本实用新型专利技术公开了一种改善共同阻抗影响的MicroLED驱动装置，包括像素电路及与像素电路连接的驱动电路，像素电路包括像素线路、与像素线路连接的发光二极管、第一像素场效应晶体管、第二像素场效应晶体管及第三像素场效应晶体管，像素线路连接有像素正电源和像素负电源，第一像素场效应晶体管由驱动电路输出电压开启，第二像素场效应晶体管连接于第一像素场效应晶体管，第三像素场效应晶体管由PWM信号开启，驱动电路包括驱动线路、与驱动线路连接的电流源、第一驱动场效应晶体管及第二驱动场效应晶体管，电流源用于提供标准电流。本实用新型专利技术能够改善共同阻抗，减少对受电压下降影响，还能减少金属层的面积，有助于降低生产成本。
A microled driver for improving the influence of common impedance
【技术实现步骤摘要】
一种改善共同阻抗影响的MicroLED驱动装置
本技术属于LED的
，具体涉及一种改善共同阻抗影响的MicroLED驱动装置。
技术介绍
如今，可自行发光的发光二极管或有机发光二极管目前广泛应用在多种产品上，以耐久性和发光效率优秀的LED为例，小型化相关技术正在迅速发展，预计今后在许多应用领域将取代现有的显示屏。不过与现有的液晶显示屏不同，用LED体现像素的LED显示屏，用电流驱动每个发光元件，在消耗高电流的图像中受到电压下降的影响，导致发光元件的热化等质量达不到的现象。
技术实现思路
本技术的目的在于：针对现有技术的不足，提供一种改善共同阻抗影响的MicroLED驱动装置，能够改善共同阻抗，减少对受电压下降影响，还能减少金属层的面积，降低生产工艺的难度，有助于降低生产成本。为了实现上述目的，本技术采用如下技术方案：一种改善共同阻抗影响的MicroLED驱动装置，包括像素电路及与所述像素电路连接的驱动电路，所述像素电路包括像素线路、与所述像素线路连接的发光二极管、第一像素场效应晶体管、第二像素场效应晶体管及第三像素场效应晶体管，所述像素线路连接有像素正电源和像素负电源，所述第一像素场效应晶体管由所述驱动电路输出电压开启，所述第二像素场效应晶体管连接于所述第一像素场效应晶体管，所述第三像素场效应晶体管由PWM信号开启，所述驱动电路包括驱动线路、与所述驱动线路连接的电流源、第一驱动场效应晶体管及第二驱动场效应晶体管，所述电流源用于提供标准电流，所述第一驱动场效应>晶体管与所述第一像素场效应晶体管栅端子连接，所述第二驱动场效应晶体管分别与所述第二像素场效应晶体管栅端子和第一驱动场效应晶体管源头端连接。作为本技术所述的一种改善共同阻抗影响的MicroLED驱动装置的一种改进，所述第一像素场效应晶体管与所述发光二极管的阴极连接，所述第二像素场效应晶体管连接在所述第一像素场效应晶体管和所述像素负电源之间。作为本技术所述的一种改善共同阻抗影响的MicroLED驱动装置的一种改进，所述第一驱动场效应晶体管与所述电流源的负极连接，所述第二驱动场效应晶体管连接在所述第一驱动场效应晶体管和驱动负电源之间。作为本技术所述的一种改善共同阻抗影响的MicroLED驱动装置的一种改进，所述第一像素场效应晶体管与所述发光二极管的正极连接，所述第二像素场效应晶体管连接在所述第一像素场效应晶体管和所述像素正电源之间。作为本技术所述的一种改善共同阻抗影响的MicroLED驱动装置的一种改进，所述第一驱动场效应晶体管与所述电流源的正极连接，所述第二驱动场效应晶体管是连接在所述第一驱动场效应晶体管和驱动正电源之间。作为本技术所述的一种改善共同阻抗影响的MicroLED驱动装置的一种改进，所述第一像素场效应晶体管和所述第一驱动场效应晶体管均为P类型，所述第二像素场效应晶体管和所述第二驱动场效应晶体管均为N类型，所述第一驱动场效应晶体管栅端子和所述第一驱动场效应晶体管流出端子短路。作为本技术所述的一种改善共同阻抗影响的MicroLED驱动装置的一种改进，所述第二驱动场效应晶体管栅端子和所述第二驱动场效应晶体管流出端子短路。作为本技术所述的一种改善共同阻抗影响的MicroLED驱动装置的一种改进，所述第二像素场效应晶体管栅端子和所述第二驱动场效应晶体管栅端子连接到偏压电压源。本技术的有益效果在于，本技术包括像素电路及与所述像素电路连接的驱动电路，所述像素电路包括像素线路、与所述像素线路连接的发光二极管、第一像素场效应晶体管、第二像素场效应晶体管及第三像素场效应晶体管，所述像素线路连接有像素正电源和像素负电源，所述第一像素场效应晶体管由所述驱动电路输出电压开启，所述第二像素场效应晶体管连接于所述第一像素场效应晶体管，所述第三像素场效应晶体管由PWM信号开启，所述驱动电路包括驱动线路、与所述驱动线路连接的电流源、第一驱动场效应晶体管及第二驱动场效应晶体管，所述电流源用于提供标准电流，所述第一驱动场效应晶体管与所述第一像素场效应晶体管栅端子连接，所述第二驱动场效应晶体管分别与所述第二像素场效应晶体管栅端子和第一驱动场效应晶体管源头端连接。本技术能够改善共同阻抗，减少对受电压下降影响，还能减少金属层的面积，降低生产工艺的难度，有助于降低生产成本。