一种适用于micro LED的数据驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种适用于micro LED的数据驱动电路，包含生成对应设定亮度的标准电流的标准电流生成电路；所述标准电流生成电路和用电流镜运行，包含尺寸不同的多数晶体管，将所述标准电流转换成第一至第M伽马电流输出的伽马电流生成电路；将所述第一至第M伽马电流转换成第一至第M标准伽马电压的伽马电压生成电路；将所述第一至第M标准伽马电压转换成第一至第M伽马缓冲电压的伽马电压生成电路；及根据所述第一至第M伽马缓冲电压的分配生成第一至第N伽马电压的分配部。本发明专利技术通过将伽马电路的晶体管与像素的驱动晶体管在同一块基板上用相同的工艺生产，利用与驱动晶体管相搭配的晶体管体现伽马电路。

A data drive circuit for micro LED

【技术实现步骤摘要】
一种适用于microLED的数据驱动电路
本专利技术涉及一种驱动电路，具体是一种适用于microLED的数据驱动电路。
技术介绍
随着信息化社会的发展，对显示图像的显示装置的要求也正在增加，液晶显示装置(LiquidCrystalDisplayDevice)，等离子显示装置(Plasmadisplaydevice)，有机发光显示装置（organiclightemittingdisplaydevice）等各种类型的显示装置充分应用起来。最近，人们对利用微型发光二极管(uLED)的显示装置(以下简称"微型显示装置")的关注也越来越高。为了VR(VirtualReality)，AR(AugmentedReality)，MR(MixedReality)技术，需要具备优秀显示特性的装置，因此microLEDonSilicon或AMOLEDonSilicon的开发呈上升趋势，特别是为了实现高分辨率，对像素尺寸最小化的要求正在增加。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种适用于microLED的数据驱动电路，以解决所述
技术介绍
中提出的问题。为实现所述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种适用于microLED的数据驱动电路，包括：对应设定亮度生成标准电流的标准电流生成电路；所述标准电流生成电路和通过镜像电流运行，包含尺寸不同的多个晶体管，将所述标准电流转换为第一至第M伽马电流并输出的伽马电流生成电路；将所述第一至第M伽马电流转换为第一至第M标准伽马电流的标准伽马电流生成电路；将所述第一至第M标准伽马电流转换为第一至第M伽马缓冲电流的伽马电压生成电路；及根据所述第一至第M伽马缓冲电流的分配生成第一至第M伽马电流的分配部。所述伽马电流生成电路可以包括输出第一至第M伽马电流的第一至第M晶体管。所述每一个第一至第M晶体管，可以由直联及/或并联的相同或不同尺寸的一个以上晶体管构成。所述标准伽马电流生成电路包括第一至第M晶体管，所述第一至第M晶体管可以具有与像素驱动晶体管相同的尺寸。所述第一至第M晶体管每一个栅电压可以是所述第一至第M标准伽马电流。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术通过将伽马电路的晶体管与像素的驱动晶体管在同一块基板上用相同的工艺生产，利用与驱动晶体管相搭配的晶体管体现伽马电路。因此，无论工艺上发生的变化如何，都可以准确体现显示装置所要求的伽玛特性，不用测量伽玛特性，设定伽玛电压。此外，本专利技术的实施例可以利用标准电流生成电路对亮度进行全方位调整，从而能简单地生成和调整内含伽马信息的伽马电流。附图说明图1为根据本专利技术的一个实施例，概括表示显示装置制造工序的图纸。图2为根据本专利技术的一个实施例，概括表示显示装置的图纸。图3及图4为图2中表示的，显示装置像素的一个例子。图5为根据本专利技术的一个实施例，概括表示数据驱动部的图纸。图6为根据本专利技术的一个实施例，概括表示伽马电压生成部的图纸。图7为根据本专利技术的一个实施例，概括表示伽马电压生成部的图纸。图8及图9为根据本专利技术的另一个实施例，概括表示伽马电压生成部的图纸。具体实施方式本专利技术可进行多种变换，并具有多种实施例，将特定实施例在图纸上表示，并进行详细说明。本专利技术的效果及特点，以及实现它们的方法，参阅后面配图详细描述的实施例，则会更加明确。但本专利技术不限于以下提示的实施例，而是可以多种形式体现。以下，参照附图，详细说明本专利技术的实施例子，参照图纸说明时，对同一或对应的构成要素给予相同的图纸符号，并省略对此重复的说明。在以下实施例中，第1，第2等术语不是限定意义上的，而是为了将一个构成要素与其他构成要素区别开来。