一种全光二极管器件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种全光二极管器件，包括第一波长选择性元件、第二波长选择性元件以及设置在第一波长选择性元件和第二波长选择性元件之间的频率转换层，频率转换层为频率转换元件或频率转换材料，所述第一波长选择性元件可透过第一波长光，反射第二波长光，所述第二波长选择性元件可反射第一波长光，透过第二波长光，所述频率转换层用于将第一波长光为第二波长光。本实用新型专利技术的结构能实现对光路的正向导通和反向截止，有高的正反向光信号传输的导通/截止强度比，且结构简单，易于集成，制作周期短，成本低、信号光源波长频率可选择、可调控。

An all-optical diode device

【技术实现步骤摘要】
一种全光二极管器件
本技术涉及一种全光二极管器件。
技术介绍
全光二极管是一种能够实现光信号单向导通反向截止的集成光子器件，完全利用光与物质的相互作用来实现信号光束的单向导通、反向截止、及导通特性调控等功能，是构造集成光子回路、实现光信号调控和光计算的核心器件之一，在光通讯、光互联网络以及超快速信息处理等领域都具有非常重要的应用背景。如何有效增强全光二极管的单向透射性、光隔离度、波长转换范围等性能，一直是学者们研究的重点。现有技术中出现了一些全光二极管器件，但存在以下缺点：1、现有技术结构设计复杂，实现起来需要的设备昂贵，多处于实验阶段，制作工艺难，制作周期长，效率极低，导致器件成本极高，无法实现批量生产应用。2、现有技术的结构存在信号光的输入输出特性商不可调控，因此不具有信号传输的实用性，有效使用频率一般在能带边缘，信号导通截止性能不稳定。
技术实现思路
本技术的目的是解决现有技术的不足，为此，提供一种全光二极管器件，包括第一波长选择性元件、第二波长选择性元件以及设置在第一波长选择性元件和第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种全光二极管器件，其特征在于：包括第一波长选择性元件、第二波长选择性元件以及设置在第一波长选择性元件和第二波长选择性元件之间的频率转换层，所述频率转换层为频率转换元件和频率转换材料中的一种，所述第一波长选择性元件可透过第一波长光，反射第二波长光，所述第二波长选择性元件可反射第一波长光，透过第二波长光，所述频率转换件用于将第一波长光转换为第二波长光。/n

【技术特征摘要】
1.一种全光二极管器件，其特征在于：包括第一波长选择性元件、第二波长选择性元件以及设置在第一波长选择性元件和第二波长选择性元件之间的频率转换层，所述频率转换层为频率转换元件和频率转换材料中的一种，所述第一波长选择性元件可透过第一波长光，反射第二波长光，所述第二波长选择性元件可反射第一波长光，透过第二波长光，所述频率转换件用于将第一波长光转换为第二波长光。


2.根据权利要求1所述的全光二极管器件，其特征在于，所述第一波长选择性元件、第二波长选择性元件为一维光子晶体、二维光子晶体、三维光子晶体、带通滤波光学薄膜的一种或数种。


3.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭滨刚，
申请(专利权)人：深圳市光科全息技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44