激光元件制造技术

本发明专利技术公开一种激光元件，其包含一透明基板、一接着层以及一激光单元。透明基板包含一导电层。接着层连接于透明基板。激光单元包含一正导电结构以及一背导电结构。正导电结构连接于接着层。背导电结构与正导电结构相对，且背导电结构包含相互分离的多个检测电极。其中多个检测电极自背导电结构延伸并贯穿正导电结构以及接着层并连接一导电层。

【技术实现步骤摘要】
激光元件
本专利技术涉及一种激光元件及其制造方法，特别是涉及一种整合监测电路的激光元件及其制造方法。
技术介绍
激光模块是将激光元件，例如：垂直腔表面发光激光(VerticalCavitySurfaceEmittingLasers,VCSEL)，与相对应的光学元件组装作为激光光源，然而，在使用过程中，若激光模块遭受外力碰撞或摔落，可能导致光学元件破裂，从而激光元件所发射的激光光线将未经任何光学处理即从破裂处外泄，可能直射到人眼。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术部分实施例提供一种激光元件及其制造方法。本专利技术一实施例的激光元件包含一透明基板、一接着层以及一激光单元。透明基板包含一导电层。接着层连接于透明基板。激光单元包含一正导电结构、一背导电结构以及一通孔。正导电结构连接于接着层。背导电结构与正导电结构相对，且背导电结构包含相互分离的多个检测电极。通孔自背导电结构延伸并贯穿正导电结构以及接着层；其中通孔的两端分别连接于多个检测电极以及一导电层。本专利技术另一实施例的激光元件包含一透明基板、一接着层、一导电区域以及一激光单元。接着层连接于透明基板。导电区域设于接着层的周缘。激光单元包含一正导电结构、一背导电结构以及一通孔。正导电结构连接于接着层。背导电结构与导电结构相对，且背导电结构包含相互分离的多个检测电极。通孔自背导电结构延伸并贯穿正导电结构；其中通孔的两端分别连接于多个检测电极以及一导电区域，导电区域环绕激光单元且彼此电性分离。以下通过具体实施例配合所附的附图详加说明，当更容易了解本专利技术的目的、
技术实现思路
、特点及其所达成的功效。附图说明图1为本专利技术一实施例的激光元件的一示意图；图2为本专利技术一实施例的激光元件沿AA’俯视面的一示意图；图3为本专利技术一实施例的激光元件沿AA’俯视面的一示意图；图4为本专利技术一实施例的激光元件沿AA’俯视面的一示意图；图5A为本专利技术一实施例的激光元件沿AA’俯视面的一示意图；图5B为本专利技术一实施例的激光元件沿AA’俯视面的一示意图；图6为本专利技术一实施例的激光元件的一示意图；图7为本专利技术一实施例的激光元件的一示意图；图8为本专利技术一实施例的激光元件的一示意图；图9为本专利技术一实施例的激光元件的一示意图；图10为本专利技术一实施例的激光元件的一示意图；图11为本专利技术一实施例的激光元件的一示意图；图12至图16为本专利技术一实施例的激光元件的制造步骤的示意图；图17至图21为本专利技术一实施例的激光元件的制造步骤的示意图；图22至图24为本专利技术一实施例的激光元件的制造步骤的示意图。符号说明1透明基板1a、1b表面10导电层12光学结构2接着层3激光单元30正导电结构31第一型半导体层32背导电结构320导电通孔321、322检测电极323、324导电电极33活性层34通孔340钝化层35第二型半导体层36保护层38基板AA’俯视面L激光光线具体实施方式以下将详述本专利技术的各实施例，并配合附图作为例示。在说明书的描述中，为了使读者对本专利技术有较完整的了解，提供了许多特定细节；然而，本专利技术可能在省略部分或全部特定细节的前提下仍可实施。附图中相同或类似的元件将以相同或类似符号来表示。特别注意的是，附图仅为示意之用，并非代表元件实际的尺寸或数量，有些细节可能未完全绘出，以求附图的简洁。请参照图1，本专利技术一实施例的激光元件包含一透明基板1、一接着层2以及一激光单元3。透明基板1包含一导电层10，举例而言：透明基板包含蓝宝石(Sapphire)、玻璃或碳化硅(SiC)。在部分实施例中，透明基板1为光学元件，也可经由图案化处理后产生特定的光学效果，但不以此为限。导电层10包含透明导电薄膜(TransparentConductiveOxide)或金属，其中，透明导电薄膜可为氧化铟锡(indiumtinoxide,ITO)或氧化铟锌(indiumzincoxide,IZO)。在本实施例中，导电层10是设于透明基板1与接着层2之间，但不以此为限。