一种利用低电压晶体管的微型micro LED显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种利用低电压晶体管的微型micro LED显示装置，包括包含多数像素的显示领域；及通过与上述多数像素连接的第1电源线及第2电源线施加电源的电源供给部；上述多数像素分别包含第1电极及第2电极，上述第1电极连接到上述第1电源线的发光元件；漏型端子与上述发光元件的上述第2电极连接，根据施加到栅端子的偏差电压维持开启状态，控制施加到源端子的电压的电压控制晶体管；漏型端子连接到上述电压控制晶体管源端子的驱动晶体管；及漏型端子与上述第2电源线连接，源端子与上述电压控制晶体管的源端子连接，测试上述像素缺陷的检查晶体管。本发明专利技术的像素电路可由低电压晶体管实现，因此，可以实现适合高分辨率的最小尺寸的显示装置。

A micro LED display device using low voltage transistor

【技术实现步骤摘要】
一种利用低电压晶体管的微型microLED显示装置
本专利技术涉及一种显示装置，具体是一种利用低电压晶体管的微型microLED显示装置。
技术介绍
最近,为了VR(VirtualReality),AR(AugmentedReality),MR(MixedReality)技术,需要具备优秀显示特性的装置,特别是对microLEDonSilicon或AMOLEDonSilicon的开发呈上升趋势,特别是为了实现高分辨率,对像素尺寸最小化的要求正在增加。因此,在小像素(pixel)尺寸的领域中实现驱动的电路成为必需,需要开发可小型化的新技术。一直以来,对于多数的亚像素(FHDcase:1920*1080*RGB=6,220,800),在设备及环境中无法进行测试(test)，需要增加测试回路，因此影响了像素尺寸最小化。特别是,在原有电路中使用的高电压晶体管(HighVoltageTransistor)即使采用微型工艺,也需要一定的满足耐压(BreakdownVoltage)的空间，对实现高分辨率有限制。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种利用低电压晶体管的微型microLED显示装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种利用低电压晶体管的微型microLED显示装置，包括，含多数像素的显示领域；及与上述多数像素连接的第一电源线及通过第二电源线施加电源的电源供给部，上述多数像素分别包含第一电极及第二电极，上述第一电极连接到上述第一电源线的发光元件；漏型端子与上述发光元件的上述第二电极，根据施加到栅端子的偏电压维持开启状态，控制施加到源型端子的电压的电压控制晶体管；漏型端子与上述电压控制晶体管的源端子连接的驱动晶体管；及漏型端子与上述第二电源线连接，源型端子与上述电压控制晶体管的源型端子连接，检查上述像素缺陷的检查晶体管。另外，其特征为通过上述第一电源线施加的电源电压比通过上述第二电源线施加的电源电压高。另外，上述驱动晶体管可能是在三极管领域内运行。另外,上述电压控制晶体管,驱动晶体管及检查晶体管可以以低电压驱动晶体管为特征。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术的像素电路可由低电压晶体管(LowVoltageTransistor)实现，因此，可以实现适合高分辨率的最小尺寸的显示装置。另外，本专利技术的像素电路利用低电压晶体管(LowVoltageTransistor)，在同样的尺寸下，可以确保最佳的错配（Mismatch）特性。附图说明图1为根据本专利技术的一个实施例,概括表示显示装置制造工序的图纸。图2为表示含在原有显示装置的像素电路的图纸。图3为根据本专利技术的一个实施例,概括表示显示装置的图纸。图4为图3中表示的，显示装置像素的一个例子。图5为根据本专利技术的另一个实施例，概括表示显示装置的图纸。图6为图5中表示的，显示装置像素的一个例子。图7为根据本专利技术的一个实施例,说明利用在本专利技术的偏电压晶体管的SOA(SafeOperatingArea)的图纸。图中：10：发光元件数组20：驱动电路基板30：显示装置121：控制部122：扫描驱动部123：数据驱动部124：电源供给部125:检查驱动部126：检查部127：偏差电压驱动部221：控制部222：PWM驱动部223：电流供给部224：电源供给部225：检查驱动部226：检查部227：偏差电压驱动部。具体实施方式本专利技术可进行多种变换,并具有多种实施例,将特定实施例在图纸上表示，并进行详细说明。