【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】表征光学元件的表面形状的方法及装置本申请要求2017年9月29日提交的德国专利申请DE102017217371.8的优先权。该德国申请的全部内容通过引用还并入本申请文本中。专利技术背景
本专利技术涉及表征光学元件的表面面形的方法及装置,该光学元件特别是微光刻投射曝光设备的反射镜或透镜元件。
技术介绍
微光刻用于制造例如集成电路或LCD的微结构部件。在所谓的投射曝光设备中进行微光刻工艺,该投射曝光设备包括照明装置和投射镜头。通过照明装置照明的掩模(=掩模母版)的像,在这种情况下,通过投射镜头被投射到涂有感光层(光刻胶)且布置在投射镜头的像平面中的基板(例如硅晶片)上,以便将掩模结构转印至基板的感光涂层。在针对EUV范围(即例如约13nm或约7nm的波长处)设计的投射镜头中,由于缺少合适可用的光透射折射材料而使用反射镜作为成像过程的光学部件。例如从US2016/0085061A1已知的针对EUV设计的典型投射镜头可以例如具有NA=0.55的范围中的像侧数值孔径(NA),且将(例如环形分段形状的)物 ...
【技术保护点】
1.一种表征光学元件的表面面形的方法,所述方法包括以下步骤:/n实行多个干涉式测量,在所述多个干涉式测量中的每一个干涉式测量中,在各个情况下记录从所述光学元件的一部分发出的测试波与参考波之间的干涉图,在这些测量之间,所述光学元件相对于所述测试波的位置更改;/n基于这些测量计算所述光学元件的图形;/n其中该计算迭代地实行,使得在多个迭代步骤中,所述光学元件的图形在各个情况下通过实行正演计算来确定,这些迭代步骤中的每一个步骤在各个情况下是基于参考波,该参考波以前次迭代步骤为基础来调整。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170929 DE 102017217371.81.一种表征光学元件的表面面形的方法,所述方法包括以下步骤:
实行多个干涉式测量,在所述多个干涉式测量中的每一个干涉式测量中,在各个情况下记录从所述光学元件的一部分发出的测试波与参考波之间的干涉图,在这些测量之间,所述光学元件相对于所述测试波的位置更改;
基于这些测量计算所述光学元件的图形;
其中该计算迭代地实行,使得在多个迭代步骤中,所述光学元件的图形在各个情况下通过实行正演计算来确定,这些迭代步骤中的每一个步骤在各个情况下是基于参考波,该参考波以前次迭代步骤为基础来调整。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,实行所述干涉式测量包括子孔径的记录,所述子孔径中没有一个覆盖所述反射镜的整个表面。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,通过实行反向计算确定相应调整的参考波。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其特征在于,实行所述反向计算包括通过计算从相应测量数据移除所述图形。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,其特征在于,在各个...
【专利技术属性】
技术研发人员:F里彭豪森,M施罗特,
申请(专利权)人:卡尔蔡司SMT有限责任公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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