一种TFT结构、发光件、显示器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种TFT结构、发光件、显示器及其制备方法，所述TFT结构包括：TFT底座、设置在所述TFT底座上的第一电极、第二电极；在竖直方向上，所述第一电极和所述第二电极具有高度差。由于第一电极和第二电极之间的高度差，也就是说，第一电极和第二电极在竖直方向上是错开设置的，即使采用焊锡连接TFT结构和发光件时焊锡出现溢流，也不容易导致第一电极和第二电极之间连接而短路。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种TFT结构、发光件、显示器及其制备方法
本专利技术涉及显示器
，尤其涉及的是一种TFT结构、发光件、显示器及其制备方法。
技术介绍
微元件技术是指在驱动电路板上以高密度集成的微小尺寸的元件阵列。目前，微间距发光二极管(Micro-LED)技术逐渐成为研究热门，Micro-LED技术，即LED微缩化和矩阵化技术，具有良好的稳定性，寿命，以及运行温度上的优势，同时也承继了LED低功耗、色彩饱和度、反应速度快、对比度强等优点，Micro-LED的亮度更高，且功率消耗量更低。如图1所示，现有技术中，由于微元件(也即发光件)的尺寸较小，两个Pad点(即电极1，2)之间的间距较小，采用焊锡4连接的方式将发光件与TFT结构3连接时，焊锡容易出现溢流而造成短路。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种TFT结构、发光件、显示器及其制备方法，旨在解决现有技术中采用焊锡连接的方式将发光件与TFT结构连接时，焊锡容易出现溢流而造成短路的问题。...

【技术保护点】
1.一种TFT结构，其特征在于，包括：TFT底座、设置在所述TFT底座上的第一电极、第二电极；在竖直方向上，所述第一电极和所述第二电极具有高度差。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种TFT结构，其特征在于，包括：TFT底座、设置在所述TFT底座上的第一电极、第二电极；在竖直方向上，所述第一电极和所述第二电极具有高度差。


2.根据权利要求1所述的TFT结构，其特征在于，所述TFT底座包括：驱动电路层、设置在所述驱动电路层上的平坦层；所述平坦层上设置有第一通孔，所述第一电极位于所述第一通孔底部，所述第二电极位于所述平坦层上表面，且位于所述第一通孔边缘。


3.根据权利要求2所述的TFT结构，其特征在于，所述驱动电路层包括薄膜晶体管、设置在所述薄膜晶体管上的绝缘层；所述绝缘层上设置有第二通孔，所述绝缘层下与所述第二通孔对应位置设置有第一线路，所述第一电极延伸至所述第一通孔内并与所述第一线路电连接。


4.根据权利要求3所述的TFT结构，其特征在于，所述平坦层上设置有第三通孔，所述绝缘层上与所述第三通孔对应位置设置有第二线路，所述第二电极延伸至所述第三通孔并与所述第二线路电连接。


5.根据权利要求4所述的TFT结构，其特征在于，所述第一线路和所述第二线路垂直设置。


6.根据权利要求2所述的TFT结构，其特征在于，所述通孔为四棱台形通孔。


7.根据权利要求2所述的TFT结构，其特征在于，所述平坦层采用有机绝缘材料制成。


8.一种发光件，其特征在于，包括：在竖直方向上依次连接的P电极、P型半导体层、发光层、N型半导体层、衬底，与所述N型半导体层连接的N电极；在水平方向上，所述N电极位于所述发光层的侧面，在竖直方向上，所述P电极、所述N电极具有高度差。


9.根据权利要求8所述的发光件，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄嘉桦，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50