一种天线装置和电子设备制造方法及图纸

技术编号:24213534 阅读:44 留言:0更新日期:2020-05-20 17:59
本发明专利技术提供了一种天线装置和电子设备,涉及通信技术领域。天线装置包括:第一主辐射结构,设置第一信号输入端;与第一主辐射结构耦合连接的第一寄生辐射结构,第一主辐射结构的开路端与第一寄生辐射结构的开路端相对设置形成第一缝隙;第二主辐射结构,设置第二信号输入端;接地结构,分别与第一主辐射结构接地端和第二主辐射结构接地端连接;第一主辐射结构长度小于或等于第二主辐射结构长度的M倍,或第一主辐射结构长度大于或等于第二主辐射结构长度的N倍;第一寄生辐射结构长度处于第二主辐射结构长度的P倍和Q倍之间;0<M≤0.7,1.5≤N,0.5≤P≤1,1<Q≤1.5。上述方案能够提高天线的隔离度和辐射效率。

An antenna device and electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
一种天线装置和电子设备
本专利技术涉及通信
,特别涉及一种天线装置和电子设备。
技术介绍
随着第五代移动通信的发展,电子设备中引入了FR1和FR2新频段,天线数量的要求也大幅的增长,而电子设备天线设计的空间相比于第四代移动通信电子设备来说基本不变,造成6GHz以下频段的各天线间距急剧缩减,一些天线指标(如隔离,辐射效率等)受到影响。对一些同频或频率相近频段的双天线近距离相邻放置时,隔离问题往往会变得更为严重且难以处理。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种天线装置和电子设备,以解决天线的隔离度和辐射效率较低的问题。为了解决上述技术问题,本专利技术是这样实现的:第一方面,本专利技术实施例提供了一种天线装置,包括:第一主辐射结构,所述第一主辐射结构上设置有第一信号输入端;与所述第一主辐射结构耦合连接的第一寄生辐射结构,所述第一主辐射结构的开路端与所述第一寄生辐射结构的开路端相对设置,且形成有第一缝隙;第二主辐射结构,所述第二主辐射结构上设置有第二信号输入端;接地结构,所述接地结构分别与所述第一主辐射结构的接地端和所述第二主辐射结构的接地端连接;其中,所述第一主辐射结构的长度小于或等于所述第二主辐射结构的长度的M倍,或者,所述第一主辐射结构的长度大于或等于所述第二主辐射结构的长度的N倍;所述第一寄生辐射结构的长度处于所述第二主辐射结构的长度的P倍和Q倍之间;其中,0<M≤0.7,1.5≤N,0.5≤P≤1,1<Q≤1.5。>第二方面,本专利技术实施例还提供了一种电子设备,包括如上所述的天线装置。这样,本专利技术实施例中,通过设置与所述第一主辐射结构耦合连接的第一寄生辐射结构,所述第一主辐射结构的长度小于或等于所述第二主辐射结构的长度的M倍,或者,所述第一主辐射结构的长度大于或等于所述第二主辐射结构的长度的N倍,所述第一寄生辐射结构的长度处于所述第二主辐射结构21的长度的P倍和Q倍之间,其中,0<M≤0.7,1.5≤N,0.5≤P≤1,1<Q≤1.5,能够提高天线的隔离度和辐射效率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案,下面将对本专利技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1表示本专利技术实施例的天线装置的结构示意图之一;图2表示本专利技术实施例的天线装置的结构示意图之二;图3表示本专利技术实施例的天线装置的结构示意图之三;图4表示本专利技术实施例的天线装置的结构示意图之四;图5表示本专利技术实施例的天线装置的结构示意图之五;图6表示本专利技术实施例的第一天线与现有技术的回波损耗曲线对比图;图7表示本专利技术实施例的第二天线与现有技术的回波损耗曲线对比图;图8表示本专利技术实施例的天线装置与现有技术的传输系数曲线对比图;图9表示本专利技术实施例的第一天线与现有技术的辐射效率对比图;图10表示本专利技术实施例的第二天线与现有技术的辐射效率对比图;附图标记说明:1-第一天线,11-第一主辐射结构,12-第一寄生辐射结构,13-第一缝隙,14-第一信号输入端,15-第一可调节器件,16-第一接地端,2-第二天线,21-第二主辐射结构,211-第一辐射部分,212-第二辐射部分,22-第二寄生辐射结构,23-第二缝隙,24-第二信号输入端,25-第二可调节器件,26-第二接地端,3-接地结构,31-第一接地结构,32-第二接地结构。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。目前,现有技术通常把天线距离拉远,但是在电子设备具有越来越多天线的情况下不易实现。如果通过电容和电感组合成的滤波器加载滤波的方法对一些情况,比如临近频段(比如WiFi2.4G和B41)且馈点靠的比较近的时候,效果可能不理想,会造成额外损耗。因此,目前电路解耦方法往往只能处理单频段,对于多频或宽频解耦网络庞大,且设计很复杂,不能使用在电子设备中。而且电子设备的板上空间很紧张,基本没有太多额外走线空间来设计额外的解耦网络。目前,常规的金属手机边框天线,双倒F天线背靠背(共地)类型,如果是临近频段(比如第一天线1工作在WiFi2.4G+5G,第二天线2工作在中高频1.7-2.7GHz,那么WiFi2.4G和B40/B41就是临频),且两天线连筋位(共地结构)宽度较窄,再加上通常双倒F天线枝节都比较长且长度接近,这样就会造成每个倒F天线枝节在自己的工作频段和另一支天线的工作频段电流模式的权重都比较高,此时天线馈点作为结构上一个电流模式的50ohm加载,就会造成能量的吸收损耗,表现在天线端口隔离度上,隔离就会下降。因此,本专利技术实施例提供了一种天线装置和电子设备,不仅能够提高隔离度,还能够提高辐射效率。具体的,如图1至图5所示,本专利技术实施例提供了一种天线装置,包括:第一主辐射结构11,所述第一主辐射结构11上设置有第一信号输入端14;与所述第一主辐射结构11耦合连接的第一寄生辐射结构12,所述第一主辐射结构11的开路端与所述第一寄生辐射结构12的开路端相对设置,且形成有第一缝隙13;第二主辐射结构21,所述第二主辐射结构21上设置有第二信号输入端24;接地结构3,所述接地结构3分别与所述第一主辐射结构11的接地端和所述第二主辐射结构21的接地端连接;其中,所述第一主辐射结构11的长度小于或等于所述第二主辐射结构21的长度的M倍,或者,所述第一主辐射结构11的长度大于或等于所述第二主辐射结构21的长度的N倍;所述第一寄生辐射结构12的长度处于所述第二主辐射结构21的长度的P倍和Q倍之间;其中,0<M≤0.7,1.5≤N,0.5≤P≤1,1<Q≤1.5。具体的,所述第一主辐射结构11和所述第二主辐射结构21可以为一体结构,即所述第一主辐射结构11的接地端和所述第二主辐射结构21的接地端连接形成一体结构;或者,所述第一主辐射结构11和所述第二主辐射结构21分立,即所述第一主辐射结构11的接地端和所述第二主辐射结构21的接地端互相靠近但不连接。其中,所述第一缝隙的宽度可以处于0.5mm~2mm之间,如:1.5mm。具体的,所述第一主辐射结构11和所述第二主辐射结构21可以为一字型结构,也可以为倒L型结构等;如图4和5所示,所述第二主辐射结构21为倒L型结构,包括第一辐射部分211和第二辐射部分212。具体的,所述第一主辐射结构11、第一寄生辐射结构12、第一信号输入端14、所述接地结构3共同构成第一天线1,所述第二主辐射结构21、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种天线装置,其特征在于,包括:/n第一主辐射结构(11),所述第一主辐射结构(11)上设置有第一信号输入端(14);/n与所述第一主辐射结构(11)耦合连接的第一寄生辐射结构(12),所述第一主辐射结构(11)的开路端与所述第一寄生辐射结构(12)的开路端相对设置,且形成有第一缝隙(13);/n第二主辐射结构(21),所述第二主辐射结构(21)上设置有第二信号输入端(24);/n接地结构(3),所述接地结构(3)分别与所述第一主辐射结构(11)的接地端和所述第二主辐射结构(21)的接地端连接;/n其中,所述第一主辐射结构(11)的长度小于或等于所述第二主辐射结构(21)的长度的M倍,或者,所述第一主辐射结构(11)的长度大于或等于所述第二主辐射结构(21)的长度的N倍;所述第一寄生辐射结构(12)的长度处于所述第二主辐射结构(21)的长度的P倍和Q倍之间;其中,0<M≤0.7,1.5≤N,0.5≤P≤1,1<Q≤1.5。/n

【技术特征摘要】
1.一种天线装置,其特征在于,包括:
第一主辐射结构(11),所述第一主辐射结构(11)上设置有第一信号输入端(14);
与所述第一主辐射结构(11)耦合连接的第一寄生辐射结构(12),所述第一主辐射结构(11)的开路端与所述第一寄生辐射结构(12)的开路端相对设置,且形成有第一缝隙(13);
第二主辐射结构(21),所述第二主辐射结构(21)上设置有第二信号输入端(24);
接地结构(3),所述接地结构(3)分别与所述第一主辐射结构(11)的接地端和所述第二主辐射结构(21)的接地端连接;
其中,所述第一主辐射结构(11)的长度小于或等于所述第二主辐射结构(21)的长度的M倍,或者,所述第一主辐射结构(11)的长度大于或等于所述第二主辐射结构(21)的长度的N倍;所述第一寄生辐射结构(12)的长度处于所述第二主辐射结构(21)的长度的P倍和Q倍之间;其中,0<M≤0.7,1.5≤N,0.5≤P≤1,1<Q≤1.5。


2.根据权利要求1所述的天线装置,其特征在于,所述M为1/2。


3.根据权利要求1所述的天线装置,其特征在于,所述N为2。


4.根据权利要求1至3任一项所述的天线装置,其特征在于,所述P为0.7,Q为1.3。


5.根据权利要求1所述的天线装置,其特征在于,所述天线装置还包括:
与所述第二主辐射结构(21)耦合连接的第二寄生辐射结构(22),所述第二寄生辐射结构(22)的开路端与所...

【专利技术属性】
技术研发人员:王君翊程孝奇
申请(专利权)人:维沃移动通信有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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