【技术实现步骤摘要】
一种碳包覆二维硅及其制备方法与应用
本专利技术涉及二维硅制备
，尤其涉及一种碳包覆二维硅及其制备方法与应用。
技术介绍
本专利技术
技术介绍
中公开的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。硅作为锂离子电池的负极材料时，具有高的理论容量、低的工作电位，并且来源广泛，储量丰富，是一种有前途的锂离子电池负极材料。然而，硅负极存在的一些不足限制了它的商业化发展，本专利技术人发现这些不足主要包括以下几个方面：(1)硅负极在循环过程中会产生明显的体积膨胀，造成固态电解质膜的连续生长，电解液和锂离子的不断消耗，此外，体积膨胀造成活性材料的粉化破碎，最终导致电池性能衰减。(2)硅是一种半导体材料，电子导电性较差，限制了其作为电池负极材料时的倍率性能。(3)现有制备硅负极的制备方法比较复杂，制备成本较高，很难实现规模化制备。
技术实现思路
针对上述的问题，本专利技术提出一种碳包覆二维硅及其制备方法与应用。本专利技术不仅...
【技术保护点】
1.一种碳包覆二维硅，其特征在于，是由具有多孔结构的层状硅材料以及包覆在该硅材料表面的碳层组成。/n
【技术特征摘要】
1.一种碳包覆二维硅，其特征在于，是由具有多孔结构的层状硅材料以及包覆在该硅材料表面的碳层组成。
2.如权利要求1所述的碳包覆二维硅，其特征在于，所述碳层具有石墨化状态。
3.如权利要求1所述的碳包覆二维硅，其特征在于，所述碳层的厚度在1-200nm之间，优选为8-12nm。
4.一种碳包覆二维硅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：以ASi2型合金为前驱体，在二氧化碳和/或烃类气氛中对所述前驱体进行加热反应，完成后对得到的固体产物进行酸洗处理，得到碳包覆二维硅。
5.如权利要求4所述的碳包覆二维硅的制备方法，其特征在于，所述前驱体包括：CaSi2、NiSi2、FeSi2、TiSi2、CoSi2、CrSi2、NbSi2、ZrSi2、MoSi2、LiSi2中的任意一种或两种及以上的混合物。
6.如权利要求4所述的碳包覆二维硅的制备方法，其特征在于，所述二氧化碳或/和烃类气氛中还含有惰性气体。
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