一种MEMS陀螺仪制造技术

技术编号:24164312 阅读:29 留言:0更新日期:2020-05-16 01:00
本发明专利技术公开一种MEMS陀螺仪,涉及一种陀螺仪;包括谐振子和多个外部电极,所示外部电极呈圆周阵列分布在谐振子外围,所述谐振子为轴心对称的圆盘形网状结构,所述谐振子包括位于谐振子中心的锚点结构和螺旋线结构,所述螺旋线结构与锚点结构固定连接,所述螺旋线结构由多个螺旋线单元依所述锚点结构进行圆周阵列交织成网状;本发明专利技术基于圆盘型陀螺的优势,把螺旋线结构由螺旋线单元依起点进行圆周阵列组成构成,内置锚点,简化螺旋线段等手段以降低工艺难度,便于微纳加工,同时可降低谐振器变形量的宽度h,进而增大Q

A MEMS gyroscope

【技术实现步骤摘要】
一种MEMS陀螺仪
本专利技术涉及陀螺仪,具有涉及一种MEMS陀螺仪。
技术介绍
MEMS陀螺仪由于其尺寸小,低功耗和易加工等优势在消费电子市场具有非常广泛的应用,近年来,随着MEMS陀螺仪精度的逐步提升,MEMS谐振陀螺仪也应用在汽车自动驾驶等导航领域。陀螺仪品质因数是表征陀螺谐振工作时能量损失的关键参数,品质因数是间接评价陀螺性能指标之一。常见的能量损失机制包括,空气阻尼损失,表面损失,锚点损失,电子器件阻尼以及热弹性阻尼损失。由于陀螺采用高真空封装,所以热弹性阻尼可认为是工作时的主要能量损失源,热弹性品质因数QTED代表了陀螺仪品质因数的上限。以一维梁为例,热弹性品质因数QTED计算模型为:其中,f0与frelax分别是谐振频率与热释放频率。E为杨氏模量,α为热扩散的线性系数。T0为梁的等效温度,Cv为比热容,k为热导率,h为挠曲变形方向的宽度。通过公式可知,QTED随f0/frelax的变化关系如图1所示。对于陀螺仪常用的硅材料,典型的MEMS谐振器的热释放频率frelax>本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MEMS陀螺仪,包括谐振子和多个外部电极,所述外部电极呈圆周阵列分布在谐振子外围,其特征在于:所述谐振子为轴心对称的圆盘形网状结构,所述谐振子包括位于谐振子中心的锚点结构和螺旋线结构,所述螺旋线结构与锚点结构固定连接,所述螺旋线结构由多个螺旋线单元依所述锚点结构进行圆周阵列交织成网状;/n所述螺旋线单元包括自所述锚点结构上的同一起点端朝相反方向延伸的第一螺旋线和第二螺旋线,所述第一螺旋线和第二螺旋线的旋转方向相反,所述第一螺旋线与第二螺旋线朝同一终止端延伸并在所述终止端相连,所述第一螺旋线与所述第二螺旋相交于位于所述起点端远离所述终止端一侧的交点,所述起点端、所述终止端及所述交点共线,...

【技术特征摘要】
1.一种MEMS陀螺仪,包括谐振子和多个外部电极,所述外部电极呈圆周阵列分布在谐振子外围,其特征在于:所述谐振子为轴心对称的圆盘形网状结构,所述谐振子包括位于谐振子中心的锚点结构和螺旋线结构,所述螺旋线结构与锚点结构固定连接,所述螺旋线结构由多个螺旋线单元依所述锚点结构进行圆周阵列交织成网状;
所述螺旋线单元包括自所述锚点结构上的同一起点端朝相反方向延伸的第一螺旋线和第二螺旋线,所述第一螺旋线和第二螺旋线的旋转方向相反,所述第一螺旋线与第二螺旋线朝同一终止端延伸并在所述终止端相连,所述第一螺旋线与所述第二螺旋相交于位于所述起点端远离所述终止端一侧的交点,所述起点端、所述终止端及所述交点共线,所述第一螺旋线与第二螺旋线关于起始端与终止端之间的连线轴对称,所述锚点结构覆盖部分所述螺旋线单元,所述外部电极固定于所述终止端。


2.根据权利要求1所述的一种MEMS陀螺仪,其特征在于:相邻两所述第一螺旋线平行且长度相等。


3.根据权利要求1所述的一种MEMS陀螺仪,其特征在于:所述起点端与交点之间的螺旋线构成第一封闭结构,所述交点与所述终止端之间的螺旋线构成第二封闭结构,所述第一封闭结构和第二封闭结构为两个方向相反的心形结构。


4.根据权利要求1所述的一种MEMS陀螺仪,其特征在于:所述螺旋线结构为多个螺旋线单元相交形成的螺旋网状...

【专利技术属性】
技术研发人员:马昭占瞻李杨张睿刘雨微谭秋喻黎家健
申请(专利权)人:瑞声科技南京有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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