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本发明一种磷化铟晶体裁切衬底晶圆片的方法，属于半导体衬底制备领域，包括步骤：1）定向，将晶棒切割头尾，调整晶棒方位试切，至切割出所需晶向的晶片，切割端面为定向端面；2）多线切割，在多线切割设备上，平行于定向端面分割晶棒为晶片；3）清洗，清洗...该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。
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本发明一种磷化铟晶体裁切衬底晶圆片的方法，属于半导体衬底制备领域，包括步骤：1）定向，将晶棒切割头尾，调整晶棒方位试切，至切割出所需晶向的晶片，切割端面为定向端面；2）多线切割，在多线切割设备上，平行于定向端面分割晶棒为晶片；3）清洗，清洗...