一种基于有机薄膜晶体管的二氧化氮传感器及其制备方法技术

技术编号:24165499 阅读:25 留言:0更新日期:2020-05-16 01:20
本发明专利技术提供了一种基于有机薄膜晶体管的二氧化氮传感器及其制备方法,属于传感器及其制备技术领域,所述二氧化氮传感器从下至上依次包括衬底、栅电极、介电层、有机半导体层、源电极和漏电极,所述有机半导体层为金纳米棒与有机半导体材料的混合材料。采用金纳米棒这种棒状结构材料进行掺杂能影响有机半导体材料的分子链取向,导致更好的成膜结晶度和结晶取向,从而获得更好的器件性能,有利于传感信号的传输,同时,金纳米棒的掺杂,显著提高了聚合物薄膜的表面粗糙度,增大了与二氧化氮分子的接触面积,进而更容易感应外界的二氧化氮浓度变化,提升了有机薄膜晶体管的气体传感特性,实现器件对二氧化氮的高灵敏度高响应探测。

【技术实现步骤摘要】
一种基于有机薄膜晶体管的二氧化氮传感器及其制备方法
本专利技术涉及传感器及其制备
,具体涉及一种基于有机薄膜晶体管的二氧化氮传感器及其制备方法。
技术介绍
二氧化氮是一种棕红色有刺激性气味的气体。主要来自于车辆废气、火力发电站和其他工业的燃料燃烧及硝酸、氮肥、炸药的工业生产过程。二氧化氮是一种影响空气质量的重要污染物,吸入二氧化氮会导致中毒反应甚至致命。二氧化氮主要损害呼吸道,吸入气体初期仅有轻微的眼及上呼吸道刺激症状,如咽部不适、干咳等。常经数小时至十几小时或更长时间潜伏期后发生迟发性肺水肿、成为呼吸窘迫综合征,出现胸闷、呼吸窘迫、咳嗽、咯泡沫痰、紫绀等。可并发气胸及纵隔气肿。肺水肿消退后两周左右可出现迟发性阻塞性细支气管炎。慢性毒害主要表现为神经衰弱综合征及慢性呼吸道炎症,个别病例出现肺纤维化,可引起牙齿酸蚀症。长期暴露在浓度为40到100毫克/立方米的二氧化氮环境中会影响人的身体健康。二氧化氮所带来的环境效应多种多样,包括:对湿地和陆生植物物种之间竞争与组成变化的影响;大气能见度的降低;地表水的酸化,富营养化以及增加水体中有害于鱼类本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于有机薄膜晶体管的二氧化氮传感器,其特征在于:所述二氧化氮传感器从下至上依次包括衬底、栅电极、介电层、有机半导体层、源电极和漏电极,所述有机半导体层为金纳米棒与有机半导体材料的混合材料,金纳米棒的含量为0.1~1.5wt%。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于有机薄膜晶体管的二氧化氮传感器,其特征在于:所述二氧化氮传感器从下至上依次包括衬底、栅电极、介电层、有机半导体层、源电极和漏电极,所述有机半导体层为金纳米棒与有机半导体材料的混合材料,金纳米棒的含量为0.1~1.5wt%。


2.根据权利要求1所述的一种基于有机薄膜晶体管的二氧化氮传感器,其特征在于:所述有机半导体层的厚度为50~120nm。


3.根据权利要求1所述的一种基于有机薄膜晶体管的二氧化氮传感器,其特征在于:所述金纳米棒是以二氯苯为分散液的溶液,浓度为0.5mg/ml;有机半导体材料为可溶性的聚3-己基噻吩、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-co-并噻吩]或聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]中的一种,有机半导体材料的溶剂为二氯苯,浓度为5mg/ml。


4.根据权利要求1所述的一种基于有机薄膜晶体管的二氧化氮传感器,其特征在于:所述介电层的厚度为200~500nm;所述介电层材料为聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、聚酰亚胺、聚乙烯中的一种或多种。


5.根据权利要求1所述的一种基于有机薄膜晶体管的二氧化氮传感器,其特征在于:所述栅电极、源电极和漏电极材料为金属纳米线。


6.根据权利要求1所述的一种基于有机薄膜晶体管的二氧化氮传感器,其特征在于:所述金属纳米线为铁纳米线、铜纳...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵世雄侯思辉潘博闻于军胜
申请(专利权)人:电子科技大学
类型:发明
国别省市:四川;51

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