阵列基板以及显示面板制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种阵列基板以及显示面板，阵列基板包括：具有电容区和非电容区的衬底基板；存储电容，位于电容区；存储电容包括沿远离衬底基板的方向依次层叠的第一电极层、第一电介质层、第二电极层、第二电介质层和第三电极层，第三电极层通过第一过孔与第一电极层电连接且与第二电极层绝缘；还包括位于非电容区的绝缘层，第一电介质层和/或第二电介质层的厚度小于与其同层设置且材料相同的位于所述非电容区的绝缘层的厚度。本发明专利技术实施例提供的技术方案通过增加存储电容和改变电介质层的厚度这两者相结合的方式，增大了存储电容的电容值，促使显示面板在一帧时间内保持不变的亮度，进而显示稳定的画面。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板以及显示面板
本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种阵列基板以及显示面板。
技术介绍
随着科学技术的发展，显示面板在智能手机、平板电脑和笔记本电脑等显示装置中的应用越来越广泛。显示面板的显示单元通过驱动电路提供的驱动信号，来显示稳定的画面。现有的显示面板中的显示单元的驱动信号稳定性较差，导致显示画面存在不稳定的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种阵列基板以及显示面板，解决了现有技术中现有的显示面板中的显示单元的驱动信号稳定性较差，导致显示画面存在不稳定的技术问题。第一方面，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板，所述衬底基板包括电容区和与所述电容区相邻设置的非电容区；存储电容，位于所述衬底基板的一侧，且位于所述电容区；其中，所述存储电容包括沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一电极层、第一电介质层、第二电极层、第二电介质层和第三电极层，所述第三电极层通过第一过孔与所述第一电极层电连接且与所述第二电极层绝缘；所述阵列基板还包括位于所述非电容区的绝缘层，所述第一电介质层和/或第二电介质层的厚度小于与其同层设置且材料相同的位于所述非电容区的绝缘层的厚度。该技术方案增大了存储电容的电容值，促使显示面板在一帧时间内保持不变的亮度，进而显示稳定的画面。可选地，所述阵列基板还包括位于所述非电容区的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、第一绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极，所述有源层位于所述衬底基板和所述第一绝缘层之间，所述栅极位于所述第一绝缘层远离所述有源层的一侧，所述层间绝缘层覆盖所述栅极，所述源极和所述漏极位于所述层间绝缘层远离所述有源层一侧的表面，所述源极和所述漏极分别通过第二过孔与所述有源层连接；所述第一电极层与所述栅极位于同一层且材料相同；优选地，所述第一电极层与所述栅极相连。该技术方案在制作存储电容的同时，制作了薄膜晶体管，达到了简化工艺流程，降低成本的效果。可选地，所述阵列基板还包括电源线，所述层间绝缘层包括第一层间绝缘层和第二层间绝缘层，所述第一层间绝缘层覆盖所述栅极，所述第二层间绝缘层覆盖所述电源线以及所述第一层间绝缘层，所述第一电介质层与所述第一层间绝缘层位于同一层且材料相同，所述第二电极层与所述电源线位于同一层且材料相同；优选地，所述第二电极层与所述电源线相连。该技术方案在制作存储电容的第二电极层的同时，制作了电源线，达到了简化工艺流程，降低成本的效果。可选地，所述第二层间绝缘层与所述第二电介质层位于同一层且材料相同；优选地，所述第二电介质层的厚度为100nm～200nm；优选地，所述第三电极层与所述源极和/或所述漏极位于同一层且材料相同。该技术方案在制作存储电容的第三电极层的同时，制作了薄膜晶体管的源极或漏极，达到了简化工艺流程，降低成本的效果。可选地，所述存储电容还包括第三电介质层和第四电极层，所述第四电极层位于所述第三电极层远离所述衬底基板的一侧，所述第三电介质层位于所述第三电极层与所述第四电极层之间；所述第四电极层通过第三过孔与所述第二电极层电连接且与所述第三电极层绝缘；优选地，所述第三电介质层的厚度小于与其同层设置且材料相同的位于所述非电容区的绝缘层的厚度。该技术方案进一步增大了存储电容的电容值，促使显示面板在一帧时间内保持不变的亮度，进而显示稳定的画面。可选地，所述阵列基板还包括覆盖所述第二层间绝缘层的第二绝缘层，所述第三电介质层与所述第二绝缘层位于同一层且材料相同；优选地，所述第三电介质层的厚度小于所述第二绝缘层的厚度；优选地，所述第二绝缘层的厚度为150nm～300nm，所述第三电介质层的厚度为100nm～150nm；优选地，所述第二绝缘层的材料为SiNx。该技术方案在制作存储电容的第三电介质层的同时，制作了第二绝缘层，达到了简化工艺流程，降低成本的效果。可选地，所述阵列基板还包括覆盖所述第二层间绝缘层的第一平坦化层，所述第三电介质层与所述第一平坦化层位于同一层且材料相同；优选地，所述第三电介质层的厚度小于所述第一平坦化层的厚度；优选地，所述第一平坦化层的厚度为1.4μm～1.6μm，所述第三电介质层的厚度为0.5μm～1μm。该技术方案在制作存储电容的第三电介质层的同时，制作了第一平坦化层，达到了简化工艺流程，降低成本的效果。可选地，所述第四电极层包括Ti/Al/Ti的叠层金属层；优选地，所述第四电极层的厚度为500nm～850nm。该技术方案在电容区形成第四电极层，增加大存储电容的电容值，促使显示面板在一帧时间内保持不变的亮度，进而显示稳定的画面。