【技术实现步骤摘要】
一种高性能铁磁性靶材的制备方法
本专利技术属于靶材制备
,具体涉及一种高性能铁磁性靶材的制备方法。本
技术实现思路
提供的高纯铁磁性溅射靶材适用于半导体及集成电路制造领域。
技术介绍
随着半导体制造技术的不断进步,半导体集成电路的前道逻辑电路的线宽已经普遍达到90-28nm,未来将进一步普及到14-10nm的深纳米级。随着线宽减小,金属Co、Ni(Pt)硅化物取代了Ti硅化物用作电接触层(Contactor),例如,CMOS器件中的应变硅技术和新型FinFET中的调制功函数技术所使用的钴靶、镍铂合金靶材等,通过PVD形成电接触层。由于这些靶材具有铁磁性,磁性能的分布均匀性成为影响溅射薄膜均匀性的关键。影响铁磁性靶材磁性能均匀性的因素有很多,主要包括微观组织织构、厚度及内应力分布均匀性。如果靶材厚度分布不均匀,会导致靶材表面磁场分布不均匀。另外,靶材焊接应力较大,会导致靶材加工过程中厚度均匀性不好控制。所以,铁磁性靶材的加工过程对于靶材的溅射性能影响较大。对于要求较高的8-12英寸铁磁性金属靶材,由于靶面直径过大(> ...
【技术保护点】
1.一种高性能铁磁性靶材的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:/n1)首先准备靶坯和背板;/n2)将靶坯加工至成品靶材厚度尺寸;/n3)将加工后的靶坯和背板采用温差法焊接,保证靶材平面度和低应力,得到焊接组件;/n4)将焊接组件通过振动时效消除焊接残余内应力,得到坯料;/n5)将坯料加工成所需规格尺寸,得到成品靶材。/n
【技术特征摘要】
1.一种高性能铁磁性靶材的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)首先准备靶坯和背板;
2)将靶坯加工至成品靶材厚度尺寸;
3)将加工后的靶坯和背板采用温差法焊接,保证靶材平面度和低应力,得到焊接组件;
4)将焊接组件通过振动时效消除焊接残余内应力,得到坯料;
5)将坯料加工成所需规格尺寸,得到成品靶材。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤1)中所述靶坯为钎焊型铁磁性靶材。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤1)中所述靶坯直径为Φ300-450mm。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤2)所述靶坯加工方式为高精度加工。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤3)中所述温差法焊接为通过加...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗俊锋,郭力山,熊晓东,徐国进,张巧霞,刘芳,李勇军,庞欣,刘丹,
申请(专利权)人:有研亿金新材料有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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