一种曝光装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种曝光装置，包括掩膜台，位于掩膜台上的掩膜版，所述掩膜版上绘制有若干个曝光图形，所述掩膜版上方于曝光图形的对应位置分别设置有曝光光源，所述掩膜台下方设置有固定载台和位于固定载台上的基材，所述基材的尺寸与掩膜版的尺寸相当，所述掩膜版与基材之间设置有若干个投影物镜，所述投影物镜与掩膜版上的曝光图形位置相对应。本发明专利技术的曝光装置将多个曝光图形绘制在同一个掩膜版上，采用多个投影物镜代替一个大尺寸的投影物镜，将掩膜版上的曝光图形分别经过对应的投影物镜，成像在基材上，无需载台移动，避免昂贵的移动式曝光载台的使用，降低了生产成本，同时保证了加工精度。

An exposure device

【技术实现步骤摘要】
一种曝光装置
本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种包含多个投影物镜的曝光装置。
技术介绍
光刻机，又名掩模对准曝光机。一般的光刻工艺要经过硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。光刻机分为接触式曝光、接近式曝光和投影式曝光。接触式曝光：掩膜版直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜版上的图形分辨率相当，设备简单。接触式曝光，根据施加力量的方式不同，分为软接触、硬接触和真空接触。接近式曝光：掩膜版与光刻胶基底层保留一个微小的缝隙，缝隙大约为0-200μm，可以有效避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜版损伤，使掩膜和光刻胶基底能耐久使用，掩膜寿命长，图形缺陷少，接近式在现代光刻工艺中应用最为广泛。投影式曝光：在掩膜版与光刻胶之间使用光学系统聚集光实现曝光，一般掩膜版的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。优点：提高了分辨率；掩膜版的制作更加容易；掩膜版上的缺陷影响减小。投影式曝光分为扫描投影曝光、步进重复投影曝光和扫描步进投影曝光。在集成电路制造过程中，有时需要在基材上曝光2-3个尺寸在0.4mm×0.4mm的图形，这些图形在基材上的位置间隔120mm以上。目前，在集成电路行业的步进式曝光机，每次最大的曝光范围为33mm×26mm，间隔这么远的图形只能采用分次曝光的方式，即，先曝光第一个图形，然后曝光载台移动到下一个位置去曝光另一个图形。这就要求曝光载台的运动精度很高。步进式曝光机成像精度很高，曝光载台的移动精确性也很好，但是价格昂贵，造价都在300万美金以上。
技术实现思路
为了解决目前步进式曝光机价格昂贵问题，本专利技术的目的是提供一种包含多个投影物镜的曝光装置，本专利技术的曝光装置根据基材所需图形的多少，设置与之对应的投影物镜，将多个图形加工在掩膜版上，曝光光源产生的紫外线照射在掩膜版上，当光束穿过掩膜版的时候会发生衍射，经过投影物镜，将掩膜版上的图形成像在工作台上的基材，避免了曝光载台的移动。为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种曝光装置，包括掩膜台，位于掩膜台上的掩膜版，所述掩膜版上绘制有若干个曝光图形，所述掩膜版上方于曝光图形的对应位置分别设置有曝光光源，所述掩膜台下方设置有固定载台和位于固定载台上的基材，所述基材的尺寸与掩膜版的尺寸相当，所述掩膜版与基材之间设置有若干个投影物镜，所述投影物镜与掩膜版上的曝光图形位置相对应。其中，所述掩膜版上的曝光图形分别与曝光光源、投影物镜一一对应。将投影物镜设置为多个，相对于单个大尺寸的投影物镜，生产成本大幅降低。其中，所述曝光图形的个数为2-3个。其中，所述曝光图形为方形，尺寸为0.4mm×0.4mm。其中，所述基材为硅片。曝光光源产生的紫外线光束照射到掩膜台上的掩膜版，当紫外线光束穿过掩膜版的时候会发生衍射，经过投影物镜，将掩膜版的图形成像在基材上。