可选地，所述阵列基板还包括覆盖所述第二层间绝缘层的第二平坦化层，与所述第二电介质层同层设置且材料相同的位于所述非电容区的绝缘层为所述第二层间绝缘层和所述第二平坦化层的叠层膜层；优选地，所述第二电介质层包括第一子电介质层和第二子电介质层，所述第一子电介质层与所述第二层间绝缘层位于同一层且材料相同，所述第二子电介质层与所述第二平坦化层位于同一层且材料相同；所述第一子电介质层的厚度小于所述第二层间绝缘层的厚度，和/或，所述第二子电介质层的厚度小于所述第二平坦化层的厚度；优选地，所述第二子电介质层的厚度为0.5μm～1μm；优选地，所述第三电极层包括Ti/Al/Ti的叠层金属层；优选地，所述第三电极层的厚度为500nm～850nm。该技术方案在制作存储电容的第一子电介质层的同时，制作了薄膜晶体管的第二层间绝缘层，且在制作第二子电介质层的同时，制作了第二平坦化层，达到了简化工艺流程，降低成本的效果。第二方面，本专利技术实施例提供了一种显示面板，包括第一方面任意所述的阵列基板。该技术方案通过使用第一方面任意所述的阵列基板，增大了存储电容的电容值，促使显示面板在一帧时间内保持不变的亮度，进而显示稳定的画面。本专利技术实施例提供的技术方案，通过阵列基板中第一电极层、第一电介质层以及第二电极层构成第一子存储电容，第二电极层、第二电介质层和第三电极层构成第二子存储电容，由于第三电极层通过第一过孔与第一电极层电连接且与第二电极层绝缘，因此存储电容的电容值为第一子存储电容的电容值和第二子存储电容的电容值之和，增大了存储电容的电容值，同时，本申请调节了第一电介质层以及第二电介质层的厚度，使得第一子存储电容的电容值和第二子存储电容的电容值之和达到最佳的数值，本申请通过增加存储电容和调节电介质层的厚度这两者相结合的方式，促使显示面板在一帧时间内保持不变的亮度，进而显示稳定的画面。附图说明图1为现有技术中的一种显示面板的驱动电路结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；图3-图8为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制备方法各步骤对应的剖面结构示本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n衬底基板，所述衬底基板包括电容区和与所述电容区相邻设置的非电容区；/n存储电容，位于所述衬底基板的一侧，且位于所述电容区；/n其中，所述存储电容包括沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一电极层、第一电介质层、第二电极层、第二电介质层和第三电极层，所述第三电极层通过第一过孔与所述第一电极层电连接且与所述第二电极层绝缘；/n所述阵列基板还包括位于所述非电容区的绝缘层，所述第一电介质层和/或第二电介质层的厚度小于与其同层设置且材料相同的位于所述非电容区的绝缘层的厚度。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板，所述衬底基板包括电容区和与所述电容区相邻设置的非电容区；
存储电容，位于所述衬底基板的一侧，且位于所述电容区；
其中，所述存储电容包括沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一电极层、第一电介质层、第二电极层、第二电介质层和第三电极层，所述第三电极层通过第一过孔与所述第一电极层电连接且与所述第二电极层绝缘；
所述阵列基板还包括位于所述非电容区的绝缘层，所述第一电介质层和/或第二电介质层的厚度小于与其同层设置且材料相同的位于所述非电容区的绝缘层的厚度。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述非电容区的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、第一绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极，所述有源层位于所述衬底基板和所述第一绝缘层之间，所述栅极位于所述第一绝缘层远离所述有源层的一侧，所述层间绝缘层覆盖所述栅极，所述源极和所述漏极位于所述层间绝缘层远离所述有源层一侧的表面，所述源极和所述漏极分别通过第二过孔与所述有源层连接；
所述第一电极层与所述栅极位于同一层且材料相同；
优选地，所述第一电极层与所述栅极相连。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括电源线，所述层间绝缘层包括第一层间绝缘层和第二层间绝缘层，所述第一层间绝缘层覆盖所述栅极，所述第二层间绝缘层覆盖所述电源线以及所述第一层间绝缘层，所述第一电介质层与所述第一层间绝缘层位于同一层且材料相同，所述第二电极层与所述电源线位于同一层且材料相同；
优选地，所述第二电极层与所述电源线相连。


4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二层间绝缘层与所述第二电介质层位于同一层且材料相同；
优选地，所述第二电介质层的厚度为100nm～200nm；
优选地，所述第三电极层与所述源极和/或所述漏极位于同一层且材料相同。


5.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，所述存储电容还包括第三电介质层和第四电极层，所述第四电极层位于所述第三电极层远离所述衬底基板的一侧，所述第三电介质层位于所述第三电极层与所述第四电极层之间；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：李源规，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32