本专利技术的效果及特点,以及实现它们的方法,参阅后面配图详细描述的实施例,则会更加明确。但本专利技术不限于以下提示的实施例,而是可以多种形式体现。以下,参照附图,详细说明本专利技术的实施例子,参照图纸说明时,对同一或对应的构成要素给予相同的图纸符号,并省略对此重复的说明。在以下实施例中,第1,第2等术语不是限定意义上的,而是为了将一个构成要素与其他构成要素区别开来。另外,在以下实施例中,除了单数的表述在文理上表示明显不同的意思外,包含复数的意思。在以下实施例中，表述X和Y连接时，包括X和Y电气连接，X和Y功能上连接，X和Y直接连接等几种情况。这里，X,Y是对象物体（例如，装置，元件，回路，配线，电极，端子，导电膜，层等）。因此，所定的连接关系,不局限于图纸或详细说明所表示的连接关系,可以包含图纸或详细说明所表示的连接关系以外的连接。X和Y电气连接时，实现X和Y电气连接的元件（例如，开关，晶体管，容量元件，电感器，电阻元件，二极管等），在X和Y之间可以包含连接1个以上元件的情况。在以下实施例中,与元件状态相关使用的"开ON"指元件的活跃状态,"关OFF"指元件的非活跃状态。与元件接收的信号相联系使用的"开ON"是指激活元件的信号,"关Off"可以指不激活元件的信号。元件可以被高电压或低电压激活。例如,P型晶体管由低电压激活,N型晶体管由高电压而激活。因此,要理解对P型晶体管和N型晶体管的"开ON"电压是相反(低对高)电压水平。在以下实施例中,"包括"或"具有"等术语意味着详单上所列的特征,或构成要素的存在,而不是预先排除一个以上其他特征或构成要素附加的可能性。图1为根据本专利技术的一个实施例,概括表示显示装置制造工序的图纸。参照图1，根据一个实施例，显示装置（30）可以包含发光元件数组（10）及驱动电路板（20）。发光元件数组（10）可以与驱动电路基板结合。显示装置（30）可以是微型显示装置。发光元件数组（10）可以包含多个发光元件。发光元件可以是发光二极管（LED）。发光元件可以是微型发光二极管（LED）。发光元件可以是微型至纳米大小的发光二极管（LED）。通过在半导体晶片(SW)上成长多个发光二极管,至少可以制造出一个发光元件数组(10)。因此，无需将发光二极管单独移送到驱动电路板(20),即可将发光元件数组(10)与驱动电路基板(20)结合,从而制造出显示装置(30)。驱动电路基板（20）对应发光元件数组（10）上的各个发光二极管，独立控制发光二极管的像素回路可以是排列的Si-CMOS基板。像素回路可包含至少一个晶体管及一个电容器。图2为表示含在原有显示装置的像素电路的图纸。参照图2，原有的像素电路,由于第一晶体管(T1)不受偏(Bias)电压限制,因此需要使用高电压晶体管(HighVoltageTransistor)。同理，不仅是第一晶体管（T1）,第二晶体管（T2）及第三晶体管也需要使用高电压晶体管(HighVoltageTransistor)。在原有的像素电路中使用的高电压晶体管(HighVoltageTransistor)，即使采用微型工艺,也需要一定的满足耐压(Breakdo本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用低电压晶体管的微型micro LED显示装置，其特征在于，包括包含多数像素的显示领域；及通过与上述多数像素连接的第1电源线及第2电源线施加电源的电源供给部；上述多数像素分别包含第1电极及第2电极，上述第1电极连接到上述第1电源线的发光元件；漏型端子与上述发光元件的上述第2电极连接，根据施加到栅端子的偏差电压维持开启状态，控制施加到源端子的电压的电压控制晶体管；漏型端子连接到上述电压控制晶体管源端子的驱动晶体管；及漏型端子与上述第2电源线连接，源端子与上述电压控制晶体管的源端子连接，测试上述像素缺陷的检查晶体管。/n

【技术特征摘要】
1.一种利用低电压晶体管的微型microLED显示装置，其特征在于，包括包含多数像素的显示领域；及通过与上述多数像素连接的第1电源线及第2电源线施加电源的电源供给部；上述多数像素分别包含第1电极及第2电极，上述第1电极连接到上述第1电源线的发光元件；漏型端子与上述发光元件的上述第2电极连接，根据施加到栅端子的偏差电压维持开启状态，控制施加到源端子的电压的电压控制晶体管；漏型端子连接到上述电压控制晶体管源端子的驱动晶体管；及漏型端子与上述第2电源线连接，源端子与上述电压控制晶体管的源端子连接，测试上述像素缺陷的检查晶体管。
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈廷仰，廖志洋，
申请(专利权)人：禹创半导体广州有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44