【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
，更具体地，涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
技术介绍
现有中尺寸车载非TED(TouchEmbeddedDisplay，触控嵌入式显示器)产品设计时，为改善面内公共电极均一性，会在栅极所在的第一金属层内引入公共电极走线。但现有技术中的公共电极走线在衬底基板所在平面的正投影与驱动晶体管的有源层在衬底基板所在平面的正投影会有部分交叠，则在有源层与公共电极走线之间会形成了一个电容，此电容构成了像素存储电容的一部分。与小尺寸的车载非TED产品相比，中尺寸乃至大尺寸车载产品在相同的像素密度的情况下，单个像素的像素电极面积更大，进而使像素电极与公共电极之间的存储电容增大。根据电容＝电量/电压可得，液晶偏转的白态电压一定时，电容越大，则存储电容充电所需的电量也越大。而现有的中尺寸非TED车载产品设计中存储电容又由有源层与公共电极走线之间形成的电容和公共电极和像素电极之间形成的电容两部分电容构成。这使中尺寸的车载产品中的存储电容远大于小尺寸车载产品中的存储电容，这大大影响了存储...
【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括显示区和围绕所述显示区的非显示区；还包括：/n衬底基板；/n在所述衬底基板上设置的有源层、第一金属层、第二金属层、公共电极、以及像素电极，所述第二金属层位于所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧；所述公共电极位于所述第二金属层远离所述衬底基板的一侧；所述像素电极位于所述公共电极远离所述第二金属层一侧；所述衬底基板、所述有源层、所述第一金属层、所述第二金属层、所述公共电极、以及像素电极两两之间设有绝缘层；/n驱动晶体管，所述驱动晶体管包括栅极、源极和漏极，所述栅极位于所述第一金属层，所述源极和所述漏极位于第二金属层，所述源极和所述漏极与所述有源...
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括显示区和围绕所述显示区的非显示区；还包括：
衬底基板；
在所述衬底基板上设置的有源层、第一金属层、第二金属层、公共电极、以及像素电极，所述第二金属层位于所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧；所述公共电极位于所述第二金属层远离所述衬底基板的一侧；所述像素电极位于所述公共电极远离所述第二金属层一侧；所述衬底基板、所述有源层、所述第一金属层、所述第二金属层、所述公共电极、以及像素电极两两之间设有绝缘层；
驱动晶体管，所述驱动晶体管包括栅极、源极和漏极，所述栅极位于所述第一金属层，所述源极和所述漏极位于第二金属层，所述源极和所述漏极与所述有源层电连接；所述源极或所述漏极与所述像素电极电连接；
第一公共电极走线和第二公共电极走线，所述第一公共电极走线和所述第二公共电极走线电联接；所述第一公共电极走线位于所述第一金属层，且与所述公共电极电连接；所述第二公共电极走线与所述公共电极电连接；
其中，所述第一公共电极走线位于所述显示区，所述第二公共电极走线位于所述非显示区且至少半围绕所述显示区；
所述像素电极在所述阵列基板平面的正投影与所述公共电极在所述阵列基板所在平面的正投影至少部分交叠；
所述有源层在所述衬底基板所在平面的正投影与所述第一公共电极走线在所述衬底基板所在平面的正投影无交叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一公共电极走线通过第一过孔与所述公共电极电连接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括连接电极，所述连接电极位于所述第二金属层，所述连接电极分别与所述第一公共电极走线和所述公共电极电连接。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一公共电极走线通过第二过孔与所述第二公共电极走线电联接，所述第二过孔设置于所述非显示区。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源极和所述漏极在所述衬底基板所在平面的正投影与所述第一公共电极走线在所述衬底基板所在平面的正投影无交叠。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括遮光层，所述遮光层位于所述衬底基板靠近所述有源层一侧，所述栅极在所述衬底基板所在平面的正投影位于所述遮光层在所述衬底基板所在平面的正投影之内。
7.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑丽华，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35
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