弹性波滤波器装置制造方法及图纸

抑制衰减量的下降。弹性波滤波器装置(1)具备基板、第1声阻抗层(4A)、第2声阻抗层(4B)、压电体层(5)、第1IDT电极(7A)、第2IDT电极(7B)、输入端子(15)、输出端子(16)、多个接地端子(17、18)、串联臂电路(12)及并联臂电路(13、14)。第1IDT电极(7A)在俯视下至少一部分与第1声阻抗层(4A)相重叠。第2IDT电极(7B)在俯视下至少一部分与第2声阻抗层(4B)相重叠。串联臂电路(12)设置在将输入端子(15)和输出端子(16)连结的第1路径上，具有第1IDT电极(7A)及第2IDT电极(7B)。第1声阻抗层(4A)中的导电层和第2声阻抗层(4B)中的导电层被电绝缘。

Elastic wave filter device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】弹性波滤波器装置
本专利技术一般涉及弹性波滤波器装置，更详细地，涉及具备压电体层的弹性波滤波器装置。
技术介绍
以往，作为用于谐振器、带通滤波器(弹性波滤波器装置)等的弹性波装置，已知一种利用了板波的弹性波装置(例如，参照专利文献1)。专利文献1所记载的弹性波装置具备：支承基板、声反射层(声阻抗层)、压电体层、和IDT(InterdigitalTransducer，叉指换能器)电极。专利文献1所记载的弹性波装置的声反射层具有：低声阻抗层、和声阻抗比低声阻抗层高的高声阻抗层。在专利文献1记载了如下主旨，即，通过增大高声阻抗层的声阻抗和低声阻抗层的声阻抗之比即声阻抗比，从而能够有效地反射板波，能够得到良好的滤波器特性。此外，在专利文献1中，作为声阻抗比成为最大的材料的组合，公开了W(钨)和SiO2(氧化硅)的组合。在先技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2012/086441号
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是，在具备声反射层(声阻抗层)的弹性波滤波器装置中，在作为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种弹性波滤波器装置，具备：/n基板；/n第1声阻抗层以及第2声阻抗层，形成在所述基板上；/n压电体层，形成在所述第1声阻抗层以及所述第2声阻抗层上；/n第1IDT电极，形成在所述压电体层上，在从所述压电体层的厚度方向的俯视下，至少一部分与所述第1声阻抗层相重叠；/n第2IDT电极，形成在所述压电体层上，在从所述厚度方向的俯视下，至少一部分与所述第2声阻抗层相重叠；/n输入端子，形成在所述压电体层上；/n输出端子，形成在所述压电体层上；/n接地端子，形成在所述压电体层上；/n串联臂电路，设置在将所述输入端子和所述输出端子连结的第1路径上，具有所述第1IDT电极以及所述第2IDT电极；和/n...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170927 JP 2017-1867351.一种弹性波滤波器装置，具备：
基板；
第1声阻抗层以及第2声阻抗层，形成在所述基板上；
压电体层，形成在所述第1声阻抗层以及所述第2声阻抗层上；
第1IDT电极，形成在所述压电体层上，在从所述压电体层的厚度方向的俯视下，至少一部分与所述第1声阻抗层相重叠；
第2IDT电极，形成在所述压电体层上，在从所述厚度方向的俯视下，至少一部分与所述第2声阻抗层相重叠；
输入端子，形成在所述压电体层上；
输出端子，形成在所述压电体层上；
接地端子，形成在所述压电体层上；
串联臂电路，设置在将所述输入端子和所述输出端子连结的第1路径上，具有所述第1IDT电极以及所述第2IDT电极；和
并联臂电路，设置在将所述第1路径上的节点和所述接地端子连结的第2路径上，
所述第1声阻抗层以及所述第2声阻抗层各自具有：
至少一个高声阻抗层；和
至少一个低声阻抗层，声阻抗比所述至少一个高声阻抗层低，
关于所述第1声阻抗层以及所述第2声阻抗层各自，所述高声阻抗层以及所述低声阻抗层的至少一个为导电层，
所述第1声阻抗层中的所述导电层和所述第2声阻抗层中的所述导电层被电绝缘。


2.根据权利要求1所述的弹性波滤波器装置，其中，

【专利技术属性】
技术研发人员：大村正志，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP