一种防止EOS损伤的二级电路保护电路制造技术

本发明专利技术公开了一种防止EOS损伤的二级电路保护电路，第一MOS管的源极连接电源输入端，第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极相连并都与第三MOS管的栅极相连，第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极相连并都连接在第一电阻和第一电容之间；第二电阻和第二电容并联后一端连接电源输入端，另一端与第三MOS管的漏极相连；第一倒相放大器的输入端与第三MOS管的漏极相连，第一倒相放大器的输出端与第二倒相放大器的输入端连接，第二倒相放大器的输出端与第四MOS管的栅极连接；第三电容一端连接在第二倒相放大器的输出端与第四MOS管的栅极之间，另一端接地。本发明专利技术能保护二级电路不受到快速上升的EOS能量损坏，提高电路运行稳定性，减少因EOS导致的电路不良，提升客户使用体验。

A secondary circuit protection circuit to prevent EOS damage

【技术实现步骤摘要】
一种防止EOS损伤的二级电路保护电路
本专利技术涉及电路保护
，尤其涉及一种防止EOS损伤的二级电路保护电路。
技术介绍
EOS的英文全称为ElectricalOverStress，是对所有的过度电性应力的总称。当EOS超过其最大指定极限后，器件功能会减弱或损坏，同时EOS也是公认的IC器件的头号杀手。由于它可能发生在产品的研发、测试乃至生产、存储、运输的各个环节，所以对厂商的电路设计，测试规范，生产流程以及物流中防护都有严格具体的要求，每年耗费整个半导体行业数十亿美金的资金。在实际进行EOS防护时，我们通常都会在接口位置设置大量的EOS防护电路，如TVS\OVP，或者串联电阻，这样能达到防护的目的。但是让人失望的是，不管我们怎么进行EOS防护，每年因为EOS导致的电路不良，都高居售后退机部门的客退原因榜首。究其原因，我们发现，因EOS导致电路不良的客退机中，大多数主要都是因为二级电路被EOS击伤，导致功能不良，从而需要退机。目前，现有技术中的电路设计里并没有专门针对二级电路的保护电路设计。专利
技术实现思路
本专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防止EOS损伤的二级电路保护电路，其特征在于，包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第一倒相放大器和第二倒相放大器；其中，/n所述第一MOS管的源极连接电源输入端，所述第一MOS管的漏极和所述第二MOS管的漏极相连并都与所述第三MOS管的栅极相连，所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的栅极相连并都连接在所述第一电阻和所述第一电容之间，所述第一电阻连接电源输入端，所述第一电容接地，所述第二MOS管的源极接地；/n所述第二电阻和所述第二电容并联后一端连接电源输入端，另一端与所述第三MOS管的漏极相连，所述第三MOS...

【技术特征摘要】
1.一种防止EOS损伤的二级电路保护电路，其特征在于，包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第一倒相放大器和第二倒相放大器；其中，
所述第一MOS管的源极连接电源输入端，所述第一MOS管的漏极和所述第二MOS管的漏极相连并都与所述第三MOS管的栅极相连，所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的栅极相连并都连接在所述第一电阻和所述第一电容之间，所述第一电阻连接电源输入端，所述第一电容接地，所述第二MOS管的源极接地；
所述第二电阻和所述第二电容并联后一端连接电源输入端，另一端与所述第三MOS管的漏极相连，所述第三MOS管的源极接地；
所述第一倒相放大器的输入端与所述第三MOS管的漏极相连，所述第一倒相放大器的输出端与所述第二倒相放大器的输入端连接，所述第二倒相放...

【专利技术属性】
技术研发人员：封梅泉，
申请(专利权)人：华勤通讯技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31