一种双极化低剖面微基站天线及阵列天线制造技术

本发明专利技术公开了一种双极化低剖面微基站天线及阵列天线，该基站天线，包括：辐射单元，包括第一辐射层、第二辐射层，第一辐射层馈电耦合至第二辐射层；第二辐射层上开有多个梯形缝；功率分配板，与第一辐射层相连；功率分配板包括第一馈电端口、第二馈电端口及第三馈电端口，第二馈电端口的电长度大于第一馈电端口、第三馈电端口中的任意一个馈电端口的电长度，且第二馈电端口为反相馈电端口；反射板，与功率分配板固连。该基站天线剖面低、结构简单、易于实现，批量生产时一次性互调良率高，有利于天线的批量生产一致性，且降低生产成本的同时，满足基站天线的行业标准。

A dual polarization low profile micro base station antenna and array antenna

【技术实现步骤摘要】
一种双极化低剖面微基站天线及阵列天线
本专利技术属于天线的设计领域，尤其涉及一种双极化低剖面微基站天线及阵列天线。
技术介绍
基站天线是整个无线通信系统中最为关键的部件之一，基站天线的性能将影响每一位用户的语音、视频信号，低剖面的基站天线不仅能满足用户的实际需求，还可以减小天线的重量与体积，有效的提高基站的抗风载能力。目前基站天线主要存在的缺点在于天线阵列的剖面较高，均由复杂的馈电网络将振子组合形成天线阵列，由于基站天线的体积和重量很难降低，使得基站天线在室外安装时，安装难度较高，同时在实际使用过程当中抵抗风载能力不强，且天线的生产和装配复杂度比较高；其次传统的焊接基站天线在生产过程中，由于焊接问题一次性互调良率不高。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种双极化低剖面微基站天线及阵列天线，可减少天线的焊点，提高天线的互调一次性通过率，且天线的尺寸小、结构简单、易于生产及安装。为解决上述问题，本专利技术的技术方案为：一种双极化低剖面微基站天线，包括：辐射单元，包括第一辐射层、第二辐射层，所述第一辐射层馈电耦合至所述第二辐射层；所述第二辐射层上开有多个梯形缝；功率分配板，与所述第一辐射层相连；所述功率分配板包括第一馈电端口、第二馈电端口及第三馈电端口，所述第二馈电端口的电长度大于所述第一馈电端口、所述第三馈电端口中的任意一个馈电端口的电长度，且所述第二馈电端口为反相馈电端口；反射板，与所述功率分配板固连。根据本专利技术一实施例，所述第一辐射层上设有第一馈电点和第二馈电点，所述第一馈电点与所述第二馈电点呈轴对称分布；所述第二辐射层上开有四个梯形缝,所述第一辐射层上设有四个与所述梯形缝位置相对的焊槽，各所述焊槽上焊接一金属支撑片连接所述第二辐射层。根据本专利技术一实施例，所述第二辐射层呈方形，各所述梯形缝为等边梯形缝，四个所述梯形缝呈方形分布；其中，两个所述梯形缝的中轴线与所述第二辐射层的水平中轴线重合且关于所述第二辐射层的垂直中轴线对称分布；另两个所述梯形缝的中轴线与所述第二辐射层的垂直中轴线重合且关于所述第二辐射层的水平中轴线对称分布。根据本专利技术一实施例，呈轴对称分布的两个所述梯形缝的底边相对设置。根据本专利技术一实施例，所述第二辐射层呈方形，各所述梯形缝为等边梯形缝，四个所述梯形缝呈方形分布；其中，两个所述梯形缝的中轴线与所述第二辐射层的第一对角线重合且关于所述第二辐射层的第二对角线对称分布；另两个所述梯形缝的中轴线与所述第二辐射层的第二对角线重合且关于所述第二辐射层的第一对角线对称分布。根据本专利技术一实施例，关于所述第二辐射层的对角线呈对称分布的两个所述梯形缝的底边相对设置。根据本专利技术一实施例，所述第一馈电端口的输入功率:所述第二馈电端口的输入功率:所述第三馈电端口的输入功率＝1:2:1。根据本专利技术一实施例，所述微基站天线的高度为0.08*λ，其中，λ＝C/f，C表示光速，f表示所述微基站天线工作的中心频率。根据本专利技术一实施例，所述功率分配板上设有多级带宽匹配网络，用于提高所述微基站天线的阻抗带宽。根据本专利技术一实施例，所述第二辐射层采用铝片钣金冲压制成。一种阵列天线，包括本专利技术一实施例中的双极化低剖面微基站天线。本专利技术由于采用以上技术方案，使其与现有技术相比具有以下的优点和积极效果：1)本专利技术一实施例中的双极化低剖面微基站天线，针对现有的基站天线的剖面较高且天线阵列采用较复杂的馈电网络的问题，本专利技术的辐射单元采用两层辐射贴片，在第二辐射层上开设梯形缝，缩小天线的尺寸；且在功率分配板上采用反相馈电的设计，不仅结构简单，而且进一步缩小了天线的尺寸。2)本专利技术一实施例中的双极化低剖面微基站天线，针对现有的基站天线结构复杂，焊点过多导致一次性互调良率低的问题，本专利技术的第二辐射层采用铝片钣金冲压制成，第一辐射层上设置4个焊槽，各焊槽上焊接一金属支撑片与第二辐射层的连接，使得第一辐射层与第二辐射层的连接只需4个焊点，使得天线装配简单，提高天线的一次性互调良率。3)本专利技术一实施例中的双极化低剖面微基站天线，由于第二馈电端口采用反向馈电技术，且第一馈电端口的输入功率:第二馈电端口的输入功率:第三馈电端口的输入功率＝1:2:1，削弱了天线高次模的影响，使用于同列天线时，天线的隔离度大幅度提高。4)本专利技术一实施例中的双极化低剖面微基站天线，由于将天线的高度制作为0.08个波长，与现有的高度为0.25个波长的基站天线相比，大大降低了天线的高度，有效缩小了天线的尺寸，实现基站天线的小型化。5)本专利技术一实施例中的双极化低剖面微基站天线，由于降低了天线的高度，一般情况下会使天线的阻抗带宽变窄，本专利技术通过功率分配板上设置多级带宽匹配网络，对馈电网络进行修正，拓宽天线的阻抗带宽。附图说明图1为本专利技术一实施例中的双极化低剖面微基站天线的结构示意图；图2为本专利技术一实施例中的辐射单元的结构示意图；图3为本专利技术一实施例中的辐射单元的结构示意图；图4为本专利技术一实施例中的功率分配板的结构示意图；图5为本专利技术一实施例中的双极化低剖面微基站天线的高度示意图；图6为本专利技术一实施例中的同频天线的结构示意图；图7为本专利技术一实施例中的工作频段在(3400MHz-3600MHz)的天线的驻波比性能图；图8为本专利技术一实施例中的工作频段在(3400MHz-3600Mhz)的天线的隔离度性能图；图9为本专利技术一实施例中的工作频段在(3400MHz-3600Mhz)的天线的水平面与垂直面的波束宽度性能图；图10为本专利技术一实施例中的工作频段在(3400MHz-3600Mhz)的天线的水平面交叉极化比性能图；图11为本专利技术一实施例中的工作频段在(3400MHz-3600Mhz)的天线的增益曲线图。附图标记说明：1：辐射单元；101：第一辐射层；1011：焊槽；1012：第一馈电点；1013：第二馈电点；102：第二辐射层；1021：梯形缝；1022：金属支撑片；2：功率分配板；201：第一馈电端口；202：第二馈电端口；203：第三馈电端口；204：带宽匹配网络；3：反射板。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的一种双极化低剖面微基站天线及阵列天线作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。实施例一如图1所示，本专利技术提供的双极化低剖面微基站天线，包括：辐射单元1、功率分配板2、反射板3。辐射单元1与功率分配板2相连，功率分配板2设于反射板3的正面或背面。.具体的，如图2所示。辐射单元1，包括第一辐射层101、第二辐射层102，第一辐射层101馈电耦合至第二辐射层102。该第一辐射层101上设有第一馈电点1012和第二馈电点1013，第一馈电点1012与第二馈电点1013呈轴对称分布且其馈电形式为直本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双极化低剖面微基站天线，其特征在于，包括：/n辐射单元，包括第一辐射层、第二辐射层，所述第一辐射层馈电耦合至所述第二辐射层；所述第二辐射层上开有多个梯形缝；/n功率分配板，与所述第一辐射层相连；所述功率分配板包括第一馈电端口、第二馈电端口及第三馈电端口，所述第二馈电端口的电长度大于所述第一馈电端口、所述第三馈电端口中的任意一个馈电端口的电长度，且所述第二馈电端口为反相馈电端口；/n反射板，与所述功率分配板固连。/n

