显示设备制造技术

一种显示设备包括基板、基板上的第一缓冲层以及设置在第一缓冲层上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和存储电容器。第一薄膜晶体管包括由低温多晶硅材料形成的第一有源层，第二薄膜晶体管包括由氧化物半导体材料形成的第二有源层，并且存储电容器包括第一电容器电极和第二电容器电极。

Display device

【技术实现步骤摘要】
显示设备
本公开涉及一种显示设备，并且更具体而言，涉及这样一种显示设备：在该显示设备中，多个薄膜晶体管由不同的半导体形成。
技术介绍
随着信息技术的发展，已经开发了一种显示设备，该显示设备可以以视觉图像的形式表示包含在电信息信号中的信息。因此，已经开发出各种类型的显示设备，这些设备中的一些设备具有诸如纤薄、重量轻和/或功耗低的优异特性。显示设备的示例包括液晶显示设备(LCD)和诸如有机发光显示设备(OLED)或量子点发光显示设备(QLED)的电致发光显示设备。与液晶显示设备相比，电致发光显示设备可以是具有自发光特性的下一代显示设备，并且可以具有在视角、对比度、响应速度和功耗方面的优异特性。电致发光显示设备可以包括用于显示图像的显示区域和设置为与显示区域相邻的非显示区域。可以布置在显示区域中的像素区域可以包括像素电路和发光元件。在像素电路中，可以设置多个薄膜晶体管以驱动发光元件。可以根据用于半导体层的材料对薄膜晶体管进行分类。其中，最广泛使用的是低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管。正在积极开发将LTP本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示设备，该显示设备包括：/n基板；/n第一缓冲层，所述第一缓冲层设置在所述基板上；以及/n设置在所述第一缓冲层上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和存储电容器，/n其中，所述第一薄膜晶体管包括由低温多晶硅材料形成的第一有源层，所述第二薄膜晶体管包括由氧化物半导体材料形成的第二有源层，并且所述存储电容器包括第一电容器电极和第二电容器电极。/n

【技术特征摘要】
20181107 KR 10-2018-01362031.一种显示设备，该显示设备包括：
基板；
第一缓冲层，所述第一缓冲层设置在所述基板上；以及
设置在所述第一缓冲层上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和存储电容器，
其中，所述第一薄膜晶体管包括由低温多晶硅材料形成的第一有源层，所述第二薄膜晶体管包括由氧化物半导体材料形成的第二有源层，并且所述存储电容器包括第一电容器电极和第二电容器电极。


2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述基板包括第一基板、第二基板和无机绝缘层，所述无机绝缘层设置在所述第一基板和所述第二基板之间。


3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述无机绝缘层由氧化硅SiOx材料或氮化硅SiNx材料形成。


4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一缓冲层由n+1层构造，其中，“n”是0或正偶数。


5.根据权利要求4所述的显示设备，其中当“n”是0时，所述第一缓冲层是由氧化硅SiOx材料或氮化硅SiNx材料形成的单层。


6.根据权利要求4所述的显示设备，其中，当“n”等于或大于2时，所述第一缓冲层是多层，在所述多层中，氧化硅SiOx层和氮化硅SiNx层交替地形成。


7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述第一缓冲层包括下层、上层和中间层，所述下层与所述基板接触并且由氧化硅SiOx材料形成，所述上层与所述第一有源层接触并且由氧化硅SiOx材料形成，所述中间层设置在所述上层和所述下层之间。


8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述上层的厚度大于所述中间层的厚度和所述下层的厚度。


9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述中间层的厚度等于所述下层的厚度。


10.根据权利要求1所述的显示设备，
其中，所述第一薄膜晶体管还包括第一栅极以及第一源极和第一漏极，所述第一栅极与所述第一有源层交叠，所述第一栅极绝缘层位于所述第一栅极与所述第一有源层之间，并且所述第一源极和所述第一漏极电连接到所述第一有源层；
其中，所述第二薄膜晶体管还包括第二栅极以及第二源极和第二漏极，所述第二栅极与所述第二有源层交叠，所述第二栅极绝缘层位于所述第二栅极和所述第二有源层之间，并且所述第二源极和所述第二漏极电连接到所述第二有源层；
其中，所述第一电容器电极与所述第一栅极设置在相同的层上，并且所述第二电容器电极与所述第一电容器电极交叠，其中第一层间绝缘层位于所述第一电容器电极和所述第二电容器电极之间；并且
其中，所述显示设备还包括阻挡层，所述阻挡层形成在所述基板和所述第二有源层之间，并且与所述第二有源层交叠。


11.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述阻挡层形成在所述第一层间绝缘层上，并且与所述第二电容器电极通过相同工艺形成。


12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述阻挡层与所述第二电容器电极一体地形成。


13.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述阻挡层形成在所述第一栅极绝缘层上，并且与所述第一电容器电极和所述第一栅极通过相同的工艺并且由相同材料形成。


14.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述阻挡层与所述第二电容器电极一体地形成。


15.根据权利要求11或12所述的显示设备，该显示设备还包括：
第二缓冲层，所述第二缓冲层设置在所述阻挡层和所述第二有源层之间，并且由包括氧化硅SiOx层和氮化硅SiNx层的多个层形成，
其中，所述第二缓冲层包括作为最上层的、与所述第二有源层接触的氧化硅SiOx层和设置在所述最上层和所述阻挡层之间的至少一个氮化硅SiNx层。


16.根据权利要求10所述的显示设备，其中，
所述阻挡层包括在所述第一层间绝缘层上的第一阻挡层和在所述第一栅极绝缘层上并且与所述第一阻挡层交叠的第二阻挡层。


17.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述第二缓冲层包括第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：全镇埰，卢韶颖，郑义振，金银成，申铉秀，金元炅，李帝贤，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR