光学收发器及其制造方法技术

本公开提供一种光学收发器，包含光子集成电路组件、电子集成电路组件以及绝缘密封体。光子集成电路组件包含至少一个光学输入/输出部和位于至少一个光学输入/输出部附近的至少一个凹槽。电子集成电路组件安置于光子集成电路组件上且电性连接到所述光子集成电路组件。绝缘密封体安置于光子集成电路组件上，且横向地包封电子集成电路组件。光子集成电路组件的至少一个凹槽被绝缘密封体暴露出，且适用于插入光子器件。

Optical transceiver and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
光学收发器及其制造方法
本专利技术实施例涉及一种光学收发器及其制造方法。
技术介绍
光学收发器模块用于要求高性能、紧密封装以及低功耗的高速光通信系统中。光传输/接收功能实施于可插拔(pluggable)光学收发器模块中。光学收发器模块遵从高达大于100Gbps的通信速度范围下的各种国际标准规范。目前，光学收发器模块的制造工艺非常复杂，且其良率增加是必要的。
技术实现思路
根据本专利技术的实施例，一种光学收发器，包括光子集成电路组件、电子集成电路组件以及绝缘密封体。光子集成电路组件包括至少一个光学输入/输出部以及位于所述至少一个光学输入/输出部附近的至少一个凹槽。电子集成电路组件安置于所述光子集成电路组件上且电性连接到所述光子集成电路组件。绝缘密封体安置于所述光子集成电路组件上且横向地包封所述电子集成电路组件，其中所述绝缘密封体以及所述光子集成电路组件的所述至少一个凹槽适用于插入光子器件。根据本专利技术的实施例，一种制造光学收发器的方法，包括：提供光子集成电路组件，其中所述光子集成电路组件包括至少一个光学输入/输出部以及位于所述至少一个光学输入/输出部附近的至少一个凹槽；使电子集成电路组件与所述光子集成电路组件接合；在所述光子集成电路组件上形成突出部以覆盖所述至少一个凹槽；在所述光子集成电路组件上形成绝缘密封体以横向地包封所述电子集成电路组件以及所述突出部；以及从所述光子集成电路组件去除所述突出部。根据本专利技术的实施例，一种制造光学收发器的方法，包括：提供包括多个光子集成电路组件的中介物，且所述多个光子集成电路组件中的每一个包括至少一个光学输入/输出部以及位于所述至少一个光学输入/输出部附近的至少一个凹槽；使多个电子集成电路组件与所述中介物接合；在所述中介物上形成多个突出部，且所述多个突出部填充所述中介物的所述多个凹槽并从所述中介物突出；在所述中介物上形成绝缘密封体以形成结构，其中所述绝缘密封体横向地包封所述多个电子集成电路组件以及所述多个突出部；使所述结构单体化以形成多个单体化光学收发器；以及从所述多个单体化光学收发器去除所述多个突出部。附图说明当结合附图阅读时，从以下详细描述最好地理解本公开的方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。图1到图13说明根据本公开的一些实施例的用于制造光学收发器的工艺流程。图14A是根据本公开的一些实施例的图13中所说明的光学收发器的示意图。图14B是根据本公开的一些替代实施例的图13中所说明的光学收发器的示意图。图15A是根据本公开的一些实施例的示意性地说明图13中示出的区域A的横截面图。图15B是根据本公开的一些替代实施例的示意性地说明图13中示出的区域A的横截面图。图16A是根据本公开的一些实施例的示意性地说明图13中示出的区域B的横截面图。图16B是根据本公开的一些替代实施例的示意性地说明图13中示出的区域B的横截面图。[附图标号说明]100：光子集成电路组件；100a：电接合部；100b：光学输入/输出部；100c：凹槽；200：电子集成电路组件；300a、300b：绝缘密封体；A、B：区域；AS1：第一有源表面；AS2：第二有源表面；B1、B2：导电凸块；C1、C2、C3：载体；C2′：单体化载体；CS：约束结构；INT：中介物；OTC：单体化光学收发器；P：突出部；PD：光子器件；RS1：第一后表面；RS2：第二后表面；SUB：布线衬底；SW1、SW4、SW5、SW5′、SW6、SW6′：弯曲倾斜侧壁；SW2：侧壁；SW3：弯曲侧壁；SW5″、SW6″：垂直侧壁；UF1、UF2：底填充物；w1、w3：顶部尺寸；w2、w4：底部尺寸。具体实施方式以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的具体实例以简化本公开。当然，这些只是实例且并不意欲为限制性的。举例来说，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或上的形成可包含第一特征和第二特征直接接触地形成的实施例，且还可包括额外特征可在第一特征与第二特征之间形成使得第一特征和第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开可在各个实例中重复参考标号和/或字母。这种重复是出于简化和清楚的目的，且本身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。此外，为易于描述，可在本文中使用空间相对术语，如“在...下方”、“在...下”、“下部”、“在...上方”、“上部”以及类似术语，以描述如图式中所说明的一个元件或特征与另一(一些)元件或特征的关系。除图式中所描绘的定向以外，空间相对术语意欲涵盖器件在使用或操作中的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。还可包含其它特征和工艺。举例来说，可包含测试结构以帮助验证测试3D封装或3D-IC器件。测试结构可包含例如形成于重布线层中或衬底上的测试垫，所述衬底允许测试3D封装或3D-IC、使用探针和/或探针卡以及类似物。可对中间结构以及最终结构执行验证测试。另外，本文中所公开的结构和方法可与并有已知良好管芯的中间验证的测试方法结合使用以增大良率并降低成本。图1到图13说明根据本公开的一些实施例的用于制造光学收发器的工艺流程。图14A是根据本公开的一些实施例的图13中所说明的光学收发器的示意图。图14B是根据本公开的一些替代实施例的图13中所说明的光学收发器的示意图。参考图1，提供其中包含多个光子集成电路组件100的中介物INT。光子集成电路组件100以阵列布置，且实体彼此至连接。多个光子集成电路组件100当中的每一光子集成电路组件100可分别包含：电接合部100a；至少一个光学输入/输出部100b，配置成传输和接收光学信号；以及至少一个凹槽100c，位于所述至少一个光学输入/输出部100b附近。光学信号是例如脉冲光、具有持续波(continuouswave；CW)的光或其组合。在一些实施例中，光子集成电路组件100的电接合部100a可包含半导体器件(例如，晶体管、电容器等等)、用于电性连接的布线或导体，且光子集成电路组件100的光学输入/输出部100b可包含半导体器件和用于处理光学信号的光学器件(例如，光栅耦合器(gratingcoupler))。举例来说，形成于光学输入/输出部100b中的半导体器件可包含晶体管、电容器、光电二极管或其组合，且形成于光学输入/输出部100b中的光学器件可包含调制器(modulator)、光栅耦合器、边缘耦合器(edgecoupler)、波导、滤波器或其组合。如图1所示，中介物INT可包含第一有源表面AS1和与第一有源表面AS1相对的第一后表面RS1，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光学收发器，其特征在于，包括：/n光子集成电路组件，包括至少一个光学输入/输出部以及位于所述至少一个光学输入/输出部附近的至少一个凹槽；/n电子集成电路组件，安置于所述光子集成电路组件上且电性连接到所述光子集成电路组件；以及/n绝缘密封体，安置于所述光子集成电路组件上且横向地包封所述电子集成电路组件，其中所述绝缘密封体以及所述光子集成电路组件的所述至少一个凹槽适用于插入光子器件。/n