【技术特征摘要】
1.一种双极化低剖面微基站天线，其特征在于，包括：
辐射单元，包括第一辐射层、第二辐射层，所述第一辐射层馈电耦合至所述第二辐射层；所述第二辐射层上开有多个梯形缝；
功率分配板，与所述第一辐射层相连；所述功率分配板包括第一馈电端口、第二馈电端口及第三馈电端口，所述第二馈电端口的电长度大于所述第一馈电端口、所述第三馈电端口中的任意一个馈电端口的电长度，且所述第二馈电端口为反相馈电端口；
反射板，与所述功率分配板固连。


2.如权利要求1所述的双极化低剖面微基站天线，其特征在于，所述第一辐射层上设有第一馈电点和第二馈电点，所述第一馈电点与所述第二馈电点呈轴对称分布；
所述第二辐射层上开有四个梯形缝,所述第一辐射层上设有四个与所述梯形缝位置相对的焊槽，各所述焊槽上焊接一金属支撑片连接所述第二辐射层。


3.如权利要求2所述的双极化低剖面微基站天线，其特征在于，所述第二辐射层呈方形，各所述梯形缝为等边梯形缝，四个所述梯形缝呈方形分布；
其中，两个所述梯形缝的中轴线与所述第二辐射层的水平中轴线重合且关于所述第二辐射层的垂直中轴线对称分布；
另两个所述梯形缝的中轴线与所述第二辐射层的垂直中轴线重合且关于所述第二辐射层的水平中轴线对称分布。


4.如权利要求3所述的双极化低剖面微...

【专利技术属性】
技术研发人员：金定树，孙凯，
申请(专利权)人：上海安费诺永亿通讯电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31