硅通孔信号导通控制电路和三维集成电路制造技术

本发明专利技术提供一种硅通孔信号导通控制电路和三维集成电路，包括两个信号导通控制电路。第一信号导通控制电路，连接硅通孔的第一端，用于控制信号通过第一端输入至硅通孔内部，或由硅通孔内部通过第一端输出。第二信号导通控制电路，连接硅通孔的第二端，用于控制信号通过第二端输入至硅通孔内部，或由硅通孔内部通过第二端输出。本发明专利技术硅通孔的任一端都可以作为信号输入端，也可以作为信号输出端。两个端口配合，可以实现信号沿不同的方向传入或传出硅通孔，信号传输方式增多，提高了硅通孔信号传输能力。

【技术实现步骤摘要】
硅通孔信号导通控制电路和三维集成电路
本专利技术涉及三维集成
，具体而言，涉及一种硅通孔信号导通控制电路和三维集成电路。
技术介绍
随着集成电路的不断发展，当半导体工艺器件进展到纳米级别后，进一步利用减小特征尺寸来提高集成度越来越难，而三维集成的堆叠芯片成为另一种提高集成度的可能形式。硅通孔(ThroughSiliconVia，TSV)技术是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种方式，即在硅晶圆或裸芯上适当的位置制作垂直通孔，实现硅晶圆或裸芯之间的电连接。硅通孔技术使芯片在三维方向堆叠的密度更大、芯片之间的互连线更短、外形尺寸更小，制造出结构更复杂、性能更强大、更低成本的芯片。目前硅通孔的端口只能固定作为信号的输入端或输出端，信号只能沿预定的传输方向传输，功能较单一。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种硅通孔信号导通控制电路，解决现有硅通孔信号传输方向无法调整的问题。根据本专利技术的一个方面，提供一种硅通孔信号导通控制电路，包括：第一信号导通控制电路，连接硅通孔的第一端，用于控制信本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅通孔信号导通控制电路，其特征在于，包括：/n第一信号导通控制电路，连接硅通孔的第一端，用于控制信号由集成电路通过所述第一端输入至所述硅通孔内部，或由所述硅通孔内部通过所述第一端输出至集成电路；/n第二信号导通控制电路，连接硅通孔的第二端，用于控制信号由集成电路通过所述第二端输入至所述硅通孔内部，或由所述硅通孔内部通过所述第二端输出至集成电路。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅通孔信号导通控制电路，其特征在于，包括：
第一信号导通控制电路，连接硅通孔的第一端，用于控制信号由集成电路通过所述第一端输入至所述硅通孔内部，或由所述硅通孔内部通过所述第一端输出至集成电路；
第二信号导通控制电路，连接硅通孔的第二端，用于控制信号由集成电路通过所述第二端输入至所述硅通孔内部，或由所述硅通孔内部通过所述第二端输出至集成电路。


2.根据权利要求1所述的硅通孔信号导通控制电路，其特征在于，所述第一信号导通控制电路和第二信号导通控制电路均包括：
信号输入端和信号输出端，共同连接于所述硅通孔的一端；
第一开关元件，位于所述信号输入端和所述硅通孔的一端之间，用于控制所述信号由所述信号输入端传入所述硅通孔；
第二开关元件，位于所述信号输出端和所述硅通孔的一端之间，用于控制所述信号由所述信号输出端传出所述硅通孔。


3.根据权利要求2所述的硅通孔信号导通控制电路，其特征在于，所述第一开关元件为第一传输门，所述第二开关元件为第二传输门，所述第一传输门和第二传输门均采用CMOS传输门。


4.根据权利要求3所述的硅通孔信号导通控制电路，其特征在于，所述第一传输门和第二传输门接受同一互补控制信号。


5.根据权利要求4所述的硅通孔信号导通控制电路，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨正杰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34