【技术特征摘要】
20181030 US 62/752,371;20181122 US 16/198,8581.一种光学收发器，其特征在于，包括：
光子集成电路组件，包括至少一个光学输入/输出部以及位于所述至少一个光学输入/输出部附近的至少一个凹槽；
电子集成电路组件，安置于所述光子集成电路组件上且电性连接到所述光子集成电路组件；以及
绝缘密封体，安置于所述光子集成电路组件上且横向地包封所述电子集成电路组件，其中所述绝缘密封体以及所述光子集成电路组件的所述至少一个凹槽适用于插入光子器件。


2.根据权利要求1所述的光学收发器，其中所述电子集成电路组件通过多个微凸块来电性连接到所述光子集成电路组件。


3.根据权利要求1所述的光学收发器，其中所述绝缘密封体的部分位于所述至少一个光学输入/输出部的部分上方，所述绝缘密封体的所述部分包括弯曲侧壁，且所述绝缘密封体的所述部分的顶部尺寸大于或小于所述绝缘密封体的所述部分的底部尺寸。


4.根据权利要求1所述的光学收发器，其中所述绝缘密封体的部分位于所述至少一个光学输入/输出部的部分上方，且所述绝缘密封体的所述部分的顶部尺寸大体上等于所述绝缘密封体的所述部分的底部尺寸。


5.一种制造光学收发器的方法，其特征在于，包括：
提供光子集成电路组件，其中所述光子集成电路组件包括至少一个光学输入/输出部以及位于所述至少一个光学输入/输出部附近的至少一个凹槽；
使电子集成电路组件与所述光子集成电路组件接合；
在所述光子集成电路组件上形成突出部以覆盖所述至少一个凹槽；
在所述光子集成电路组件上形成绝缘密封体以横向地包封所述电子集成电路组件以及所述突出部；以及
从所述光子集成电路组件去除所述突出部。


6.根据权利要求5所述的制造光学收发器的方法，其中在所述光子集成电路组件上形成所述绝缘密封体包括：
在所述光子集成电路组件上形...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志豪，高金福，郑礼辉，卢思维，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71