接着层2其一侧连接于透明基板1的导电层10，且其另一侧连接于激光单元3的出光侧。举例而言，接着层为苯环丁烯(Benzocyclobutene,BCB)、二氧化硅或透明导电薄膜，但不以此为限。激光单元3包含一正导电结构30、一第一型半导体层31、一活性层33、一第二型半导体层35、一保护层36、一背导电结构32，其中背导电结构32包含相互分离的一第一导电电极323以及一第二导电电极324。本文以第一型及第二型分别指称不同电性的半导体结构，若半导体结构以空穴为多数载流子即为p型半导体，若半导体结构以电子为多数载流子即为n型半导体，举例而言，第一型半导体层为n型半导体，且第二型半导体层为p型半导体，反之亦可。由于第二型半导体层35是成长在电性相异的第一型半导体层31上，因此，将在二者交界处形成pn结(pnjunction)产生空乏区而发光，可在pn结邻近区域定义出一活性层33。在部分实施例中，活性层33包含多个量子阱层(MultipleQuantumWells)，以增进发光效率，但不以此为限。在一实施例中，第一型半导体层31、第二型半导体层35及活性层33的材料包含三五族化合物半导体，例如可以为：GaAs、InGaAs、AlGaAs、AlInGaAs、GaP、InGaP、AlInP、AlGaInP、GaN、InGaN、AlGaN、AlInGaN、AlAsSb、InGaAsP、InGaAsN、AlGaAsP等。在本专利技术的实施例中，若无特别说明，上述化学表示式包含「符合化学剂量的化合物」及「非符合化学剂量的化合物」，其中，「符合化学剂量的化合物」例如为三族元素的总元素剂量与五族元素的总元素剂量相同，反之，「非符合化学剂量的化合物」例如为三族元素的总元素剂量与五族元素的总元素剂量不同。举例而言，化学表示式为AlGaAs即代表包含三族元素铝(Al)及/或镓(Ga)，以及包含五族元素砷(As)，其中三族元素(铝及/或镓)的总元素剂量可以与五族元素(砷)的总元素剂量相同或相异。另外，若上述由化学表示式表示的各化合物为符合化学剂量的化合物时，AlGaAs即代表Alx1Ga(1-x1)As，其中，0≤x1≤1；AlInP代表Alx2In(1-x2)P，其中，0≤x2≤1；AlGaInP代表(Aly1Ga(1-y1))1-x3Inx3P，其中，0≤x3≤1，0≤y1≤1；AlGaN代表Alx4Ga(1-x4)N，其中，0≤x4≤1；AlAsSb代表AlAsx5Sb(1-x5)，其中，0≤x5≤1；InGaP代表Inx6Ga1-x6P，其中，0≤x6≤1；InGaAsP代表Inx7Ga1-x7As1-y2Py2，其中，0≤x7≤1，0≤y2≤1；InGaAsN代表Inx8Ga本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种激光元件，其特征在于，该激光元件包含：/n透明基板，包含导电层；/n接着层，连接于该透明基板；以及/n激光单元，包含：/n正导电结构，连接于该接着层；以及/n背导电结构，与该正导电结构相对，包含相互分离的多个检测电极，/n其中，该多个检测电极自该背导电结构延伸并贯穿该正导电结构以及该接着层，并连接该导电层。/n

【技术特征摘要】
20181108 TW 1071397391.一种激光元件，其特征在于，该激光元件包含：
透明基板，包含导电层；
接着层，连接于该透明基板；以及
激光单元，包含：
正导电结构，连接于该接着层；以及
背导电结构，与该正导电结构相对，包含相互分离的多个检测电极，
其中，该多个检测电极自该背导电结构延伸并贯穿该正导电结构以及该接着层，并连接该导电层。


2.如权利要求1所述的激光元件，其中该背导电结构还包含相互分离的多个导电电极，与该多个检测电极相互分离且共平面，且该激光单元还包含导电通孔，其两端分别连接于该正导电结构与该背导电结构的该多个检测电极其中之一。


3.如权利要求1所述的激光元件，其中该激光单元还包含：
钝化层，设于该检测通孔的内壁。


4.如权利要求1所述的激光元件，其中该导电层设于该透明基板上与该接着层相反的一侧，且该检测通孔贯穿该透明基板。


5.如权利要求1所述的激光元件，其中该透明基板还包含一光学结构，设于该透明基板上与该接着层相反的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：锺昕展，陈守龙，
申请(专利权)人：晶智达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71