另外，在以下实施例中，除了单数的表述在文理上表示明显不同的意思外，包含复数的意思。在以下实施例中，表述X和Y连接时，包括X和Y电气连接，X和Y功能上连接，X和Y直接连接等几种情况。这里，X，Y是对象物体（例如，装置，元件，回路，配线，电极，端子，导电膜，层等）。因此，所定的连接关系，不局限于图纸或详细说明所表示的连接关系，可以包含图纸或详细说明所表示的连接关系以外的连接。X和Y电气连接时，实现X和Y电气连接的元件（例如，开关，晶体管，容量元件，电感器，电阻元件，二极管等），在X和Y之间可以包含连接1个以上元件的情况。X和Y功能上连接时，从X输出的信号传递到Y一样，实现X和Y功能上连接的回路（例如，逻辑电路(或闸，逆变器等)，信号转换电路(AD转换电路，伽马修正电路等)，电位水平转换转换电路(水平转换电路等)，电流供给电路，增幅电路(可放大信号振幅或电流量的电路)，信号生成电路，记忆电路(存储器等)）在X和Y之间可以包含1个以上连接关系的情况。在以下实施例中，与元件状态相关使用的"开ON"指元件的活跃状态，"关OFF"指元件的非活跃状态。与元件接收的信号相联系使用的"开ON"是指激活元件的信号，"关Off"可以指不激活元件的信号。元件可以被高电压或低电压激活。例如，P型晶体管由低电压激活，N型晶体管由高电压而激活。因此，要理解对P型晶体管和N型晶体管的"开ON"电压是相反(低对高)电压水平。在以下实施例中，"包括"或"具有"等术语意味着详单上所列的特征，或构成要素的存在，而不是预先排除一个以上其他特征或构成要素附加的可能性。图1为根据本专利技术的一个实施例，概括表示显示装置制造工序的图纸。参照图1，根据一个实施例，显示装置（30）可以包含发光元件数组（10）及驱动电路板（20）。发光元件数组（10）可以与驱动电路基板结合。显示装置（30）可以是微型显示装置。发光元件数组（10）可以包含多个发光元件。发光元件可以是发光二极管（LED）。发光元件可以是微型发光二极管（LED）。发光元件可以是微型至纳米大小的发光二极管（LED）。通过在半导体晶片(SW)上成长多个发光二极管，至少可以制造出一个发光元件数组(10)。因此，无需将发光二极管单独移送到驱动电路板(20)，即可将发光元件数组(10)与驱动电路基板(20)结合，从而制造出显示装置(30)。驱动电路基板（20）对应发光元件数组（10）上的各个发光二极管，独立控制发光二极管的像素回路可以是排列的Si-CMOS基板。像素回路可包含至少一个晶体管及一个电容器。微型发光二极管处理需要1000°C以上的高温，不能直接成长及模块化在驱动电路基板（20）晶体管上部。本专利技术的实施例为，各自形成发光元件数组（10）和驱动电路基板（20）上的像素回路数组后结合，使发光元件数组（10）的发光二极管和驱动电路基板（20）的像素回路电气连接构成像素（PX）。这时需要像素回路数组和发光二极管数组的正确排列。图2为根据本专利技术的一个实施例，概括表示显示装置的图纸。参照图2，显示装置（30）可包含像素部（110）及驱动部（120）。像素部（110）使用可显示1至2m阶调层次的m比特数码图像数据来表示。像素部（110）可配置在显示图像的显示领本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于micro LED的数据驱动电路，其特征在于，包含生成对应设定亮度的标准电流的标准电流生成电路；所述标准电流生成电路和用电流镜运行，包含尺寸不同的多数晶体管，将所述标准电流转换成第一至第M伽马电流输出的伽马电流生成电路；将所述第一至第M伽马电流转换成第一至第M标准伽马电压的伽马电压生成电路；将所述第一至第M标准伽马电压转换成第一至第M伽马缓冲电压的伽马电压生成电路；及根据所述第一至第M伽马缓冲电压的分配生成第一至第N伽马电压的分配部。/n

【技术特征摘要】
1.一种适用于microLED的数据驱动电路，其特征在于，包含生成对应设定亮度的标准电流的标准电流生成电路；所述标准电流生成电路和用电流镜运行，包含尺寸不同的多数晶体管，将所述标准电流转换成第一至第M伽马电流输出的伽马电流生成电路；将所述第一至第M伽马电流转换成第一至第M标准伽马电压的伽马电压生成电路；将所述第一至第M标准伽马电压转换成第一至第M伽马缓冲电压的伽马电压生成电路；及根据所述第一至第M伽马缓冲电压的分配生成第一至第N伽马电压的分配部。


2.根据权利要求1所述的适用于microLED的数据驱动电路，其特征在于，所述伽马电流生成电路是包含输出第一至第M伽马...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈廷仰，廖志洋，
申请(专利权)人：禹创半导体广州有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44