一种提升垂直腔面发射激光器湿法氧化工艺均匀性的方法及装置制造方法及图纸

技术编号:24175061 阅读:30 留言:0更新日期:2020-05-16 04:18
本发明专利技术公开了一种提升垂直腔面发射激光器湿法氧化工艺均匀性的方法,将垂直腔面发射激光器放置加热炉中,启动加热炉加热至反应温度,然后将水蒸汽以恒定流量由载气带入加热炉,水蒸汽和垂直腔面发射激光器的外延片中暴露的高铝组分化合物发生反应,形成氧化物限制结构,即氧化铝绝缘层。本发明专利技术还提供了提升垂直腔面发射激光器湿法氧化工艺均匀性的装置。本发明专利技术中的VCSEL湿法氧化用于反应的水蒸汽由恒定水流量的蒸汽发生装置产生,水蒸汽流量稳定且恒定,能够稳定控制氧化深度,提高氧化的均匀性和重复性,解决了现有方法中氮气携带水蒸汽的量不稳定导致氧化深度稳定性不易控制的问题。

A method and device to improve the uniformity of wet oxidation process of vertical cavity surface emitting laser

【技术实现步骤摘要】
一种提升垂直腔面发射激光器湿法氧化工艺均匀性的方法及装置
本专利技术涉及一种湿法氧化工艺,尤其涉及一种提升垂直腔面发射激光器湿法氧化工艺均匀性的方法。本专利技术同时还涉及上述工艺使用的装置。
技术介绍
垂直腔面发射激光器(VCSEL)是一种半导体激光器,其激光垂直于顶面射出。其结构是P型和N型布拉格反射镜和夹在中间的谐振腔。P型和N型布拉格反射镜都有多层外延片组成,以达到99%的反射率。为了达到低的阈值电流,通常会有一层高含铝层,高含铝层经过部分氧化之后形成氧化铝绝缘层,可以达到对电流的限制和光学限制,这样可以减小阈值电流和提高电光转换效率。湿法氧化法是指在VCSEL有源层和上下分布式布拉格反射镜(DBR)层之间插入含有高铝组分的ALGaAs氧化层,利用水蒸汽从侧向氧化生成氧化铝,形成高阻值限制区,用来进行电限制和光限制,可以使VCSEL极低阙值实现连续发射。在VCSEL制作过程中,需要对一层高含铝的外延片进行湿氧氧化,根据结构的不同,氧化深度在几个微米到十几个微米之间,要求氧化深度精确可控,而且氧化的重复性均匀性比较好。如图1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提升垂直腔面发射激光器湿法氧化工艺均匀性的方法,其特征是,将垂直腔面发射激光器放置加热炉中,启动加热炉加热至反应温度,然后将水蒸汽以恒定流量由载气带入加热炉,水蒸汽和垂直腔面发射激光器的外延片中暴露的高铝组分化合物发生反应,形成氧化物限制结构,即氧化铝绝缘层。/n

【技术特征摘要】
1.一种提升垂直腔面发射激光器湿法氧化工艺均匀性的方法,其特征是,将垂直腔面发射激光器放置加热炉中,启动加热炉加热至反应温度,然后将水蒸汽以恒定流量由载气带入加热炉,水蒸汽和垂直腔面发射激光器的外延片中暴露的高铝组分化合物发生反应,形成氧化物限制结构,即氧化铝绝缘层。


2.根据权利要求1所述的提升垂直腔面发射激光器湿法氧化工艺均匀性的方法,其特征是,所述水的流量为5g/min-30g/min,控制精度0.5%-1%。


3.根据权利要求1所述的提升垂直腔面发射激光器湿法氧化工艺均匀性的方法,其特征是,蒸汽发生装置汽化温度为120°-200°。


4.根据权利要求1所述的提升垂直腔面发射激光器湿法氧化工艺均匀性的方法,其特征是,所述载气经载气管路通入蒸汽发生装置,产生的水蒸汽由载气带入加热炉。


5.根据权利要求1所述的提升垂直腔面发射激光器湿法氧化工艺均匀性的方法,其特征是,所述载气常温通入蒸汽发生装置,由蒸汽发生装置加热到300-400度,流量为2-10L/min。

【专利技术属性】
技术研发人员:罗玉辉程元红何兵
申请(专利权)人:深亮智能技术中山有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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