一种改善共同阻抗影响的MicroLED驱动装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种改善共同阻抗影响的MicroLED驱动装置，包括像素电路及与像素电路连接的驱动电路，像素电路包括像素线路、与像素线路连接的发光二极管、第一像素场效应晶体管、第二像素场效应晶体管及第三像素场效应晶体管，像素线路连接有像素正电源和像素负电源，第一像素场效应晶体管由驱动电路输出电压开启，第二像素场效应晶体管连接于第一像素场效应晶体管，第三像素场效应晶体管由PWM信号开启，驱动电路包括驱动线路、与驱动线路连接的电流源、第一驱动场效应晶体管及第二驱动场效应晶体管，电流源用于提供标准电流。本实用新型专利技术能够改善共同阻抗，减少对受电压下降影响，还能减少金属层的面积，有助于降低生产成本。

A microled driver for improving the influence of common impedance

【技术实现步骤摘要】
一种改善共同阻抗影响的MicroLED驱动装置
本技术属于LED的
，具体涉及一种改善共同阻抗影响的MicroLED驱动装置。
技术介绍
如今，可自行发光的发光二极管或有机发光二极管目前广泛应用在多种产品上，以耐久性和发光效率优秀的LED为例，小型化相关技术正在迅速发展，预计今后在许多应用领域将取代现有的显示屏。不过与现有的液晶显示屏不同，用LED体现像素的LED显示屏，用电流驱动每个发光元件，在消耗高电流的图像中受到电压下降的影响，导致发光元件的热化等质量达不到的现象。
技术实现思路
本技术的目的在于：针对现有技术的不足，提供一种改善共同阻抗影响的MicroLED驱动装置，能够改善共同阻抗，减少对受电压下降影响，还能减少金属层的面积，降低生产工艺的难度，有助于降低生产成本。为了实现上述目的，本技术采用如下技术方案：一种改善共同阻抗影响的MicroLED驱动装置，包括像素电路及与所述像素电路连接的驱动电路，所述像素电路包括像素线路、与所述像素线路连接的发光二极管、第一像素场效应晶体管、第二像素场效应本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善共同阻抗影响的MicroLED驱动装置，其特征在于：包括像素电/n路(110)及与所述像素电路(110)连接的驱动电路(120)，所述像素电路(110)包括像素线路、与所述像素线路连接的发光二极管、第一像素场效应晶体管(111)、第二像素场效应晶体管(112)及第三像素场效应晶体管(113)，所述像素线路连接有像素正电源和像素负电源，所述第一像素场效应晶体管(111)由所述驱动电路(120)输出电压开启，所述第二像素场效应晶体管(112)连接于所述第一像素场效应晶体管(111)，所述第三像素场效应晶体管(113)由PWM信号开启，所述驱动电路(120)包括驱动线路、与所述驱动线路连...

【技术特征摘要】
1.一种改善共同阻抗影响的MicroLED驱动装置，其特征在于：包括像素电
路(110)及与所述像素电路(110)连接的驱动电路(120)，所述像素电路(110)包括像素线路、与所述像素线路连接的发光二极管、第一像素场效应晶体管(111)、第二像素场效应晶体管(112)及第三像素场效应晶体管(113)，所述像素线路连接有像素正电源和像素负电源，所述第一像素场效应晶体管(111)由所述驱动电路(120)输出电压开启，所述第二像素场效应晶体管(112)连接于所述第一像素场效应晶体管(111)，所述第三像素场效应晶体管(113)由PWM信号开启，所述驱动电路(120)包括驱动线路、与所述驱动线路连接的电流源、第一驱动场效应晶体管(121)及第二驱动场效应晶体管(122)，所述电流源用于提供标准电流，所述第一驱动场效应晶体管(121)与所述第一像素场效应晶体管(111)栅端子连接，所述第二驱动场效应晶体管(122)分别与所述第二像素场效应晶体管(112)栅端子和第一驱动场效应晶体管(121)源头端连接。


2.如权利要求1所述的一种改善共同阻抗影响的MicroLED驱动装置，其特征在于：所述第一像素场效应晶体管(111)与所述发光二极管的阴极连接，所述第二像素场效应晶体管(112)连接在所述第一像素场效应晶体管(111)和所述像素负电源之间。


3.如权利要求2所述的一种改善共同阻抗影响的MicroLED驱动装置，其特征在于：所述第一驱动场效应晶体管(121)与所述电流源的负极连接，所述第二驱动场效应晶体管(122)连接在所述第一驱动场效应晶体管(121)和驱动负电源之间。


4.如权利要求1所述的一种改...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈廷仰，廖志洋，
申请(专利权)人：禹创半导体广州有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44