一种基于二极管实现的芯片级联电路制造技术

本发明专利技术公开了一种基于二极管实现的芯片级联电路，设置在锂电池保护芯片内，包括电压控制电路、模拟器件模块与反相器模块，电压控制电路连接模拟器件模块，模拟器件模块连接反相器模块，所述电压控制电路和模拟器件模块上皆形成有锂电池保护芯片的外部端口，所述反相器模块上形成有锂电池保护芯片的内部端口；锂电池保护芯片的设计之初，加入级联功能模块（芯片级联电路），可以在提高锂电池保护芯片利用率的同时，增强锂电池保护芯片的可用性。

【技术实现步骤摘要】
一种基于二极管实现的芯片级联电路
本专利技术涉及电池管理技术等领域，具体的说，是一种基于二极管实现的芯片级联电路。
技术介绍
当今，随着新能源的兴起，锂电池的应用日益广泛。为了锂电池使用的安全，锂电池保护类芯片应运而生。目前的锂电池保护类芯片，根据受保护电池组的数量，可以分为单节锂电池保护类芯片和多节锂电池保护类芯片。随着电池组的组成电池节数越来越多，芯片可保护电池的数量，成为了受关注的焦点。锂电池保护类芯片的级联功能，在一定程度上，可以很好的解决这一问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于设计出一种基于二极管实现的芯片级联电路，在锂电池保护芯片的设计之初，加入级联功能模块（芯片级联电路），可以在提高锂电池保护芯片利用率的同时，增强锂电池保护芯片的可用性。本专利技术通过下述技术方案实现：一种基于二极管实现的芯片级联电路，设置在锂电池保护芯片内，包括电压控制电路、模拟器件模块与反相器模块，电压控制电路连接模拟器件模块，模拟器件模块连接反相器模块，所述电压控制电路和模拟器件模块上皆形成有锂电池保护芯片的外部端口，所述反本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于二极管实现的芯片级联电路，设置在锂电池保护芯片内，其特征在于：包括电压控制电路、模拟器件模块与反相器模块，电压控制电路连接模拟器件模块，模拟器件模块连接反相器模块，所述电压控制电路和模拟器件模块上皆形成有锂电池保护芯片的外部端口，所述反相器模块上形成有锂电池保护芯片的内部端口。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于二极管实现的芯片级联电路，设置在锂电池保护芯片内，其特征在于：包括电压控制电路、模拟器件模块与反相器模块，电压控制电路连接模拟器件模块，模拟器件模块连接反相器模块，所述电压控制电路和模拟器件模块上皆形成有锂电池保护芯片的外部端口，所述反相器模块上形成有锂电池保护芯片的内部端口。


2.根据权利要求1所述的一种基于二极管实现的芯片级联电路，其特征在于：所述电压控制电路包括二极管D101、二极管D100、电阻R103，二极管D101的第一端与模拟器件模块相连接，二极管D101的第二端通过电阻R103连接二极管D100的第一端，二极管D100的第二端形成锂电池保护芯片的CC/DC外部端口，且二极管D100的第二端与模拟器件模块相连接，所述二极管D101的第二端形成锂电池保护芯片的Vcc外部端口。


3.根据权利要求2所述的一种基于二极管实现的芯片级联电路，其特征在于：在所述二极管D100的第二端上还连接有电阻R102，且电阻R102的另一端为锂电池保护芯片的CC/DC外部端口。


4.根据权利要求2所述的一种基于二极管实现的芯片级联电路，其特征在于：所述二极管D101采用齐纳二极管，所述二极管D100采用普通二极管，且二极管D101的负极和二极管D100的负极皆与电阻R103连接。


5.根据权利要求2或3或4所述的一种基于二极管实现的芯片级联电路，其特征在于：所述模拟器件模块包括MOS管Q108、MOS管Q107、MOS管Q109及MOS管Q110，在MOS管Q108的栅极上连接有电阻R105形成锂电池...

【专利技术属性】
技术研发人员：李世彬，顾鹏展，蒲熙，朱子诚，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51