瞬变脉冲电压抑制器制造技术

本发明专利技术提供了一种瞬变脉冲电压抑制器。包括：串联连接的非线性高压触发涌流半导体与电场触发开关，非线性高压触发涌流半导体的组分材料包括：氧化铋、氧化锑、氧化钴、氧化锰、氧化铬、氧化硅、氢氧化铝、硝酸银、氧化铝、碳酸银、氧化硼、氧化锡、氧化铜、氧化镍、氧化锌和氧化锡。本发明专利技术的瞬变脉冲电压抑制器，使用在机动式野战防雷系统上，可以实现高能量雷电的高电压吸收，杜绝和减少雷电电磁脉冲对军用电子设备的全面危害，尤其在高山、海岛、戈壁、草原等地质地况复杂地区，效果明显。

Transient pulse voltage suppressor

【技术实现步骤摘要】
瞬变脉冲电压抑制器
本专利技术涉及防雷装置
，尤其涉及一种瞬变脉冲电压抑制器。
技术介绍
现代战争中，固定式指挥系统、通信系统、武器装备及医疗后勤补给系统，地理位置固定抗毁性极差，难以适应高技术条件下的战争生存需求。包括：机动式小区域野外作战阵地、机动式野战指挥所、机动式野战医院、机动式野战后勤保障仓库、机动式野战通讯车(野战雷达车、野战监听监测车、通信指挥车)及机动式小区域作战阵地(雷达站、观通站、指挥中心机房)等一体化综合信息系统，都必须具备随时转移和机动部署功能。在不同环境条件下临时开设的作战需求不同，系统除防御敌方“软杀伤”与“硬摧毁”的打击下，还要应对自然界恶劣环境及气候的考验。特别是雷电破坏尤为重要。一次闪电意味着单次、多次雷电流的冲击，可以造成电子系统线路及设备的严重破坏。这对于信息化设备而言是毁灭性的损伤。由于雷电具备寻找最小路径泄放雷云电荷与大地异性电荷快速中和的趋势及特点，而机动式野战系统都在野外工作，当附近发生闪电现象，强烈的感应雷电波非常容易的沿电缆线、通信信号线进入设备，造成设备损坏及人身安全事故。因此，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种瞬变脉冲电压抑制器，其特征在于，包括：串联连接的非线性高压触发涌流半导体与电场触发开关，所述瞬变脉冲电压抑制器与负载电路实现并联连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种瞬变脉冲电压抑制器，其特征在于，包括：串联连接的非线性高压触发涌流半导体与电场触发开关，所述瞬变脉冲电压抑制器与负载电路实现并联连接。


2.根据权利要求1所述的瞬变脉冲电压抑制器，其特征在于，所述非线性高压触发涌流半导体为晶粒境界层非线性半导体，静态材料排序为无序的单晶粒原电池原理，当外界施加电场满足破开境界势垒界面，则晶粒境界层半导体实现定向有序排列，非线性系数满足60以上，将电场以电荷的形式实现电位传递，形成电荷流，降低高压电场。


3.根据权利要求1所述的瞬变脉冲电压抑制器，其特征在于，所述电场触发开关包括内部带有触发功能多电极的放电间隙，该放电间隙通过氖气或氦气密封，所述多电极中的上下电极为功能电极，中心电极为脉冲触发电极，所述放电间隙中包括高频电容器和可变电阻，高频电容器为低容抗多叠层触发电容，可变电阻为电压变阻器与设定的放电电阻并联组成的并联体。


4.根据权利要求3所述的瞬变脉冲电压抑制器，其特征在于，当雷电高压来临时，所述放电间隙中的电容器完成点火后，放电间隙开始工作，形成回路效应，引发非线性高压触发涌流半导体开始工作，变阻功能将清除电场触发开关形成的先导放电电压毛刺通道，使得残余电压满足系统需要。


5.根据权利要求1所述的瞬变脉冲电压抑制器，其特征在于，所述瞬变脉冲电压抑制器与负载电路之间的并联连接包括凯文接线方式。


6.根据权利要求1所述的瞬变脉冲电压抑制器，其特征在于，所述电场触发开关的场触发电位≤200-350V，触发时间≤50纳秒，触发电流≤1KA，所述放电间隙中的电容器的高频脉冲电流＞5A，放电电阻的阻值≮1MΩ。


7.根据权利要求1所述的瞬变脉冲电压抑制器，其特征在于，所述非线性高压触发涌流半导体的起始电压≤150-300V，脉冲终点电流：≤5KA，瞬态节点电阻：≤0.01Ω，弧压降：≤30V，触发时间≮20纳秒。


8.根据权利要求1至7任一项所述的瞬变脉冲电压抑制器，其特征在于，所述非线性高压触发涌流半导体的组分材料包括：氧化铋、氧化锑、氧化钴、氧化锰、氧化铬、氧化硅、氢氧化铝、硝酸银、氧化铝、碳酸银、氧化硼、氧化锡、氧化铜、氧化镍、氧化锌和...

【专利技术属性】
技术研发人员：全宇辰，
申请(专利权)人：北京捷安通达科贸有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11