结构元件(100),其特征在于,附加地在所述第二硅功能层、所述第三硅功能层或所述第四硅功能层(20、30、40)中构造有第二电极(31、32)。


4.根据权利要求1所述的微机械结构元件(100),其特征在于,所述第二硅功能层、所述第三硅功能层和所述第四硅功能层(20、30、40)的厚度大于约1μm。


5.根据权利要求1所述的微机械结构元件(100),其特征在于,所述第三硅功能层(30)的厚度大于8μm。


6.根据权利要求1所述的微机械结构元件(10...

【专利技术属性】
技术研发人员:J·克拉森L·格格
申请(专利权)人:罗伯特·博世有限公司
类型:发明
国别省市:德国;DE

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