磷化铟晶棒裁切衬底晶圆片的方法技术

本发明专利技术一种磷化铟晶体裁切衬底晶圆片的方法，属于半导体衬底制备领域，包括步骤：1）定向，将晶棒切割头尾，调整晶棒方位试切，至切割出所需晶向的晶片，切割端面为定向端面；2）多线切割，在多线切割设备上，平行于定向端面分割晶棒为晶片；3）清洗，清洗晶片，至表面无残渣、无污物；4）割圆，晶片进行割圆，裁取所需晶向区域。该技术方案中，对于直径控制难度大，生长过程中容易出现孪晶/夹晶的磷化铟晶棒，摒弃会将大量的InP材料磨削去除的滚磨工序，先将晶棒多线切割为晶片，再从晶片中最大化的裁切与标准尺寸相近的晶向可用的衬底晶圆，可以大幅提高出片量，减少材料损失和浪费。

Cutting method of substrate wafer with InP rod

【技术实现步骤摘要】
磷化铟晶棒裁切衬底晶圆片的方法
本专利技术属于冶金
，涉及磷化铟晶片的制备，具体涉及将磷化铟晶体裁切成衬底晶圆片的方法。
技术介绍
InP是一种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，因其具有优异的运输特性，较高的迁移率，特殊的光电性能以及优异的抗辐射性能，而在高频电子器件（如HEMT、HBT等）、5G通讯、光纤通讯以及抗辐射太阳能电池领域有着广泛的应用。但是，目前，InP单晶衬底材料的价格居高不下，其大面积应用推广受到价格的限制。InP单晶衬底材料价格居高不下的主要原因是，InP单晶生长的成品率低。孪晶现象是影响InP单晶成品率的最大因素。InP在Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中拥有最低的层错能，在生长过程中极易在<111>面上产生原子堆垛错位，从而产生孪晶和夹晶。孪晶和夹晶往往是贯穿性的，并且沿着一定的倾斜角度，如图1所示。该InP晶体半导体晶棒有一个内砍孪晶线。Ⅲ-Ⅴ族半导体中孪晶多为旋转孪晶，即孪晶部分沿着｛111｝面法线轴线旋转180度。图中指示出了<100>晶向的正晶向部分1、<221>晶向的转晶向部分2。于上部3位置和中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磷化铟晶体裁切衬底晶圆片的方法，其特征在于包括以下步骤：/n1）定向：将晶棒切割头尾，调整晶棒方位试切，至切割出所需晶向的晶片，切割端面为定向端面；/n2）多线切割：在多线切割设备上，平行于定向端面分割晶棒为晶片；/n3）清洗：清洗晶片，至表面无残渣、无污物；/n4）割圆：对晶片进行割圆，裁取所需晶向区域。/n

【技术特征摘要】
1.一种磷化铟晶体裁切衬底晶圆片的方法，其特征在于包括以下步骤：
1）定向：将晶棒切割头尾，调整晶棒方位试切，至切割出所需晶向的晶片，切割端面为定向端面；
2）多线切割：在多线切割设备上，平行于定向端面分割晶棒为晶片；
3）清洗：清洗晶片，至表面无残渣、无污物；
4）割圆：对晶片进行割圆，裁取所需晶向区域。


2.根据权利要求1所述的磷化铟晶体裁切衬底晶圆片的方法，其特征在于：所述步骤1）中，定向端面与所需晶向的平行度误差为±0.02°。


3.根据权利要求2所述的磷化铟晶体裁切衬底晶圆片的方法，其特征在于：所述步骤2）中，切割钢线与晶棒定向端面平行。


4.根据权利要求1所述的磷化铟晶体裁切衬底晶圆片的方法，其特征在于：所述步骤1）和2）中，晶棒粘结在载料板上，载料板具有与晶棒侧缘形状适配的放置槽。


5.根据权利要求4所述的磷化铟晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：史艳磊，孙聂枫，王书杰，赵红飞，李亚旗，付莉杰，王阳，李晓岚，邵会民，刘惠生，姜剑，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北;13