附图说明图1为本技术在PWM驱动方式下的第一实施例的电路图；图2为本技术在PWM驱动方式下的第二实施例的电路图；图3为本技术在PWM驱动方式下的第三实施例的电路图；图4为本技术在PWM驱动方式下的第四实施例的电路图；图5为本技术在电压强降下场效应晶体管输出特性曲线；其中：110-像素电路；111-第一像素场效应晶体管；112-第二像素场效应晶体管；113-第三像素场效应晶体管；120-驱动电路；121-第一驱动场效应晶体管；122-第二驱动场效应晶体管。具体实施方式如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”。“大致”是指在可接受的误差范围内，本领域技术人员能够在一定误差范围内解决技术问题，基本达到技术效果。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。在技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。以下结合附图1~5对本技术作进一步详细说明，但不作为对本技术的限定。一种改善共同阻抗影响的MicroLED驱动装置，包括像素电路110及与像素电路110连接的驱动电路120，像素电路110包括像素线路、与像素线路连接的发光二极管、第一像素场效应晶体管111、第二像素场效应晶体管112及第三像素场效应晶体管113，像素线路连接有像素正电源和像素负电源，第一像素场效应晶体管111由驱动电路120输出电压开启，第二像素场效应晶体管112连接于第一像素场效应晶体管111，第三像素场效应晶体管113由PWM信号开启，驱动电路120包括驱动线路、与驱动线路连接的电流本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种改善共同阻抗影响的MicroLED驱动装置，其特征在于：包括像素电/n路(110)及与所述像素电路(110)连接的驱动电路(120)，所述像素电路(110)包括像素线路、与所述像素线路连接的发光二极管、第一像素场效应晶体管(111)、第二像素场效应晶体管(112)及第三像素场效应晶体管(113)，所述像素线路连接有像素正电源和像素负电源，所述第一像素场效应晶体管(111)由所述驱动电路(120)输出电压开启，所述第二像素场效应晶体管(112)连接于所述第一像素场效应晶体管(111)，所述第三像素场效应晶体管(113)由PWM信号开启，所述驱动电路(120)包括驱动线路、与所述驱动线路连接的电流源、第一驱动场效应晶体管(121)及第二驱动场效应晶体管(122)，所述电流源用于提供标准电流，所述第一驱动场效应晶体管(121)与所述第一像素场效应晶体管(111)栅端子连接，所述第二驱动场效应晶体管(122)分别与所述第二像素场效应晶体管(112) 栅端子和第一驱动场效应晶体管(121)源头端连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种改善共同阻抗影响的MicroLED驱动装置，其特征在于：包括像素电
路(110)及与所述像素电路(110)连接的驱动电路(120)，所述像素电路(110)包括像素线路、与所述像素线路连接的发光二极管、第一像素场效应晶体管(111)、第二像素场效应晶体管(112)及第三像素场效应晶体管(113)，所述像素线路连接有像素正电源和像素负电源，所述第一像素场效应晶体管(111)由所述驱动电路(120)输出电压开启，所述第二像素场效应晶体管(112)连接于所述第一像素场效应晶体管(111)，所述第三像素场效应晶体管(113)由PWM信号开启，所述驱动电路(120)包括驱动线路、与所述驱动线路连接的电流源、第一驱动场效应晶体管(121)及第二驱动场效应晶体管(122)，所述电流源用于提供标准电流，所述第一驱动场效应晶体管(121)与所述第一像素场效应晶体管(111)栅端子连接，所述第二驱动场效应晶体管(122)分别与所述第二像素场效应晶体管(112)栅端子和第一驱动场效应晶体管(121)源头端连接。
2.如权利要求1所述的一种改善共同阻抗影响的MicroLED驱动装置，其特征在于：所述第一像素场效应晶体管(111)与所述发光二极管的阴极连接，所述第二像素场效应晶体管(112)连接在所述第一像素场效应晶体管(111)和所述像素负电源之间。
3.如权利要求2所述的一种改善共同阻抗影响的MicroLED驱动装置，其特征在于：所述第一驱动场效应晶体管(121)与所述电流源的负极连接，所述第二驱动场效应晶体管(122)连接在所述第一驱动场效应晶体管(121)和驱动负电源之间。
4.如权利要求1所述的一种改...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈廷仰，廖志洋，
申请(专利权)人：禹创半导体广州有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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