Micro LED的转移方法技术

本发明专利技术提供一种Micro LED的转移方法，包括：提供阵列基板，阵列基板一侧设置有粘结层，阵列基板的像素区包括多个薄膜晶体管；将转移板转移至阵列基板上方，转移板靠近粘结层的一侧设置有层叠的缓冲层和芯片层，芯片层包括阵列分布的多个Micro LED芯片，且数量大于薄膜晶体管的数量，Micro LED芯片包括第一Micro LED芯片，第一Micro LED芯片的第一电极与薄膜晶体管的第二电极对应；将掩膜版转移至转移板远离阵列基板的一侧，掩膜版的开口区与第一Micro LED芯片对应；通过掩膜版对转移板进行激光扫描，将第一Micro LED芯片从缓冲层剥离至粘结层上；将第一Micro LED芯片的第一电极与薄膜晶体管的第二电极电性连接。本发明专利技术简化了转移工序，提高了转移良率。

Transfer method of micro LED

【技术实现步骤摘要】
MicroLED的转移方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种MicroLED的转移方法。
技术介绍
MicroLED显示器相比OLED显示器具有可靠性高，色域高，亮度高，透明度高，PPI高的优点，且封装要求低，更容易实现柔性及无缝拼接显示，是未来极具有发展潜力的未来显示器。现有的MicroLED在应用于大尺寸显示器件中时，通常先去掉蓝宝石基板或砷化镓基板，再通过巨量转移把MicroLED转移至对应显示器件的TFT基板上。然而，由于MicroLED在从高密度的蓝宝石基板或砷化镓基板转移至低密度的TFT基板上时，需要进行选择性的转移，因此通常都会进行多次转移，且在多次转移过程中还会存在转移良率问题。因此，现有的MicroLED存在多次转移影响转移良率的技术问题，需要改进。
技术实现思路
本专利技术提供一种MicroLED的转移方法，以缓解现有的MicroLED多次转移影响转移良率的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术提供一种MicroLED的转移方法，包括：<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Micro LED的转移方法，其特征在于，包括：/n提供阵列基板，所述阵列基板一侧设置有粘结层，所述阵列基板的像素区包括多个薄膜晶体管；/n将转移板转移至所述阵列基板上方，所述转移板靠近所述粘结层的一侧设置有层叠的缓冲层和芯片层，所述芯片层包括阵列分布的多个Micro LED芯片，且数量大于所述薄膜晶体管的数量，所述Micro LED芯片包括第一Micro LED芯片，所述第一Micro LED芯片的第一电极与所述薄膜晶体管的第二电极对应；/n将掩膜版转移至所述转移板远离所述阵列基板的一侧，所述掩膜版的开口区与所述第一Micro LED芯片对应；/n通过所述掩膜版对所述转移板进行激光扫...

【技术特征摘要】
1.一种MicroLED的转移方法，其特征在于，包括：
提供阵列基板，所述阵列基板一侧设置有粘结层，所述阵列基板的像素区包括多个薄膜晶体管；
将转移板转移至所述阵列基板上方，所述转移板靠近所述粘结层的一侧设置有层叠的缓冲层和芯片层，所述芯片层包括阵列分布的多个MicroLED芯片，且数量大于所述薄膜晶体管的数量，所述MicroLED芯片包括第一MicroLED芯片，所述第一MicroLED芯片的第一电极与所述薄膜晶体管的第二电极对应；
将掩膜版转移至所述转移板远离所述阵列基板的一侧，所述掩膜版的开口区与所述第一MicroLED芯片对应；
通过所述掩膜版对所述转移板进行激光扫描，将所述第一MicroLED芯片从所述缓冲层剥离至所述粘结层上；
将所述第一MicroLED芯片的第一电极与所述薄膜晶体管的第二电极电性连接。


2.如权利要求1所述的MicroLED的转移方法，其特征在于，所述提供阵列基板，所述阵列基板一侧设置有粘结层，所述阵列基板的像素区包括多个薄膜晶体管的步骤包括：在所述阵列基板一侧设置材料为异方性导电胶的粘结层。


3.如权利要求1所述的MicroLED的转移方法，其特征在于，所述提供阵列基板，所述阵列基板一侧设置有粘结层，所述阵列基板的像素区包括多个薄膜晶体管的步骤包括：在所述阵列基板一侧设置材料为非导电胶的粘结层。


4.如权利要求1所述的MicroLED的转移方法，其特征在于，所述将转移板转移至所述阵列基板上方，所述转移板靠近所述粘结层的一侧设置有层叠的缓冲层和芯片层的步骤包括：将转移板转移至所述阵列基板上方，所述转移板靠近所述粘结层的一侧设置有材料为氮化镓的缓冲层。

【专利技术属性】
技术研发人员：樊勇，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44