弹性波元件及其制造方法技术

针对在由多晶陶瓷构成的支撑基板上直接接合压电性材料基板这种类型的弹性波元件，提高弹性波元件的Q值。弹性波元件10具备：压电性材料基板1A；中间层2，所述中间层2设置于压电性材料基板1A上，并且由选自由氧化硅、氮化铝以及硅铝氧氮陶瓷组成的组中的一种以上的材质构成；接合层3，所述接合层3设置于中间层2上，并且由选自由五氧化钽、五氧化铌、氧化钛、莫来石、氧化铝、高电阻硅以及氧化铪组成的组中的一种以上的材质构成；支撑基板5，所述支撑基板5由多晶陶瓷构成，并与接合层3直接接合；以及电极9，所述电极9设置于压电性材料基板1A上。

Elastic wave element and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】弹性波元件及其制造方法
本专利技术涉及具有压电性材料基板和由多晶陶瓷构成的支撑基板的接合体的弹性波元件。
技术介绍
已知移动电话等中所使用的能够作为滤波元件或振荡器发挥功能的表面弹性波元件、使用了压电薄膜的兰姆波元件或薄膜谐振器(FBAR：FilmBulkAcousticResonator)等弹性波元件。作为这样的表面弹性波元件，已知将支撑基板与传播弹性表面波的压电基板贴合、且在压电基板的表面设置了可激发弹性表面波的梳形电极的表面弹性波元件。通过像这样地将热膨胀系数比压电基板小的支撑基板粘贴于压电基板，抑制温度变化时压电基板的大小发生变化，抑制作为弹性表面波元件的频率特性发生变化。在专利文献1中，将2个压电单晶基板重叠而直接接合从而得到接合体，并在接合体上设置电极，由此制造了表面弹性波元件。该直接接合是通过热处理进行的。将硅基板直接接合于压电单晶基板的情况下，一般使用等离子体活化法。但是，在等离子体活化法中，为了在接合后提高强度而需要进行加热，若接合温度低则存在接合强度下降的倾向。但是，若提高接合温度，则容易因硅基板和压电基板的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种弹性波元件，其特征在于，所述弹性波元件具备：/n压电性材料基板；/n中间层，所述中间层设置于所述压电性材料基板上，并且由以下材质构成：即、选自由氧化硅、氮化铝以及硅铝氧氮陶瓷组成的组中的一种以上的材质；/n接合层，所述接合层设置于所述中间层上，并且由以下材质构成：即、选自由五氧化钽、五氧化铌、氧化钛、莫来石、氧化铝、高电阻硅以及氧化铪组成的组中的一种以上的材质；/n支撑基板，所述支撑基板由多晶陶瓷构成，并与所述接合层直接接合；以及/n电极，所述电极设置于所述压电性材料基板上。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170915 JP 2017-1774771.一种弹性波元件，其特征在于，所述弹性波元件具备：
压电性材料基板；
中间层，所述中间层设置于所述压电性材料基板上，并且由以下材质构成：即、选自由氧化硅、氮化铝以及硅铝氧氮陶瓷组成的组中的一种以上的材质；
接合层，所述接合层设置于所述中间层上，并且由以下材质构成：即、选自由五氧化钽、五氧化铌、氧化钛、莫来石、氧化铝、高电阻硅以及氧化铪组成的组中的一种以上的材质；
支撑基板，所述支撑基板由多晶陶瓷构成，并与所述接合层直接接合；以及
电极，所述电极设置于所述压电性材料基板上。


2.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，所述中间层的厚度为所述接合层的厚度的5倍以上且25倍以下。


3.根据权利要求1或2所述的元件，其特征在于，沿着所述接合层和所述支撑基板的界面存在非晶质层。


4.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：多井知义，滑川政彦，鹈野雄大，服部良祐，浅井圭一郎，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP