【技术实现步骤摘要】
像素驱动电路及其驱动方法、显示装置
本专利技术属于显示
,具体涉及一种像素驱动电路及其驱动方法、显示装置。
技术介绍
有源矩阵有机发光二极体面板(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode,简称:AMOLED)的应用越来越广泛。AMOLED的像素显示器件为有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,简称OLED),AMOLED能够发光是通过驱动薄膜晶体管在饱和状态下产生驱动电流,该驱动电流驱动发光器件发光。现有的基本的像素驱动电路采用2T1C电路,该2T1C电路包括两个薄膜晶体管(开关晶体管T1和驱动晶体管DTFT)和1个存储电容Cst。但是,由于在现有的低温多晶硅工艺制程中,显示基板上各个驱动晶体管之间的阈值电压Vth均匀性较差,这样向驱动晶体管输入相同数据电压时,由于驱动晶体管的阈值电压不同产生不同的驱动电流,从而导致发光器件亮度的均匀性较差。同时,随着面板尺寸越来越大,电源电压经过电源线输入至面板中不同像素单元的像素驱动电路,由于IRdrop的存在,将会导致,面板距离电源线输入端较近的像素驱动电路写入的电源电压大于,距离电源线输入端较远的像素驱动电路写入的电源电压,从而同样会导致发光器件的发光亮度不均匀。因此,提供一款能够提高面板显示均匀性的像素驱动电路是亟需要解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种像素驱动电路及其驱动方法、显示装置。第一方面,本专利技术实施例 ...
【技术保护点】
1.一种像素驱动电路,其特征在于,包括:数据写入子电路、发光控制子电路、阈值补偿子电路、电源电压补偿子电路、驱动晶体管和存储电容;其中,/n所述数据写入子电路,被配置为响应于扫描信号,并将数据电压信号传输至N1节点,以对所述存储电容进行充电;所述N1节点为所述存储电容的第一端、所述驱动晶体管的控制极、所述阈值补偿子电路和复位子电路之间的连接节点;/n所述阈值补偿子电路,被配置为响应于扫描信号,而将阈值补偿电压写入N1节点,以及将参考电压写入N2节点,并通过调用所述存储电容,以对所述驱动晶体管的阈值电压进行补偿;所述N2节点为所述阈值补偿子电路、所述存储电容的第二端和所述电源电压补偿模块之间的连接节点;/n所述电源电压补偿子电路,被配置为响应于发光控制信号,通过第一电源电压及调用所述存储电容,将电源补偿电压写入N1节点,以避免所述第一电源电压影响所述驱动晶体管的驱动电流;/n所述发光控制子电路,被配置为响应于发光控制信号,而将所述驱动晶体管输出的驱动电流输出给发光器件,以使所述发光器件发光。/n
【技术特征摘要】
1.一种像素驱动电路,其特征在于,包括:数据写入子电路、发光控制子电路、阈值补偿子电路、电源电压补偿子电路、驱动晶体管和存储电容;其中,
所述数据写入子电路,被配置为响应于扫描信号,并将数据电压信号传输至N1节点,以对所述存储电容进行充电;所述N1节点为所述存储电容的第一端、所述驱动晶体管的控制极、所述阈值补偿子电路和复位子电路之间的连接节点;
所述阈值补偿子电路,被配置为响应于扫描信号,而将阈值补偿电压写入N1节点,以及将参考电压写入N2节点,并通过调用所述存储电容,以对所述驱动晶体管的阈值电压进行补偿;所述N2节点为所述阈值补偿子电路、所述存储电容的第二端和所述电源电压补偿模块之间的连接节点;
所述电源电压补偿子电路,被配置为响应于发光控制信号,通过第一电源电压及调用所述存储电容,将电源补偿电压写入N1节点,以避免所述第一电源电压影响所述驱动晶体管的驱动电流;
所述发光控制子电路,被配置为响应于发光控制信号,而将所述驱动晶体管输出的驱动电流输出给发光器件,以使所述发光器件发光。
2.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述像素驱动电路还包括:复位子电路;其中,
所述复位子电路,被配置为响应于复位信号,通过初始化电压对所述N1节点电位进行复位,同时通过所述初始化电压改变所述发光器件第一极和第二极的正向偏压状态。
3.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述复位子电路包括:第一晶体管和第二晶体管;其中,
所述第一晶体管的第一极连接初始电压信号端,第二极连接所述N1节点,控制极连接复位信号端;
所述第二晶体管的第一极连接所述初始电压信号端,第二极连接所述所述发光器件的第一极,控制极连接所述复位信号端。
4.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述阈值补偿子电路包括:第三晶体管和第四晶体管;其中,
所述第三晶体管的第一极连接所述N1节点,第二极连接所述驱动晶体管的第二极,控制极连接扫描线;
所述第四晶体管的第一极连接参考电压信号端,所述第二极连接所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:余强,龙永,吴欣欣,邵正坤,高贤永,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,重庆京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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