与现有技术相比，本专利技术实现的有益效果：本专利技术的曝光装置将多个曝光图形绘制在同一个掩膜版上，采用多个投影物镜代替一个大尺寸的投影物镜，将掩膜版上的曝光图形分别经过对应的投影物镜，成像在基材上，无需载台移动，避免昂贵的移动式曝光载台的使用，降低了生产成本，同时保证了加工精度。附图说明以下结合附图和具体实施方式来进一步详细说明本专利技术：图1本专利技术曝光装置的结构示意图。其中：掩膜台1，掩膜版2，曝光图形3，曝光光源4，固定载台5，基材6，投影物镜7。具体实施方式以下由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本专利技术可实施的范畴。如图1，一种曝光装置，包括掩膜台1，位于掩膜台1上的掩膜版2，掩膜版2上绘制有若干个曝光图形3，掩膜版2上方于曝光图形3的对应位置分别设置有曝光光源4，掩膜台1下方设置有固定载台5和位于固定载台5上的基材6，基材6的尺寸与掩膜版2的尺寸相当，掩膜版2与基材6之间设置有若干个投影物镜7，投影物镜7与掩膜版2上的曝光图形3位置相对应。其中，所述掩膜版2上的图形分别与曝光光源4、投影物镜7一一对应。其中，所述曝光图形3的个数为2-3个。其中，所述曝光图形3为方形，尺寸为0.4mm×0.4mm。其中，所述基材6为硅片。其中，曝光光源4接口处设置有光热分离装置，在透射紫外和可见光同时阻隔红外，减少曝光光源4的热量照射到掩膜版，减小光源热效应对曝光效果产生影响。其中的光热分离装置为隔热玻璃。其中，投影物镜7为倍率为-1的立式全折射、全对称的结构，可实现大视场(44mm×44mm)曝光的功能，同时该全对称结构可最小化畸变误差；由于大曝光视场的实现，故大大增强了本专利技术曝光装置的适用范围，并从另一个方面提高了用户的生产率，为用户节约成本。其中，投影物镜7的共轭距足够大，以保证掩膜版2和基材6的空间热隔离。根据相对位置和角度的要求将多个曝光图形3加工在同一个掩膜版2上，于曝光图形3上方的对应位置安装有曝光光源4，于曝光图形3下方的对应位置设置有投影物镜7，曝光光源4产生的紫外光束照射在掩膜版2上的曝光图形3中，当光束穿过掩膜版2的时候发生衍射，经过投影物镜7，将曝光图形3成像在基材6上。本专利技术的曝光装置采用多个小尺寸的投影物镜7代替一个大尺寸的投影物镜，降低了成本；本专利技术的曝光装置在同一个掩膜版2上，根据曝光图形3的相对位置和角度加工多个曝光图形3，通过投影物镜7，成像在基材6上，相对于步进式曝光机，加工精度更高；本专利技术的曝光装置无需基材6移动，避免使用昂贵的移动式曝光载台，降低了生产成本。上述的具体实施方式只是示例性的，是为了更好地使本领域技术人员能够理解本专利，不能理解为是对本专利包括范围的限制；只要是根据本专利所揭示精神的所作的任何等同变更或修饰，均落入本专利包括的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种曝光装置，其特征在于，包括掩膜台(1)，位于掩膜台(1)上的掩膜版(2)，所述掩膜版(2)上绘制有若干个曝光图形(3)，所述掩膜版(2)上方于曝光图形(3)的对应位置分别设置有曝光光源(4)，所述掩膜台(1)下方设置有固定载台(5)和位于固定载台(5)上的基材(6)，所述基材(6)的尺寸与掩膜版(2)的尺寸相当，所述掩膜版(2)与基材(6)之间设置有若干个投影物镜(7)，所述投影物镜(7)与掩膜版(2)上的曝光图形(3)位置相对应。/n

【技术特征摘要】
1.一种曝光装置，其特征在于，包括掩膜台(1)，位于掩膜台(1)上的掩膜版(2)，所述掩膜版(2)上绘制有若干个曝光图形(3)，所述掩膜版(2)上方于曝光图形(3)的对应位置分别设置有曝光光源(4)，所述掩膜台(1)下方设置有固定载台(5)和位于固定载台(5)上的基材(6)，所述基材(6)的尺寸与掩膜版(2)的尺寸相当，所述掩膜版(2)与基材(6)之间设置有若干个投影物镜(7)，所述投影物镜(7)与掩膜版(2)上的曝光图形(3)位置相对应。

【专利技术属性】
技术研发人员：方凤云，
申请(专利权)人：上海矽越光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31