降低涂覆有透明导电氧化物的制品中的方块电阻的方法技术

本发明专利技术是降低涂覆制品的方块电阻或改变涂覆制品的发射率的方法。在室温下在基底上方施加涂层，其中所述涂层包含透明导电氧化物层。通过如下方式处理所述透明导电氧化物层：在透明导电氧化物中产生涡流，对透明导电氧化物层进行闪光退火使得透明导电氧化物层达到高于380℉的温度，或加热所述涂覆制品使得透明导电氧化物层被加热到高于380℉。

Method of reducing block resistance in products coated with transparent conductive oxide

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】降低涂覆有透明导电氧化物的制品中的方块电阻的方法专利技术背景专利
本专利技术涉及具有低发射率和中性颜色的涂覆制品。相关技术的描述透明导电氧化物(“TCO”)被施加到基底上从而向涂覆制品提供较低的发射率和较低的方块电阻(sheetresistance)。这使得TCO特别适用于电极(例如太阳能电池)或加热层，活化玻璃单元或屏幕。通常通过真空沉积技术来施加TCO，例如磁控管溅射真空沉积(“MSVD”)。通常，较厚的TCO层提供较低的方块电阻。然而，TCO的厚度影响涂覆制品的颜色。因此，需要调节由TCO层引起的着色效果。还需要最小化TCO层的厚度，以便最小化TCO对涂覆制品的颜色的影响，同时仍保持所需的方块电阻。涂层叠层可能随时间腐蚀。为了防止这种情况，可将保护性覆盖层是加到涂层。例如，美国专利US4,716,086和US4,786,563中公开的二氧化钛膜是对涂层提供耐化学性的保护膜。加拿大专利第2,156,571号中公开的氧化硅，美国专利US5,425,861；US5,344,718；US5,376,455；US5,58本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低涂覆制品的方块电阻的方法，该方法包括：在室温下向基底施加涂层，其中所述涂层包括透明导电氧化物层；和处理所述透明导电氧化物层，其中该处理步骤选自：(a)在透明导电氧化物中产生涡流，(b)对透明导电氧化物层进行闪光退火，使得透明导电氧化物层达到高于380℉的温度，(c)加热所述涂覆制品，使得透明导电氧化物层被加热到高于380℉。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170804 US 15/669,2761.一种降低涂覆制品的方块电阻的方法，该方法包括：在室温下向基底施加涂层，其中所述涂层包括透明导电氧化物层；和处理所述透明导电氧化物层，其中该处理步骤选自：(a)在透明导电氧化物中产生涡流，(b)对透明导电氧化物层进行闪光退火，使得透明导电氧化物层达到高于380℉的温度，(c)加热所述涂覆制品，使得透明导电氧化物层被加热到高于380℉。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理步骤是(c)加热所述涂覆制品。


3.根据权利要求1所述的方法，其中所述透明导电氧化物层是至少125nm且至多950nm。


4.根据权利要求1所述的方法，其中所述透明导电氧化物层包含锡掺杂的氧化铟，并且至少105nm且至多171nm，并且其中在所述处理步骤之后，所述涂覆制品的方块电阻小于20Ω/□。


5.根据权利要求1所述的方法，其中所述透明导电氧化物层包含厚度为至少320nm且至多480nm的镓掺杂的氧化锌，并且其中在所述处理步骤之后，所述涂覆制品的方块电阻小于20Ω/□。


6.根据权利要求1所述的方法，其中所述透明导电氧化物层包含厚度为至少344nm且至多880nm的氧化铝掺杂的氧化物，并且其中在所述处理步骤之后，所述涂覆制品的方块电阻小于20Ω/□。


7.根据权利要求1所述的方法，其中施加涂层的步骤包括磁控溅射真空沉积工艺。


8.根据权利要求2所述的方法，其中将所述透明导电氧化物加热到至少435℉。


9.根据权利要求1所述的方法，还包括在至少一部分透明导电氧化物层上方施加第一保护膜，其中所述第一保护膜包含氧化钛、氧化铝、氧化锌、氧化锡、氧化锆、氧化硅或它们的混合物，以及在透明导电氧化物层的至少一部分上方施加第二保护膜，其中所述第二保护膜包含氧化钛和氧化铝，并且其中施加第一保护膜和施加第二保护膜在...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·甘卓，S·纳拉亚南，
申请(专利权)人：维特罗平板玻璃有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US